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E2L0019-17-Y1
半导体
MSM5416263
半导体
262,144-Word
16位多端口DRAM
这个版本: 1998年1月
MSM5416263
上一版本: 1996年12月
描述
该MSM5416263是4兆位的CMOS多端口DRAM由16位组成的262,144字的
动态RAM ,以及512字×16位的SAM 。它的RAM和SAM独立运作,
异步。
它支持三种类型的操作:随机存取的RAM端口,高速串行访问
SAM端口和数据的任何选择的行之间在RAM端口双向传送和
SAM端口。除了常规的多端口DRAM的操作模式中, MSM5416263
功能块写入,闪存写入功能,扩展页模式内存端口,一个分裂的数据
传送能力,并在SAM端口上的可编程停止。 SAM端口无需刷新
操作,因为它采用静态CMOS触发器。
特点
单电源供电: 5 V
±10%
RAS
只刷新
完全兼容TTL
CAS
RAS
刷新
多端口企业
隐藏刷新
RAM : 256K字
16位
串行读/写
SAM : 512字
16位
512抽头位置
扩展页模式
可编程停止
每位写
双向数据传输
每比特持续写入
分割转让
字节写
蒙面写传输
屏蔽的flash写
刷新: 512次/ 8毫秒
蒙面块写( 4
4
4)
??包装:
64引脚525密耳的塑料SSOP ( SSOP64 -P - 525-0.80 -K ) (产品: MSM5416263 - xxGS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5416263-50
MSM5416263-60
MSM5416263-70
存取时间
内存
50纳秒
60纳秒
70纳秒
SAM
17纳秒
18纳秒
20纳秒
周期
内存
110纳秒
120纳秒
140纳秒
SAM
20纳秒
22纳秒
22纳秒
功耗
操作
180毫安
170毫安
160毫安
待机
9毫安
9毫安
9毫安
1/40
半导体
引脚配置(顶视图)
V
CC
TRG
V
SS
SDQ0
DQ0
SDQ1
DQ1
V
CC
SDQ2
DQ2
SDQ3
DQ3
V
SS
SDQ4
DQ4
SDQ5
DQ5
V
CC
SDQ6
DQ6
SDQ7
DQ7
V
SS
WEL
西欧联盟
RAS
A8
A7
A6
A5
A4
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9


10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
MSM5416263
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
SC
SE
V
SS
SDQ15
DQ15
SDQ14
DQ14
V
CC
SDQ13
DQ13
SDQ12
DQ12
V
SS
SDQ11
DQ11
SDQ10
DQ10
V
CC
SDQ9
DQ9
SDQ8
DQ8
V
SS
DSF
NC
CAS
QSF
A0
A1
A2
A3
V
SS
64引脚塑封SSOP
引脚名称
A0 - A8
DQ0 - DQ15
SDQ0 - SDQ15
RAS
CAS
WEL
西欧联盟
TRG
功能
地址输入
RAM输入/输出
SAM输入/输出
行地址选通
列地址选通
写使能低
写使能上
转让/输出使能
引脚名称
SC
SE
DSF
QSF
V
CC
V
SS
NC
功能
串行时钟
SAM端口启用
特殊功能输入
特殊功能输出
供电( 5 V )
接地( 0 V )
无连接
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
2/40
框图
半导体
COLUMN
地址
卜FF器
列解码器
块写
控制
I / O控制
列面膜
注册
套色
屏蔽寄存器
RAM输入
卜FF器
DQ 0 - 15
RAM输出
卜FF器
感测放大器。
行解码器
ROW
地址
卜FF器
512
512
16
RAM阵列
Flash写
控制
SAM输入
卜FF器
SDQ 0 - 15
SAM输出
卜FF器
定时
发电机
A0 - A8
刷新
计数器
SAM
SAM
RAS
CAS
TRG
西欧联盟
/
WEL
DSF
SC
SE
串行解码器
SAM
地址
卜FF器
SAM地址
计数器
QSF
SAM停止
控制
V
CC
V
SS
MSM5416263
3/40
半导体
MSM5416263
电气特性
绝对最大额定值
(注:1)
参数
输入输出电压
输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
(大= 0 ° C至70 ° C) (注2 )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
2.4
–1.0
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
6.5
0.8
单位
V
V
V
电容
(V
CC
= 5 V± 10 % , F = 1MHz时, TA = 25 ° C)
参数
输入电容
输入/输出电容
输出电容
符号
C
i
C
io
C
o
( QSF )
分钟。
马克斯。
8
9
9
单位
pF
pF
pF
注意:
此参数是周期性采样,而不是100%测试。
直流特性1
参数
输出"H"电平电压
输出"L"电平电压
输入漏电流
符号
V
OH
V
OL
I
LI
条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
0
V
IN
V
CC
所有其它引脚不
被测= 0V
0
V
OUT
5.5 V
输出禁用
分钟。
2.4
–10
马克斯。
0.4
10
mA
–10
10
单位
V
输出漏电流
I
LO
4/40
半导体
直流特性2
MSM5416263
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
项(RAM)的
工作电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
待机电流
( RAS ,
CAS
= V
IH
)
RAS
只刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
= V
IH
, t
RC
= t
RC
分)
页面模式电流
( RAS = V
IL
,
CAS
骑自行车,T
PC
= t
PC
分)
CAS
RAS
刷新当前
( RAS骑自行车,
CAS
RAS ,
t
RC
= t
RC
分)
数据传输电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
闪存的写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
块写入电流
( RAS ,
CAS
骑自行车,T
RC
= t
RC
分)
SAM
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
待机
活跃
符号
I
CC1
I
CC1
A
I
CC2
I
CC2
A
I
CC3
I
CC3
A
I
CC4
I
CC4
A
I
CC5
I
CC5
A
I
CC6
I
CC6
A
I
CC7
I
CC7
A
I
CC8
I
CC8
A
-50
140
180
9
60
140
180
120
180
140
180
140
180
140
180
140
180
-60
130
170
9
55
130
170
110
170
130
170
130
170
130
170
130
170
-70
120
160
9
55
120
160
100
160
120
160
120
160
120
160
120
160
mA
3, 4
3, 4
17
3, 4
18
3, 4
3, 4
3, 4
17
3, 4
3, 4
3, 4
3, 4
最大。最大。最大。
单位注
3, 4
17
5/40
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSM5416263
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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