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OKI半导体
MSM51V16165F
描述
FEDD51V16165F-03
发行日期: 2002年8月16日
1,048,576-Word
×
16位动态RAM :与EDO快页模式类型
该MSM51V16165F是1,048,576字
×
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM51V16165F实现高集成,高速运行,并
低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层
多晶硅/双层金属CMOS工艺。该MSM51V16165F可在四十四分之五十引脚塑料
TSOP 。
特点
· 1,048,576字
×
16位配置
·
3.3V单电源供电,
±0.3V
公差
·
输入: LVTTL兼容,低输入电容
·
输出: LVTTL兼容,三态
·
刷新: 4096次/ 64ms的
·
快页模式与EDO ,读 - 修改 - 写功能
·
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
四十四分之五十〇引脚400mil TSOP塑料
(
TSOPII50/44-P-400-0.80-K
)
(产品: MSM51V16165F - xxTS -K )
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间(最大值)。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
(分)
84ns
104ns
124ns
功耗
操作
( MAX 。 )
270mW
252mW
234mW
待机
( MAX 。 )
1.8mW
MSM51V16165F
1/16
FEDD51V16165F-03
1
半导体
MSM51V16165F
引脚配置(顶视图)
V
C
1
DQ1
2
DQ2
3
DQ3 4
DQ4 5
V
C
6
DQ5 7
DQ6 8
DQ7 9
DQ8
10
NC
11
50
V
S
49
DQ16
48
DQ15
47
DQ14
46
DQ13
45
V
S
44
DQ12
43
DQ11
42
DQ10
41
DQ9
40
NC
NC
15
NC
16
WE
17
RAS
18
A11R
19
A10R
20
A0
21
A1
22
A2
23
A3
24
V
C
25
36
NC
35
LCAS
34
UCAS
33
OE
32
A9R
31
A8R
30
A7
29
A6
28
A5
27
A4
26
V
S
四十四分之五十〇引脚塑料TSOP
(K型)
引脚名称
A0 - A7 , A8R - A11R
RAS
LCAS
UCAS
DQ1–DQ16
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
低字节列地址选通
高字节列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源( 3.3V )
地( 0V )
无连接
注意:相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地电压电平必须的
被提供给每一个V
SS
引脚。
2/16
FEDD51V16165F-03
1
半导体
MSM51V16165F
框图
WE
RAS
LCAS
UCAS
COLUMN
地址
缓冲器
国内
地址
计数器
定时
发电机
I / O
调节器
I / O
调节器
8
8
列解码器
8
产量
缓冲器
8
DQ1-DQ8
8
I / O
选择器
输入
缓冲器
8
OE
A0-A7
刷新
控制时钟
感测放大器
16
16
输入
缓冲器
8
12
A8R-A11R
4
ROW
地址
缓冲器
12
ROW
Deco-
德尔斯
DRIVERS
内存
细胞
8
8
DQ9-DQ16
产量
缓冲器
8
V
CC
芯片
V
BB
发电机
芯片
IV
CC
发电机
V
SS
功能表
输入引脚
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
LCAS
*
H
L
H
L
L
H
L
L
UCAS
*
H
H
L
L
H
L
L
L
WE
*
*
H
H
H
L
L
L
H
OE
*
*
L
L
L
H
H
H
H
DQ引脚
功能模式
DQ1-DQ8
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
不在乎
D
IN
高-Z
DQ9-DQ16
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
不在乎
D
IN
D
IN
高-Z
待机
刷新
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
*: “H”或“L”的
3/16
FEDD51V16165F-03
1
半导体
MSM51V16165F
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
价值
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到4.6
50
1
0到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
值(TA = 0 70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
3.0
0
2.0
0.3
*2
典型值。
3.3
0
马克斯。
3.6
0
V
CC
+ 0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
注:* 1 。在输入电压为V
CC
+ 1.0V时的脉冲宽度小于20ns的(脉冲宽度是相对于
到的点V
CC
应用) 。
* 2 。在输入电压为V
SS
1.0V时的脉冲宽度小于20ns的少(脉冲宽度相对于所述
点上V
SS
应用) 。
引脚电容
(VCC = 3.3V
±
0.3V ,TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容( A0 - A7 , A8R - A11R )
输入电容
( RAS ,
LCAS , UCAS , WE, OE )
输出电容( DQ1 - DQ16 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
分钟。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/16
FEDD51V16165F-03
1
半导体
MSM51V16165F
DC特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V ,TA = 0 70 ° C)
MSM51V16165 MSM51V16165 MSM51V16165
F-50
F-60
F-70
单位注
分钟。
输出高电压
输出低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
平均功率
电源电流
(操作)
电源
当前
(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
当前
(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
V
OH
V
OL
I
OH
=
2.0mA
I
OL
= 2毫安
0V
V
I
V
CC
+0.3V;
I
LI
所有其它引脚不
根据测试= 0V
DQ关闭
0V
V
O
V
CC
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
I
CC2
RAS , CAS
V
CC
0.2V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
RAS
=骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
HPC
=最小值。
75
70
65
mA
1,3
5
5
5
mA
1
75
70
65
mA
1,2
10
10
10
10
10
10
A
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
参数
符号
条件
I
LO
10
10
10
10
10
10
A
I
CC1
75
70
65
mA
1,2
2
0.5
2
0.5
2
mA
0.5
1
I
CC6
75
70
65
mA
1,2
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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