E2L0029-17-Y1
半导体
MSM514221B
半导体
262,263-Word
4位字段存储
这个版本： 1998年1月
MSM514221B
上一版本： 1996年12月
DESCRIRTION
在OKI MSM514221B是一款高性能的1兆位， 256K
4位，场存储器。它被设计
为高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数码
电影和多媒体系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品
电视和录像机，专。该MSM514221B不能用于其他用途或高端应用
在医疗系统，这需要长期图片专业图形系统和数据
存储系统及其他。在1兆位的容量适合现有的NTSC电视屏幕中的一个字段。
每4位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立
控制时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也
支持，允许写之间交替的数据传输速率和读取数据流。
该MSM514221B提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接
清爽的：它会自动刷新其DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的
用户使用。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列
访问操作，从而使串行读和/或写控制时钟可被停止的高电平或低电平
任何时间，只要电源打开。内存访问和清凉内部冲突
操作都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM514221B的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟，比特
长度很容易被复位时序设定。延时长度的写读之间的延迟时钟，数字
读，是由外部控制决定写和读的复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
4位使能高
加速刚写后第一位访问无时钟延迟或读复位时序。
该MSM514221B是在操作和功能，以冲电气2兆位场存储器类似
MSM518221.
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半导体
MSM514221B
特点
单电源供电： 5 V
±10%
512行
512列
4位
快速FIFO （先入先出）的操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
30纳秒/ 40纳秒/ 60纳秒
存取时间
25纳秒/ 30纳秒/ 50纳秒
与OKI MSM518221功能的兼容性
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
16引脚300密耳的塑料DIP
(DIP16-P-300-2.54-W1)
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ）
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM514221B - xxRS ）
（产品： MSM514221B - xxJS ）
（产品： MSM514221B - xxZS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514221B-30RS
MSM514221B-40RS
MSM514221B-60RS
MSM514221B-30JS
MSM514221B-40JS
MSM514221B-60JS
MSM514221B-30ZS
MSM514221B-40ZS
MSM514221B-60ZS
访问时间（最大值）。
25纳秒
30纳秒
50纳秒
25纳秒
30纳秒
50纳秒
25纳秒
30纳秒
50纳秒
周期时间（min 。 ）
30纳秒
40纳秒
60纳秒
30纳秒
40纳秒
60纳秒
30纳秒
40纳秒
60纳秒
400万20针ZIP
300万二十〇分之二十六针SOJ
300万16引脚DIP
包
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半导体
MSM514221B
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位后保持WE高完成
操作或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少130活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
到零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写
复位功能仅由SWCK上升沿RSTW ，该状态的高电平后控制
我们是忽略了写复位周期。
前RSTW可再高再复位操作带来的，它必须是低电平至少
2 SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 3
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
被引用到的上升沿
SWCK 。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低
级别禁用输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁用
时间（低），我们让时间（高）的限制，因为MSM514221B是完全静态的
操作只要电源打开。请注意，我们建立和保持时间是参照
上升SWCK的边缘。
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MSM514221B
半导体
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4位字段存储
这个版本： 1998年1月
MSM514221B
上一版本： 1996年12月
DESCRIRTION
在OKI MSM514221B是一款高性能的1兆位， 256K
4位，场存储器。它被设计
为高速串行访问的应用，如高清晰度电视，现有的NTSC电视，录像机，数码
电影和多媒体系统。这是一个FRAM宽或低端用作一般商品
电视和录像机，专。该MSM514221B不能用于其他用途或高端应用
在医疗系统，这需要长期图片专业图形系统和数据
存储系统及其他。在1兆位的容量适合现有的NTSC电视屏幕中的一个字段。
每4位平面的具有单独的序列写入和读出端口。这些采用独立
控制时钟，支持异步读取和写入操作。不同的时钟速率也
支持，允许写之间交替的数据传输速率和读取数据流。
该MSM514221B提供高速FIFO ，先入先出，不需要外接
清爽的：它会自动刷新其DRAM存储单元，所以它看起来完全静态的
用户使用。
此外，全静态类型的存储单元和解码器的串行访问启用刷新免序列
访问操作，从而使串行读和/或写控制时钟可被停止的高电平或低电平
任何时间，只要电源打开。内存访问和清凉内部冲突
操作都是由专门的仲裁逻辑阻止。
该MSM514221B的功能是简单的，并且类似的数字延迟器的延迟，比特
长度很容易被复位时序设定。延时长度的写读之间的延迟时钟，数字
读，是由外部控制决定写和读的复位时序。
附加的SRAM串行寄存器，或为256的初始接入时行缓冲器
4位使能高
加速刚写后第一位访问无时钟延迟或读复位时序。
该MSM514221B是在操作和功能，以冲电气2兆位场存储器类似
MSM518221.
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半导体
MSM514221B
特点
单电源供电： 5 V
±10%
512行
512列
4位
快速FIFO （先入先出）的操作
高速异步串行访问
读/写周期时间
30纳秒/ 40纳秒/ 60纳秒
存取时间
25纳秒/ 30纳秒/ 50纳秒
与OKI MSM518221功能的兼容性
自刷新（无需刷新控制）
封装选项：
16引脚300密耳的塑料DIP
(DIP16-P-300-2.54-W1)
二十零分之二十六引脚300密耳的塑料SOJ （ SOJ26 / 20 -P - 300-1.27 ）
20引脚400密耳的塑料ZIP
(ZIP20-P-400-1.27)
（产品： MSM514221B - xxRS ）
（产品： MSM514221B - xxJS ）
（产品： MSM514221B - xxZS ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM514221B-30RS
MSM514221B-40RS
MSM514221B-60RS
MSM514221B-30JS
MSM514221B-40JS
MSM514221B-60JS
MSM514221B-30ZS
MSM514221B-40ZS
MSM514221B-60ZS
访问时间（最大值）。
25纳秒
30纳秒
50纳秒
25纳秒
30纳秒
50纳秒
25纳秒
30纳秒
50纳秒
周期时间（min 。 ）
30纳秒
40纳秒
60纳秒
30纳秒
40纳秒
60纳秒
30纳秒
40纳秒
60纳秒
400万20针ZIP
300万二十〇分之二十六针SOJ
300万16引脚DIP
包
2/15
半导体
MSM514221B
手术
写操作
的写操作是由三个时钟， SWCK ， RSTW和WE控制。写操作
通过循环SWCK ，和写地址指针复位后保持WE高完成
操作或RSTW 。
每次写操作，开始RSTW之后，必须包含至少130活性的写周期，即
SWCK周期的，而我们高。到的最后的数据传送到DRAM阵列，这在当时
被存储在附连到DRAM阵列中的串行数据寄存器，需要一个RSTW操作
在最后SWCK周期。
写复位： RSTW
SWCK的RSTW后的第一个正跳变为高电平复位写地址计数器
到零。 RSTW建立和保持时间是参照SWCK的上升沿。因为写
复位功能仅由SWCK上升沿RSTW ，该状态的高电平后控制
我们是忽略了写复位周期。
前RSTW可再高再复位操作带来的，它必须是低电平至少
2 SWCK周期。
数据输入：D
IN
0 - 3
写时钟： SWCK
该SWCK锁存输入数据上的芯片时WE为高电平，并且也递增内部写
地址指针。数据在设定时间t
DS
和保持时间t
DH
被引用到的上升沿
SWCK 。
写使能： WE
WE被用于数据的写使能/禁止控制。 WE高电平使能输入端，和WE低
级别禁用输入并保持内部写地址指针。有没有我们禁用
时间（低），我们让时间（高）的限制，因为MSM514221B是完全静态的
操作只要电源打开。请注意，我们建立和保持时间是参照
上升SWCK的边缘。
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