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OKI半导体
MSM5412222B
262,214-Word
×
12位字段存储
FEDS5412222B-01
发布日期: 11月20日, 2002年
概述
在OKI MSM5412222B是一款高性能的3兆, 256K
×
12位,场存储器。它特别设计的
为高速串行访问的应用,如高清晰度电视,现有的NTSC电视,录像机,数字电影和
多媒体系统。 MSM5412222B是FRAM在一般商品电视机和录像机宽或低端用途
独家。 MSM5412222B并非设计用于医疗系统的其他用途或高端的使用,专业
图形系统需要长期的图象存储,数据存储系统和其他。两个以上的
MSM5412222Bs可以直接被级联,而不MSM5412222Bs之间的任何延迟的设备。的(层叠
MSM5412222B提供了更大的存储深度或更长的延迟) 。
每个12位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制时钟
支持异步读取和写入操作。此外,还支持不同的时钟速率,允许备用数据
与写之间的速度读取数据流。
该MSM5412222B提供高速FIFO ,先入先出,不需要外接耳目一新:
MSM5412222B自动刷新的DRAM存储单元,所以它看起来完全静态的用户。
此外,全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免费串行访问
操作时,使串行读和/或写控制时钟均可使用,只要停止高电平或低电平的持续时间的任何作为
电源接通。内存访问和刷新操作的内部冲突是由专门的仲裁阻止
逻辑。
该MSM5412222B的功能是简单的,并且类似的延迟的比特长度很容易地设置一数字延迟设备
通过复位时序。写入和读出,是通过从外部确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
控制写入和读取复位时序。
附加的SRAM串行寄存器,或为256的初始接入时行缓冲器
×
12位实现高速
刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。
此外, MSM5412222B有写屏蔽功能或输入使能功能( IE ) ,并读取数据跳绳
功能或输出使能功能( OE ) 。写之间的差异使能(WE )和输入使能(IE) ,并
读与使能( RE)和输出使能( OE )是我们和RE可以停止串行读/写地址
增量,但IE和OE不能停止的增加,当读/写时钟不断施加到
MSM5412222B 。输入使能(IE)的功能允许用户写入到存储器中的所选择的位置
只是,留下不变的存储器内容的其余部分。这便于数据处理,以在显示“图画
图片“在电视屏幕上。
该MSM5412222B是在操作和功能,以冲电气1兆位场存储器MSM514222C和类似
2 - Mbit的场存储器MSM518222A 。三MSM514222Cs或者一个MSM514222C加一MSM518222A可以
被一个MSM5412222B简单地更换。
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FEDS5412222B-01
OKI半导体
MSM5412222B
特点
单电源供电: 5.0 V ± 0.5 V
262214字
×
12位
快速的FIFO (先入先出)操作
高速异步串行访问
读/写周期时间25 ns / 30 ns的
存取时间
23纳秒/ 25纳秒
直接级联能力
写屏蔽功能(输入使能控制)
数据跳跃功能(输出使能控制)
自刷新(无需刷新控制)
封装选项:
44引脚400密耳的塑料TSOP (类型2)
( TSOP (2) 44 -P- 400-0.80 -K)个(产品: MSM5412222B - xxTS -K)个
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
(产品: MSM5412222B - xxJS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5412222B-25TS-K
MSM5412222B-30TS-K
MSM5412222B-25JS
MSM5412222B-30JS
访问时间(最大值)。
23纳秒
25纳秒
23纳秒
25纳秒
周期时间(min 。 )
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
400万44针TSOP ( 2 )
400万40引脚SOJ
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FEDS5412222B-01
OKI半导体
MSM5412222B
引脚配置(顶视图)
V
SS
D
IN
11
D
IN
10
NC
D
IN
9
D
IN
8
D
IN
7
D
IN
6
NC
D
IN
5
D
IN
4
D
IN
3
D
IN
2
NC
D
IN
1
D
IN
0
SWCK
RSTW
NC
WE
IE
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
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13
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20
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44
43
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40
39
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V
SS
D
OUT
11
D
OUT
10
NC
D
OUT
9
D
OUT
8
D
OUT
7
D
OUT
6
V
CC
D
OUT
5
D
OUT
4
D
OUT
3
D
OUT
2
V
SS
D
OUT
1
D
OUT
0
SRCK
RSTR
NC
RE
OE
V
CC
V
SS
1
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D
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3
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2
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D
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1
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D
IN
0
14
SWCK
15
RSTW
16
WE
17
IE
18
NC
19
V
CC
20
40
V
SS
39
V
CC
38
D
OUT
11
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D
OUT
10
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OUT
9
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OUT
8
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OUT
5
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OUT
4
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D
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3
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D
OUT
2
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OUT
1
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D
OUT
0
26
SRCK
25
RSTR
24
RE
23
OE
22
V
SS
21
V
CC
44引脚塑料TSOP ( 2 )
(K型)
40引脚塑料SOJ
引脚名称
SWCK
SRCK
WE
RE
IE
OE
RSTW
RSTR
D
IN
0到11
D
OUT
0到11
V
CC
V
SS
NC
功能
串行写时钟
串行读时钟
写使能
读使能
输入使能
OUTPUT ENABLE
写复位时钟
阅读复位时钟
数据输入
数据输出
电源( 5.0 V )
接地( 0 V )
无连接
注意:相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地电压
电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
3/17
D
OUT
(
×
12)
OE
RE
RSTR
SRCK
OKI半导体
框图
数据输出
缓冲器(
×
12)
串行读取控制器
串行读寄存器(
×
12)
读行缓冲区
(
×
12)
71-Word
分登记(
×
12)
262,144
×
12
内存
ARRAY
71-Word
分登记(
×
12)
(
×
12)
写行缓冲区
串行写入寄存器(
×
12)
V
BB
发电机
串行写入控制器
时钟
振荡器
X
解码器
读/写
和刷新
调节器
数据在
缓冲器(
×
12)
FEDS5412222B-01
MSM5412222B
D
IN
(
×
12)
IE
WE
RSTW SWCK
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FEDS5412222B-01
OKI半导体
MSM5412222B
手术
写操作
的写操作是由三个时钟, SWCK , RSTW和WE控制。写操作被完成
骑自行车SWCK ,并保持写地址指针复位操作或RSTW后,我们高。
每次写操作,开始RSTW之后,必须包含至少150个活跃的写周期,即SWCK周期
而WE为高电平。到的最后的数据传送到DRAM阵列,这在当时是存储在串行数据
附着到DRAM阵列的寄存器,最后SWCK循环之后需要一个RSTW操作。
需要注意的是MSM5412222B的每个写入时序由一个时钟延迟的读定时容易比较
级联没有任何接口延迟装置。
写复位: RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器为零。 RSTW
建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写复位功能是完全
RSTW的高度之后,由SWCK上升沿控制的,我们和IE浏览器的状态在写被忽略
重置周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的,它必须是低的,至少有两个SWCK
周期。
数据输入:D
IN
0到11
写时钟: SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平,并且也递增内部写地址指针。
数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能: WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端,和WE低电平禁止
输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间(低),我们启用时间(高)
的限制,因为MSM5412222B是完全静态的操作,只要电源打开。请注意,我们设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
输入使能: IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写地址指针
总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的建立和保持时间
参考SWCK的上升沿。
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MSM5412222B
262,214-Word
×
12位字段存储
FEDS5412222B-01
发布日期: 11月20日, 2002年
概述
在OKI MSM5412222B是一款高性能的3兆, 256K
×
12位,场存储器。它特别设计的
为高速串行访问的应用,如高清晰度电视,现有的NTSC电视,录像机,数字电影和
多媒体系统。 MSM5412222B是FRAM在一般商品电视机和录像机宽或低端用途
独家。 MSM5412222B并非设计用于医疗系统的其他用途或高端的使用,专业
图形系统需要长期的图象存储,数据存储系统和其他。两个以上的
MSM5412222Bs可以直接被级联,而不MSM5412222Bs之间的任何延迟的设备。的(层叠
MSM5412222B提供了更大的存储深度或更长的延迟) 。
每个12位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制时钟
支持异步读取和写入操作。此外,还支持不同的时钟速率,允许备用数据
与写之间的速度读取数据流。
该MSM5412222B提供高速FIFO ,先入先出,不需要外接耳目一新:
MSM5412222B自动刷新的DRAM存储单元,所以它看起来完全静态的用户。
此外,全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免费串行访问
操作时,使串行读和/或写控制时钟均可使用,只要停止高电平或低电平的持续时间的任何作为
电源接通。内存访问和刷新操作的内部冲突是由专门的仲裁阻止
逻辑。
该MSM5412222B的功能是简单的,并且类似的延迟的比特长度很容易地设置一数字延迟设备
通过复位时序。写入和读出,是通过从外部确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
控制写入和读取复位时序。
附加的SRAM串行寄存器,或为256的初始接入时行缓冲器
×
12位实现高速
刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。
此外, MSM5412222B有写屏蔽功能或输入使能功能( IE ) ,并读取数据跳绳
功能或输出使能功能( OE ) 。写之间的差异使能(WE )和输入使能(IE) ,并
读与使能( RE)和输出使能( OE )是我们和RE可以停止串行读/写地址
增量,但IE和OE不能停止的增加,当读/写时钟不断施加到
MSM5412222B 。输入使能(IE)的功能允许用户写入到存储器中的所选择的位置
只是,留下不变的存储器内容的其余部分。这便于数据处理,以在显示“图画
图片“在电视屏幕上。
该MSM5412222B是在操作和功能,以冲电气1兆位场存储器MSM514222C和类似
2 - Mbit的场存储器MSM518222A 。三MSM514222Cs或者一个MSM514222C加一MSM518222A可以
被一个MSM5412222B简单地更换。
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MSM5412222B
特点
单电源供电: 5.0 V ± 0.5 V
262214字
×
12位
快速的FIFO (先入先出)操作
高速异步串行访问
读/写周期时间25 ns / 30 ns的
存取时间
23纳秒/ 25纳秒
直接级联能力
写屏蔽功能(输入使能控制)
数据跳跃功能(输出使能控制)
自刷新(无需刷新控制)
封装选项:
44引脚400密耳的塑料TSOP (类型2)
( TSOP (2) 44 -P- 400-0.80 -K)个(产品: MSM5412222B - xxTS -K)个
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
(产品: MSM5412222B - xxJS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5412222B-25TS-K
MSM5412222B-30TS-K
MSM5412222B-25JS
MSM5412222B-30JS
访问时间(最大值)。
23纳秒
25纳秒
23纳秒
25纳秒
周期时间(min 。 )
25纳秒
30纳秒
25纳秒
30纳秒
400万44针TSOP ( 2 )
400万40引脚SOJ
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MSM5412222B
引脚配置(顶视图)
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44引脚塑料TSOP ( 2 )
(K型)
40引脚塑料SOJ
引脚名称
SWCK
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0到11
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功能
串行写时钟
串行读时钟
写使能
读使能
输入使能
OUTPUT ENABLE
写复位时钟
阅读复位时钟
数据输入
数据输出
电源( 5.0 V )
接地( 0 V )
无连接
注意:相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地电压
电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
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D
OUT
(
×
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OE
RE
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OKI半导体
框图
数据输出
缓冲器(
×
12)
串行读取控制器
串行读寄存器(
×
12)
读行缓冲区
(
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71-Word
分登记(
×
12)
262,144
×
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内存
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71-Word
分登记(
×
12)
(
×
12)
写行缓冲区
串行写入寄存器(
×
12)
V
BB
发电机
串行写入控制器
时钟
振荡器
X
解码器
读/写
和刷新
调节器
数据在
缓冲器(
×
12)
FEDS5412222B-01
MSM5412222B
D
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IE
WE
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MSM5412222B
手术
写操作
的写操作是由三个时钟, SWCK , RSTW和WE控制。写操作被完成
骑自行车SWCK ,并保持写地址指针复位操作或RSTW后,我们高。
每次写操作,开始RSTW之后,必须包含至少150个活跃的写周期,即SWCK周期
而WE为高电平。到的最后的数据传送到DRAM阵列,这在当时是存储在串行数据
附着到DRAM阵列的寄存器,最后SWCK循环之后需要一个RSTW操作。
需要注意的是MSM5412222B的每个写入时序由一个时钟延迟的读定时容易比较
级联没有任何接口延迟装置。
写复位: RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器为零。 RSTW
建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写复位功能是完全
RSTW的高度之后,由SWCK上升沿控制的,我们和IE浏览器的状态在写被忽略
重置周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的,它必须是低的,至少有两个SWCK
周期。
数据输入:D
IN
0到11
写时钟: SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平,并且也递增内部写地址指针。
数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能: WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端,和WE低电平禁止
输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间(低),我们启用时间(高)
的限制,因为MSM5412222B是完全静态的操作,只要电源打开。请注意,我们设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
输入使能: IE浏览器
IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写地址指针
总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的建立和保持时间
参考SWCK的上升沿。
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