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E2L0066-18-Z2

半导体

MSM518221A

262,214-Word

8位字段存储

这个版本： 1998年12月

MSM518221A

描述

在OKI MSM518221A是一款高性能的2 - Mbit的， 256K

8位，场存储器。它被设计

为高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数码

电影和多媒体系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品

电视和录像机，专。该MSM518221A不能用于其他用途或高端应用

在医疗系统，这需要长期图片专业图形系统和数据

存储系统及其他。在2兆位容量适合现有的NTSC电视屏幕中的一个字段。

每个8位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立控制

时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也都支持，

这让写之间交替的数据传输速率和读取数据流。

该MSM518221A提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接耳目一新：

它会自动刷新的DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的用户。

此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列

访问操作，从而使串行读和/或写控制时钟可停止高电平或低电平的任何

期间，只要电源打开。内存访问和刷新操作内部冲突

通过特殊的仲裁逻辑被阻止。

该MSM518221A的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟的比特长度

很容易被复位时序设定。延迟长度和写入之间读取延迟时钟数

读，是由外部控制决定写和读的复位时序。

附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器

8位实现高速

刚过写或读复位时序第位访问无时钟延迟。

该MSM518221A是在操作和功能，以冲电气1兆位场存储器类似

MSM514221B 。它有一个写屏蔽功能或使能输入功能（ IE浏览器），并读取数据跳绳

功能或输出使能功能（ OE ）。写之间的差异使能（WE ）和输入

使能（ IE ），并读之间的使能（ RE）和输出使能（ OE ）是WE和RE可以停止

串行读/写地址的增量，但IE和OE不能停止的增加，当写/

读时钟被连续地施加到MSM518221A 。输入使能（IE）的功能可

用户写入只在存储器中的选定位置，使存储器的其余部分

内容不变。这有利于数据处理到电视机上显示picture"一个"picture

屏幕。

1/16

半导体

MSM518221A

特点

单电源供电： 5 V

±10%

512行

512列

8位

快速FIFO （先入先出）的操作

高速异步串行访问

读/写周期时间

25纳秒/ 30纳秒/ 40纳秒

存取时间

25纳秒/ 25纳秒/ 30纳秒

与OKI MSM514221B功能的兼容性

写屏蔽功能（输入使能控制）

数据跳过功能（输出使能控制）

自刷新（无需刷新控制）

封装选项：

28引脚400密耳的塑料ZIP

(ZIP28-P-400-1.27)

28引脚400密耳的塑料SOJ

(SOJ28-P-400-1.27)

28引脚430密耳的塑料SOP

(SOP28-P-430-1.27-K)

（产品： MSM518221A - xxZS ）

（产品： MSM518221A - xxJS ）

（产品： MSM518221A - xxGS -K ）

xx表示速度等级。

产品系列

家庭

MSM518221A-25ZS

MSM518221A-30ZS

MSM518221A-40ZS

MSM518221A-25JS

MSM518221A-30JS

MSM518221A-40JS

MSM518221A-30GS-K

MSM518221A-40GS-K

访问时间（最大值）。

25纳秒

30纳秒

25纳秒

30纳秒

25纳秒

30纳秒

周期时间（min 。）

25纳秒

30纳秒

40纳秒

25纳秒

30纳秒

40纳秒

30纳秒

40纳秒

430万28引脚SOP

400万28引脚SOJ

400万28引脚ZIP

包

2/16

半导体

引脚配置（顶视图）

10 D

12 RSTW

14 NC

16 RE

18 D

OUT

20 D

OUT

22 V

24 D

OUT

26 D

OUT

28 SRCK

7 11

SWCK 13

NC 15

OE 17

OUT

6 19

OUT

4 21

OUT

3 23

OUT

1 25

RSTR 27

4 1

5 2

6 3

7 4

28 V

4 1

5 2

6 3

7 4

27 D

26 D

25 D

24 D

IE 23

22我们

21 NC

RSTW 5

NC 7

RE 8

OE 9

RSTW 5

SWCK 6

NC 7

RE 8

OE 9

20 SRCK

19 RSTR

OUT

7 10

OUT

6 11

OUT

5 12

OUT

4 13

OUT

7 10

OUT

6 11

OUT

5 12

OUT

4 13

18 D

OUT

17 D

OUT

16 D

OUT

15 D

OUT

28引脚塑料SOJ

MSM518221A

28 V

27 D

26 D

25 D

24 D

IE 23

22我们

21 NC

20 SRCK

19 RSTR

18 D

OUT

17 D

OUT

16 D

OUT

15 D

OUT

28引脚塑料SOP

28引脚塑料ZIP

引脚名称

SWCK

SRCK

RSTW

RSTR

0 - 7

OUT

0 - 7

功能

串行写时钟

串行读时钟

写使能

读使能

输入使能

OUTPUT ENABLE

写复位时钟

阅读复位时钟

数据输入

数据输出

供电（ 5 V ）

接地（ 0 V ）

无连接

3/16

OUT

( 8)

RSTR

SRCK

半导体

框图

数据输出

缓冲液（ 8）

串行

读

调节器

512字的串行读寄存器（ 8）

读行缓冲区

低一半（ 8）

256 ( 8)

71-Word

分注册（ 8）

256K ( 8)

内存

ARRAY

71-Word

分注册（ 8）

256 ( 8)

写行缓冲区

低一半（ 8）

256 ( 8)

写行缓冲区

高半（ 8）

时钟

振荡器

解码器

读/写

和刷新

调节器

读行缓冲区

高半（ 8）

256 ( 8)

512字的串行写入寄存器（ 8）

发电机

MSM518221A

数据在

缓冲液（ 8）

串行

写

调节器

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( 8)

RSTW

SWCK

半导体

MSM518221A

手术

写操作

的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作

通过循环SWCK ，和写地址指针复位操作之后保持WE高完成

或RSTW 。

每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少80活性的写周期，即

SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时

被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作

在最后SWCK周期。

写复位： RSTW

SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器

零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写入复位

功能由SWCK上升沿仅控制RSTW的高电平后，我们的状态

和IE忽略在写复位周期。

前RSTW可以高再次为另一复位操作带来的，它必须是低的，至少有两个

SWCK周期。

数据输入：D

0 - 7

写时钟： SWCK

该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写

地址指针。数据在设定时间t

和保持时间t

参照的SWCK的上升沿。

写使能： WE

WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低电平

禁止输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁止时间（低）

和WE启用时间（高）的限制，因为MSM518221A是完全静态的操作，只要

作为电源。请注意，我们建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。

输入使能： IE浏览器

IE是用于使能/禁止写入到存储器中。 IE高级使得写作。内部写

地址指针总是通过循环SWCK不管IE级的递增。需要注意的是IE浏览器的设置

和保持时间是参照SWCK的上升沿。

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