半导体
MSM531652F
1,048,576字×16位或2,097,152字节×8位MASKROM
16Words ×16位或32字节×8位/页模式MASKROM
描述
在OKI MSM531652F是1,048,576字×16位或2,097,152字节×8位CMOS
掩膜ROM与异步页读模式。每一页都组织了16字× 16位
位或32字节×8位。它运行在一个单一的5.0V电源供电， TTL兼容。该
芯片的异步I / O ，无需外部时钟保证操作方便。一个掉电
模式时提供芯片未选择低功耗。在CE和OE引脚
作为允许三态输出使之易于扩展内存控制信号
一个系统上总线。 MSM531652F适合于用作大容量的固定存储器，用于
微型计算机和数据终端。
特点
单5.0V电源
1,048,576字× 16位/ 2,097,152字节×8位
16个字（ A3，A2 ，A1和A0 ）或32个字节（ A3，A2 ，A1，A0 ， A-1） /页
存取时间
最大为100ns （正常访问）
最大为50ns （页面访问）
输入/输出TTL兼容
三态输出配置
内置省电功能
包：
42引脚塑料DIP封装（ DIP42 -P - 600-2.45 ）
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600-1.27 -K ）
48引脚塑料TSOP （ TSOPII48 -P - 550-0.80 -K ）
1
MSM531652F
框图
V
CC
V
SS
A-1
字节
在8位和16位输出切换
CE
OE
CE
OE
控制
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
记忆细胞
矩阵
1,048,576字×16或2,097,152 ×8
X
解码器
地址
卜FF器
复用器&页数据锁存器
Y
解码器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
输出缓冲器
D6
D7
D8
D10 D12 D14
D9 D11 D13 D15
功能表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
L
L
L
L
L
L
字节
X
X
H
H
L
L
L
L
A-1/D15
X
X
输入禁止（ D15 ）
输入禁止（ D15 ）
D0—D7
高阻
高阻
D0到D7
D0到D7
D0到D7
D8到D15
D0到D7
D8到D15
D8—D15
高阻
高阻
D8到D15
D8到D15
高阻
高阻
高阻
高阻
DOUT模式
高阻
16位
16位（页面模式）
8位
8位（页面模式）
最低位
—
A0
A0
A-1
A-1
最高位
—
A19
A3
A19
A3
L
H
L
H
3
MSM531652F
绝对最大极限
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
每包牛逼
OPR
= 25°C
—
—
到V
SS
条件
范围
-0.3 7
-0.3到V
CC
+ 0.5
-0.3到V
CC
+ 0.5
1.0
0到70
-55到150
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
4.5
0.0
2.2
–0.3
0
典型值。
5.0
0.0
5.0
0.0
—
马克斯。
5.5
0.0
5.5
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
DC特性
(V
CC
= 5V ± 10 ％以下，Ta = 0至70 ℃）下
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCS1
I
CCS
条件
I
OH
= -400uA
I
OH
= 2.1毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
t
C
= 100ns的
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
范围
分钟。
2.4
—
–10
–10
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
0.4
10
10
100
50
500
单位
V
V
A
A
mA
A
A
4
半导体
MSM531652F
1,048,576字×16位或2,097,152字节×8位MASKROM
16Words ×16位或32字节×8位/页模式MASKROM
描述
在OKI MSM531652F是1,048,576字×16位或2,097,152字节×8位CMOS
掩膜ROM与异步页读模式。每一页都组织了16字× 16位
位或32字节×8位。它运行在一个单一的5.0V电源供电， TTL兼容。该
芯片的异步I / O ，无需外部时钟保证操作方便。一个掉电
模式时提供芯片未选择低功耗。在CE和OE引脚
作为允许三态输出使之易于扩展内存控制信号
一个系统上总线。 MSM531652F适合于用作大容量的固定存储器，用于
微型计算机和数据终端。
特点
单5.0V电源
1,048,576字× 16位/ 2,097,152字节×8位
16个字（ A3，A2 ，A1和A0 ）或32个字节（ A3，A2 ，A1，A0 ， A-1） /页
存取时间
最大为100ns （正常访问）
最大为50ns （页面访问）
输入/输出TTL兼容
三态输出配置
内置省电功能
包：
42引脚塑料DIP封装（ DIP42 -P - 600-2.45 ）
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600-1.27 -K ）
48引脚塑料TSOP （ TSOPII48 -P - 550-0.80 -K ）
1
MSM531652F
框图
V
CC
V
SS
A-1
字节
在8位和16位输出切换
CE
OE
CE
OE
控制
A19
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
记忆细胞
矩阵
1,048,576字×16或2,097,152 ×8
X
解码器
地址
卜FF器
复用器&页数据锁存器
Y
解码器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
输出缓冲器
D6
D7
D8
D10 D12 D14
D9 D11 D13 D15
功能表
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
L
L
L
L
L
L
字节
X
X
H
H
L
L
L
L
A-1/D15
X
X
输入禁止（ D15 ）
输入禁止（ D15 ）
D0—D7
高阻
高阻
D0到D7
D0到D7
D0到D7
D8到D15
D0到D7
D8到D15
D8—D15
高阻
高阻
D8到D15
D8到D15
高阻
高阻
高阻
高阻
DOUT模式
高阻
16位
16位（页面模式）
8位
8位（页面模式）
最低位
—
A0
A0
A-1
A-1
最高位
—
A19
A3
A19
A3
L
H
L
H
3
MSM531652F
绝对最大极限
参数
电源电压
输入电压
输出电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
P
D
T
OPR
T
英镑
每包牛逼
OPR
= 25°C
—
—
到V
SS
条件
范围
-0.3 7
-0.3到V
CC
+ 0.5
-0.3到V
CC
+ 0.5
1.0
0到70
-55到150
单位
V
V
V
W
°C
°C
推荐工作条件
参数
电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
T
OPR
条件
—
—
—
—
—
范围
分钟。
4.5
0.0
2.2
–0.3
0
典型值。
5.0
0.0
5.0
0.0
—
马克斯。
5.5
0.0
5.5
0.8
70
单位
V
V
V
V
°C
DC特性
(V
CC
= 5V ± 10 ％以下，Ta = 0至70 ℃）下
参数
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;输出电压
输入漏电流
输出漏电流
电源电流
（操作）
电源电流
（待机）
符号
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC
I
CCS1
I
CCS
条件
I
OH
= -400uA
I
OH
= 2.1毫安
V
I
= 0至V
CC
V
O
= 0至V
CC
CE = V
IH MIN
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH ，
t
C
= 100ns的
CE = V
CC
–0.2V
CE = V
IH MIN
范围
分钟。
2.4
—
–10
–10
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
0.4
10
10
100
50
500
单位
V
V
A
A
mA
A
A
4
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