FEDS51V4223C-03
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半导体
MSM51V4223C
262,263-Word
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4位字段存储
这个版本： 2000年10月
上一版本： 2000年2月
概述
在OKI MSM51V4223C是一款高性能的1兆位， 256千
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4位，场存储器。它是专为高
高速串行连接应用，如高清电视，传统的NTSC电视机，录像机，数字电影和多媒体
系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品电视机和录像机，专。该
MSM51V4223C并非设计用于医疗系统，专业显卡的其他用途或高端应用
这需要长期图象系统和数据存储系统和其他。在1兆位的容量适合的一个场
现有的NTSC电视屏幕和级联2 MSM51V4223Cs使画面的一帧：大于
2 MSM51V4223Cs可以直接被级联，而不MSM51V4223Cs之间的任何延迟的设备。
（ MSM51V4223C的级联提供了更大的存储深度或更长的延迟） 。
每4位平面的具有单独的序列写入和读出该使用独立控制的时钟，以支持端口
异步读，写操作。此外，还支持不同的时钟速率，使备用的数据传输速率
写入之间和读数据流。
该MSM51V4223C提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：它
自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列存取操作，
使得串行读和/或写控制时钟，只要电源是被暂停的高电平或低电平的持续时间的任何
上。内存访问和刷新操作内部冲突都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM51V4223C的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟的比特长度被容易地设定
通过复位时序。写入和读出，是通过从外部确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
控制写入和读取复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
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4位实现高速的第一比特
进入无时钟延迟只是写或读复位时序之后。
该MSM51V4223C是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器MSM51V4221C类似
除了直接的级联能力。 （至于MSM51V4221C操作兼容的2兆内存领域， OKI拥有
MSM51V8221A作为MSM51V8222A的妹妹设备） 。
此外， MSM51V4223C有写屏蔽功能或输入使能功能（ IE ） ，并读取数据跳绳
功能或输出使能功能（ OE ） 。写之间的差异使能（WE ）和输入使能（IE） ，并
读与使能（ RE）和输出使能（ OE ）是我们和RE可以停止串行读/写地址
增量，但IE和OE不能停止的增加，当读/写时钟不断施加到
MSM51V4223C 。输入使能（IE）的功能允许用户写入到存储器中的所选择的位置
只是，留下不变的存储器内容的其余部分。这有利于数据处理，显示“画面
图片“在电视屏幕上。
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