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E2G0023-17-41
半导体
MSM514400D/DL
半导体
这个版本: 1998年1月
MSM514400D/DL
上一版本: 1997年5月
1,048,576-Word
4位动态RAM :快速页面模式类型
描述
该MSM514400D / DL是一个1,048,576字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM514400D / DL实现高集成,高速运行,并
低功率消耗,因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
单层金属CMOS工艺。该MSM514400D / DL是26 /20- pin塑料SOJ可用, 20-
引脚塑料ZIP ,或26 /20- pin塑料TSOP 。该MSM514400DL (低功率版)是专
设计用于低功率应用。
特点
· 1,048,576字
4位配置
5 V单电源供电,
±10%
公差
=输入
: TTL兼容,低输入电容
输出: TTL兼容,三态
刷新: 1024次/ 16毫秒, 1024次/ 128毫秒( L-版)
快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项:
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ
(SOJ26/20-P-300-1.27)
(产品: MSM514400D / DL- xxSJ )
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
(产品: MSM514400D / DL- xxZS )
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料TSOP
( TSOPII26 / 20 -P- 300-1.27 -K)个(产品: MSM514400D / DL- xxTS -K)个
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514400D/DL-50
MSM514400D/DL-60
MSM514400D/DL-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
90纳秒
110纳秒
130纳秒
550毫瓦
495毫瓦
440毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦( L-版)
1/17
半导体
MSM514400D/DL
 

引脚配置(顶视图)
DQ1 1
26 V
SS
OE
1
DQ2 2
25 DQ4
23
CAS
22
OE
18 A8
17 A7
16 A6
15 A5
14 A4
DQ3 3
V
SS
5
2
CAS
DQ1 1
WE
3
WE
3
A9 5
A0 9
24 DQ3
4 DQ4
6 DQ1
8
WE
DQ2 2
RAS
4
DQ2 7
RAS
4
A9 5
A0 9
RAS
9
A0 11
A2 13
A5 17
A7 19
10 A9
12 A1
14 A3
16 A4
18 A6
20 A8
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
15
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
V
CC
13
二十零分之二十六引脚塑料SOJ
20引脚塑封ZIP
二十零分之二十六引脚塑料TSOP
(K型)
引脚名称
A0 - A9
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
供电( 5 V )
接地( 0 V )
26 V
SS
25 DQ4
24 DQ3
23
CAS
22
OE
18 A8
17 A7
16 A6
15 A5
14 A4
2/17
半导体
MSM514400D/DL
框图
RAS
CAS
定时
发电机
定时
发电机
10
COLUMN
地址
缓冲器
国内
地址
计数器
10
COLUMN
解码器
时钟
发电机
WE
OE
4
产量
缓冲器
输入
缓冲器
4
4
A0 - A9
刷新
控制时钟
SENSE
放大器器
4
I / O
选择器
4
4
4
DQ1 - DQ4
10
ROW
地址
缓冲器
10
ROW
DE-
编码器
DRIVERS
内存
细胞
V
CC
芯片
V
BB
发电机
V
SS
3/17
半导体
MSM514400D/DL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
(大= 0 ° C至70 ° C)
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容( A0 - A9 )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
马克斯。
6
7
7
单位
pF
pF
pF
4/17
半导体
DC特性
MSM514400D/DL
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
条件
MSM514400 MSM514400 MSM514400
D/DL-50
D/DL-60
D/DL-70
单位注
分钟。
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
2.4
0
–10
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
I
CC2
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
PC
=最小值。
t
RC
= 125
女士,
I
CC10
CAS
RAS ,
t
RAS
1
ms
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
平均功率
电源电流
(备用电池)
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
100
2
1
200
100
90
2
1
200
90
80
2
1
200
80
毫安1,2
mA
mA
1
1, 5
毫安1,2
5
5
5
mA
1
100
90
80
毫安1,2
80
70
60
毫安1,3
300
300
300
mA
1, 4,
5
注: 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
6.5 V, –1.0 V
V
IL
0.2 V.
L-版本。
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