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MSM51X17400F
4,194,304-Word
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4位动态RAM :快速页面模式类型
FEDD51X17400F-03
发行日期: 2002年8月16日
描述
该MSM51X17400F是4,194,304字
×
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51X17400F实现高集成,高速运行,并
低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层
多晶硅/双层金属CMOS工艺。该MSM51X17400F可在26 / 24-引脚塑料
TSOP 。
特点
·
4,194,304-word
×
4位配置
=单
2.0V电源,
±0.15V
公差
·
输入: CMOS接口,极低的输入电容
·
输出: CMOS接口, 3态
·
刷新: 2048次/ 32ms的
·
快页模式下,读 - 修改 - 写功能
·
CAS
前
RAS
刷新功能
包
24分之26引脚塑料300MIL TSOP
(
TSOPII26/24-P-300-1.27-K
)
(产品: MSM51X17400F - xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间(最大值)。
家庭
t
RAC
100ns
t
AA
50ns
t
CAC
20ns
t
OEA
20ns
周期
(分)
200ns
功耗
操作
( MAX 。 )
200mW
待机
( MAX 。 )
1.1mW
MSM51X17400F-10
1/13
FEDD51X17400F-03
1
半导体
MSM51X17400F
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
价值
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到3.0
50
1
-10到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
(大= -10至70° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
1.85
0
0.8
×
V
CC
0.2
典型值。
2.0
0
马克斯。
2.15
0
V
CC
+0.2
0.2
×
V
CC
单位
V
V
V
V
引脚电容
(V
CC
= 2.0V ± 0.15V ,TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容( A0 - A10 )
输入电容
( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/13