PEDD514265ESL-01
这个版本： 2001年1月
半导体
MSM514265E/ESL
262,144字×16位动态RAM ：快速页模式输入与EDO
初步
描述
该MSM514265E / ESL是262,144字
×
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514265E ESL /实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS
流程。该MSM514265E / ESL是一个40引脚塑料SOJ或40分之44引脚塑料TSOP可用。该
MSM514265ESL （自刷新版）是专为低功耗应用。
特点
262,144-word
×
16位配置
单5V电源供电，
±10%
公差
输入
产量
刷新
： TTL兼容，低输入电容
： TTL兼容，三态
： 512次/ 8毫秒， 512次/ 128毫秒（ SL版本）
快页模式与EDO ，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
封装选项：
40引脚400mil塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM514265E / ESL- xxJS ）
xx表示速度等级。
40分之44引脚400mil塑料TSOP （ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM514265E / ESL - xxTS -K ）
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
MSM514265E/ESL
t
RAC
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
周期
（分）
104ns
124ns
功耗
操作（最大）
633mW
578mW
待机（最大）
5.5mW/
1.1MW （ SL版）
PEDD514265ESL-01
MSM514265E/ESL
PIN CONFIGRATION （ TOP VIEW ）
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
V
CC
6
DQ5 7
DQ6 8
DQ7 9
DQ8 10
NC 11
NC 12
WE 13
RAS 14
NC 15
A0 16
A1 17
A2 18
A3 19
V
CC
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
V
CC
6
DQ5 7
DQ6 8
DQ7 9
DQ8 10
NC 13
NC 14
WE 15
RAS 16
NC 17
A0 18
A1 19
A2 20
A3 21
V
CC
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
40引脚塑料SOJ
40分之44引脚塑料TSOP
（K型）
引脚名称
A0
A8
RAS
LCAS
UCAS
DQ1–DQ16
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
低字节列地址选通
高字节列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
地（ 0V ）
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销，并在同一
接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
PEDD514265ESL-01
MSM514265E/ESL
电气特性
绝对最大额定值
参数
电压
on
任何引脚相对于V
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
等级
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
7.0
50
1
0到70
55
150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
分钟。
4.5
0
2.4
0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
V
CC
+
0.5
*1
0.8
注意事项：
* 1 。在输入电压为V
CC
+
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的（脉冲宽度是与
相对于在该点V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的少（脉冲宽度相对于
在该点V
SS
应用） 。
电容
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ， TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 - A8 ）
输入电容
（ RAS ，
LCAS ， UCAS ， WE， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
C
IN1
C
IN2
C
I / O
PEDD514265ESL-01
这个版本： 2001年1月
半导体
MSM514265E/ESL
262,144字×16位动态RAM ：快速页模式输入与EDO
初步
描述
该MSM514265E / ESL是262,144字
×
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM514265E ESL /实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS
流程。该MSM514265E / ESL是一个40引脚塑料SOJ或40分之44引脚塑料TSOP可用。该
MSM514265ESL （自刷新版）是专为低功耗应用。
特点
262,144-word
×
16位配置
单5V电源供电，
±10%
公差
输入
产量
刷新
： TTL兼容，低输入电容
： TTL兼容，三态
： 512次/ 8毫秒， 512次/ 128毫秒（ SL版本）
快页模式与EDO ，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
封装选项：
40引脚400mil塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM514265E / ESL- xxJS ）
xx表示速度等级。
40分之44引脚400mil塑料TSOP （ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM514265E / ESL - xxTS -K ）
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
MSM514265E/ESL
t
RAC
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
周期
（分）
104ns
124ns
功耗
操作（最大）
633mW
578mW
待机（最大）
5.5mW/
1.1MW （ SL版）
PEDD514265ESL-01
MSM514265E/ESL
PIN CONFIGRATION （ TOP VIEW ）
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
V
CC
6
DQ5 7
DQ6 8
DQ7 9
DQ8 10
NC 11
NC 12
WE 13
RAS 14
NC 15
A0 16
A1 17
A2 18
A3 19
V
CC
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
V
CC
6
DQ5 7
DQ6 8
DQ7 9
DQ8 10
NC 13
NC 14
WE 15
RAS 16
NC 17
A0 18
A1 19
A2 20
A3 21
V
CC
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
SS
DQ16
DQ15
DQ14
DQ13
V
SS
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
NC
LCAS
UCAS
OE
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
40引脚塑料SOJ
40分之44引脚塑料TSOP
（K型）
引脚名称
A0
A8
RAS
LCAS
UCAS
DQ1–DQ16
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
低字节列地址选通
高字节列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
地（ 0V ）
无连接
注意：相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销，并在同一
接地电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
PEDD514265ESL-01
MSM514265E/ESL
电气特性
绝对最大额定值
参数
电压
on
任何引脚相对于V
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
等级
0.5
到V
CC
+
0.5
0.5
7.0
50
1
0到70
55
150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
分钟。
4.5
0
2.4
0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
V
CC
+
0.5
*1
0.8
注意事项：
* 1 。在输入电压为V
CC
+
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的（脉冲宽度是与
相对于在该点V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的少（脉冲宽度相对于
在该点V
SS
应用） 。
电容
(V
CC
= 5V
±
10 ％ ， TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 - A8 ）
输入电容
（ RAS ，
LCAS ， UCAS ， WE， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
C
IN1
C
IN2
C
I / O
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