FEDS51V4221C-03
1
半导体
MSM51V4221C
262,263-Word
×
4位字段存储
这个版本： 2000年10月
上一版本： 2000年2月
概述
在OKI MSM51V4221C是一款高性能的1兆位， 256K
×
4位，场存储器。它是专为高
高速串行连接应用，如高清电视，传统的NTSC电视机，录像机，数字电影和多媒体
系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品电视机和录像机，专。该
MSM51V4221C并非设计用于医疗系统，专业显卡的其他用途或高端应用
这需要长期图象系统和数据存储系统和其他。在1兆位的容量适合的一个场
现有的NTSC电视屏幕。
每4位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制时钟
支持异步读取和写入操作。此外，还支持不同的时钟速率，允许备用数据
与写之间的速度读取数据流。
该MSM51V4221C提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：它
自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列存取操作，
使得串行读和/或写控制时钟，只要电源是被暂停的高电平或低电平的持续时间的任何
上。内存访问和刷新操作内部冲突都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM51V4221B的功能是简单的，并且类似的延迟的比特长度很容易地设置一数字延迟设备
通过复位时序。写入和读出，是通过从外部确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
控制写入和读取复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
×
4位实现高速的第一比特
进入无时钟延迟只是写或读复位时序之后。
该MSM51V4221C是在操作和功能，以冲电气2兆位场存储器MSM51V8221A相似。
1/16
FEDS51V4221C-03
半导体
1
MSM51V4221C
特点
单电源供电： 3.3 V
±
0.3 V
512行
×
512列
×
4位
快速的FIFO （先入先出）操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
30纳秒/ 40纳秒
存取时间
30纳秒/ 35纳秒
与OKI MSM51V8221A功能的兼容性
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
16引脚300密耳的塑料DIP
(DIP16-P-300-2.54)
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/20-P-300-1.27)
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM51V4221C - xxRA ）
（产品： MSM51V4221C - xxJA ）
（产品： MSM51V4221C - xxRD ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM51V4221C-30RA
MSM51V4221C-40RA
MSM51V4221C-30JA
MSM51V4221C-40JA
MSM51V4221C-30RD
MSM51V4221C-40RD
访问时间（最大值）。
30纳秒
35纳秒
30纳秒
35纳秒
30纳秒
35纳秒
周期时间（min 。 ）
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
包
300万16引脚DIP
300万二十〇分之二十六针SOJ
400万20针ZIP
2/16
FEDS51V4221C-03
半导体
1
MSM51V4221C
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作被完成
骑自行车SWCK ，并保持写地址指针复位操作或RSTW后，我们高。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少130活性的写周期，即SWCK周期
而WE为高电平。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时是存储在串行数据
附着到DRAM阵列的寄存器，最后SWCK循环之后需要一个RSTW操作。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器为零。 RSTW
建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写复位功能是完全
RSTW的高电平后由SWCK上升沿控制， WE的状态，在写入复位被忽略
周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个SWCK
周期。
数据输入：D
IN
0至3
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写地址指针。
数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平禁止
输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低），我们启用时间（高）
的限制，因为MSM51V4221C是完全静态的操作，只要电源打开。请注意，我们设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
5/16
FEDS51V4221C-03
1
半导体
MSM51V4221C
262,263-Word
×
4位字段存储
这个版本： 2000年10月
上一版本： 2000年2月
概述
在OKI MSM51V4221C是一款高性能的1兆位， 256K
×
4位，场存储器。它是专为高
高速串行连接应用，如高清电视，传统的NTSC电视机，录像机，数字电影和多媒体
系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品电视机和录像机，专。该
MSM51V4221C并非设计用于医疗系统，专业显卡的其他用途或高端应用
这需要长期图象系统和数据存储系统和其他。在1兆位的容量适合的一个场
现有的NTSC电视屏幕。
每4位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制时钟
支持异步读取和写入操作。此外，还支持不同的时钟速率，允许备用数据
与写之间的速度读取数据流。
该MSM51V4221C提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：它
自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列存取操作，
使得串行读和/或写控制时钟，只要电源是被暂停的高电平或低电平的持续时间的任何
上。内存访问和刷新操作内部冲突都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM51V4221B的功能是简单的，并且类似的延迟的比特长度很容易地设置一数字延迟设备
通过复位时序。写入和读出，是通过从外部确定之间的延迟长度的读延迟时钟数
控制写入和读取复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
×
4位实现高速的第一比特
进入无时钟延迟只是写或读复位时序之后。
该MSM51V4221C是在操作和功能，以冲电气2兆位场存储器MSM51V8221A相似。
1/16
FEDS51V4221C-03
半导体
1
MSM51V4221C
特点
单电源供电： 3.3 V
±
0.3 V
512行
×
512列
×
4位
快速的FIFO （先入先出）操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
30纳秒/ 40纳秒
存取时间
30纳秒/ 35纳秒
与OKI MSM51V8221A功能的兼容性
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
16引脚300密耳的塑料DIP
(DIP16-P-300-2.54)
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/20-P-300-1.27)
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM51V4221C - xxRA ）
（产品： MSM51V4221C - xxJA ）
（产品： MSM51V4221C - xxRD ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM51V4221C-30RA
MSM51V4221C-40RA
MSM51V4221C-30JA
MSM51V4221C-40JA
MSM51V4221C-30RD
MSM51V4221C-40RD
访问时间（最大值）。
30纳秒
35纳秒
30纳秒
35纳秒
30纳秒
35纳秒
周期时间（min 。 ）
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
30纳秒
40纳秒
包
300万16引脚DIP
300万二十〇分之二十六针SOJ
400万20针ZIP
2/16
FEDS51V4221C-03
半导体
1
MSM51V4221C
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作被完成
骑自行车SWCK ，并保持写地址指针复位操作或RSTW后，我们高。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少130活性的写周期，即SWCK周期
而WE为高电平。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时是存储在串行数据
附着到DRAM阵列的寄存器，最后SWCK循环之后需要一个RSTW操作。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器为零。 RSTW
建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写复位功能是完全
RSTW的高电平后由SWCK上升沿控制， WE的状态，在写入复位被忽略
周期。
前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个SWCK
周期。
数据输入：D
IN
0至3
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写地址指针。
数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
参照的SWCK的上升沿。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平禁止
输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低），我们启用时间（高）
的限制，因为MSM51V4221C是完全静态的操作，只要电源打开。请注意，我们设置
和保持时间是参照SWCK的上升沿。
5/16
QQ：2881677436 复制
