E2L0047-28-Z2
半导体
半导体
MSM5416258A
描述
这个版本： 1998年12月
MSM5416258A
上一版本： 1998年1月
262,144-Word
16位动态RAM ：与EDO快页模式类型
该MSM5416258A是262,144字
16位动态RAM制作Oki的CMOS硅栅
技术。该MSM5416258A实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM5416258A可在四十分之四十四引脚塑料TSOP 。
特点
262,144字
16位配置
单5.0 V电源供电，
±0.5
V宽容
- 输入：
TTL兼容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 512次/ 8毫秒
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
字节宽的控制： 2
CAS
控制
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS
只刷新功能
包装：
40分之44引脚400密耳的塑料TSOP （II型） （ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM5416258A - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5416258A-40
MSM5416258A-45
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
40纳秒22纳秒10纳秒10纳秒
45纳秒24纳秒12纳秒12纳秒
周期时间（min 。 ）
t
RC
80纳秒
90纳秒
t
HPC
15纳秒
20纳秒
功耗
（ MAX 。 ）
825毫瓦
770毫瓦
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半导体
MSM5416258A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
条件
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
—
—
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
V
CC
+ 1.0
0.8
电容
参数
输入电容（ A0 - A8 ）
输入电容
（ RAS ，
LCAS ， UCAS ， WE， OE ）
输入/输出电容
（ DQ0 - DQ15 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 5.0 V± 0.5 V ， TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
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半导体
DC特性
MSM5416258A
(V
CC
= 5.0 V± 0.5 V ，TA = 0 ° C至70 ° C）
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（仅RAS刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
条件
I
OH
= -2.5毫安
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
DQI关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
RAS
=骑自行车，
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
RAS
=骑自行车，
CAS
前
RAS
MSM5416258A
-40
分钟。
2.4
0
–10
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
10
MSM5416258A
-45
分钟。
2.4
0
–10
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
10
V
V
mA
mA
单位注
I
CC1
—
150
—
140
毫安1,2
I
CC2
—
3
—
3
mA
1
I
CC3
—
150
—
140
毫安1,2
I
CC4
—
130
—
115
毫安1,3
I
CC5
—
150
—
140
毫安1,2
注：1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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