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E2G0057-17-41
半导体
MSM51V4256A
半导体
这个版本: 1998年1月
MSM51V4256A
上一版本: 1997年5月
262,144-Word
4位动态RAM :快速页面模式类型
描述
该MSM51V4256A是262,144字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM51V4256A实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM51V4256A是一个20引脚塑料DIP 26 /20- pin塑料SOJ ,
或20引脚塑料拉链。
特点
262,144字
4位配置
3.3 V单电源供电, 0.3 V宽容
=输入
: LVTTL兼容,低输入电容
输出: LVTTL兼容,三态
刷新: 512次/ 8毫秒
快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
封装选项:
20引脚300密耳的塑料DIP
( DIP20 -P - 300-2.54 - W1 ) (产品: MSM51V4256A - xxRS )
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ ( SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ) (产品: MSM51V4256A - xxJS )
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
(产品: MSM51V4256A - xxZS )
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM51V4256A-70
MSM51V4256A-80
MSM51V4256A-10
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
70纳秒40纳秒25纳秒25纳秒
80纳秒45纳秒25纳秒25纳秒
100纳秒50纳秒30纳秒30纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
130纳秒
150纳秒
190纳秒
162毫瓦
144毫瓦
126毫瓦
1.8毫瓦
1/17
半导体
引脚配置(顶视图)
DQ1 1
DQ2 2
WE
3
RAS
4
NC 5
A0 6
A1 7
A2 8
A3 9
V
CC
10
20 V
SS

DQ1 1
19 DQ4
18 DQ3
17
CAS
16
OE
15 A8
14 A7
13 A6
12 A5
11 A4
DQ2 2
WE
3
NC 5
A0 9
RAS
4
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
引脚名称
A0 - A8
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
MSM51V4256A
26 V
SS
25 DQ4
24 DQ3
23
CAS
22
OE
18 A8
17 A7
16 A6
15 A5
14 A4
OE
1
DQ3 3
V
SS
5
DQ2 7
RAS
9
A0 11
A2 13
V
CC
15
A5 17
A7 19
2
CAS
4 DQ4
6 DQ1
8
WE
不含铅
12 A1
14 A3
16 A4
18 A6
20 A8
20引脚塑封ZIP
二十零分之二十六引脚塑料SOJ
20引脚塑料DIP
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源( 3.3 V )
接地( 0 V )
无连接
2/17
半导体
MSM51V4256A
框图
RAS
CAS
定时
发电机
定时
发电机
9
COLUMN
地址
缓冲器
国内
地址
计数器
9
COLUMN
解码器
时钟
发电机
WE
OE
4
产量
缓冲器
4
4
A0 - A8
刷新
控制时钟
SENSE
放大器器
4
I / O
选择器
4
4
DQ1 - DQ4
输入
缓冲器
4
9
ROW
地址
缓冲器
9
ROW
DE-
编码器
DRIVERS
内存
细胞
V
CC
芯片
V
BB
发电机
V
SS
3/17
半导体
MSM51V4256A
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
–0.3
典型值。
3.3
0
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
0.8
(大= 0 ° C至70 ° C)
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容( A0 - A8 )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V , TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
马克斯。
5
5
6
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
MSM51V4256A
(V
CC
= 3.3 V± 0.3 V ,TA = 0 ° C至70 ° C)
符号
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
I
OH
= -2.0毫安
I
OL
= 2.0毫安
0 V
V
I
V
CC
+ 0.3 V;
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
3.6 V
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
MSM51V4256 MSM51V4256 MSM51V4256
A-70
A-80
A-10
单位注
分钟。
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
2.4
0
–10
V
OH
V
OL
I
LI
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
45
2
0.5
40
2
0.5
35
2
0.5
mA
1, 2
I
CC2
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
mA
1
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
45
40
35
mA
1, 2
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
5
5
5
mA
1
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
45
40
35
mA
1, 2
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
PC
=最小值。
40
35
30
mA
1, 3
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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    MSM51V4256A-80
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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21+
16500
原厂原包装
原装正品
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MSM51V4256A-80
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十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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联系人:朱先生/王小姐
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MSM51V4256A-80
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mini原装正品!
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联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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联系人:李小姐
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MSM51V4256A-80
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22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
MSM51V4256A-80
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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MSM51V4256A-80
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MSM51V4256A-80
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MSM51V4256A-80
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MSM51V4256A-80
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
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