半导体
MSM5117800D
2,097,152-Word
8位动态RAM ：快速页面模式类型
这个版本： Apr.1999
描述
该MSM5117800D是2,097,152字
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5117800D实现高集成，高速运行和低功耗
因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS工艺。该
MSM5117800D可在一个28引脚塑料SOJ ， 28引脚塑料TSOP 。
特点
·
·
·
·
·
·
2,097,152-word
8位配置
单5V电源供电，
±10%
公差
输入
产量
刷新
： TTL兼容，低输入电容
： TTL兼容，三态
： 2048次/ 32毫秒
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
·
·
·
CAS RAS刷新之前，隐藏刷新， RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项：
28引脚400mil塑料SOJ
28引脚400mil TSOP塑料
(SOJ28-P-400-1.27)
(TSOPII28-P-400-1.27-K)
(TSOPII28-P-400-1.27-L)
（产品： MSM5117800D - xxJS ）
（产品： MSM5117800D - xxTS -K ）
（产品： MSM5117800D - xxTS -L）的
XX ：表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5117800D-50
MSM5117800D-60
MSM5117800D-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
90ns
110ns
130ns
功耗
操作（最大）
550mW
495mW
440mW
5.5mW
待机（最大）
1/14
MSM5117800D
PIN CONFIGRATION （ TOP VIEW ）
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
WE 6
RAS 7
NC 8
A10R 9
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
V
CC
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
WE 6
RAS 7
NC 8
A10R 9
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
V
CC
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WE
RAS
NC
A10R
A0
A1
A2
A3
V
CC
28引脚塑料SOJ
28引脚塑料TSOP
（K型）
28引脚塑料TSOP
（L型）
引脚名称
A0 -A9 ， A10R
RAS
CAS
DQ1–DQ8
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
地（ 0V ）
无连接
2/14
MSM5117800D
电气特性
绝对最大额定值
参数
电压
on
任何引脚相对于V
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
* ： TA = 25 ℃，
等级
-0.5
到V
CC
+
0.5
为0.5 7.0
50
1
0到70
-55
150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
分钟。
4.5
0
2.4
-0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
V
CC
+
0.5
*1
0.8
注意事项：
* 1 。在输入电压为V
CC
+
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的（脉冲宽度是与
相对于在该点V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
-
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的少（脉冲宽度相对于
在该点V
SS
应用） 。
电容
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 - A9 ， A10R ）
输入电容
（ RAS ， CAS ， WE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ8 ）
符号
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
C
IN1
C
IN2
C
I / O
4/14
MSM5117800D
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
MSM5117800 MSM5117800 MSM5117800
D-50
D-60
D-70
单位
分钟。
输出高电压
输出低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
平均功率
电源电流
（操作）
电源
当前
（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
当前
（待机）
平均功率
电源电流
（ CAS RAS前
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
V
OH
V
OL
I
OH
=
-5.0mA
I
OL
= 4.2毫安
0V
V
I
6.5V ;
I
LI
所有其它引脚不
根据测试= 0V
DQ关闭
0V
V
O
V
CC
RAS ， CAS骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS = V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
V
CC
– 0.2V
RAS骑自行车，
I
CC3
CAS = V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS = V
IH
,
I
CC5
CAS = V
IL
,
DQ =启用
RAS =骑自行车，
CAS前RAS
RAS = V
IL
,
I
CC7
CAS骑自行车，
t
PC
=最小值。
80
70
60
mA
1,3
5
5
5
mA
1
100
90
80
mA
1,2
-10
10
-10
10
-10
10
mA
2.4
0
最大
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
最大
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
最大
V
CC
0.4
V
V
参数
符号
条件
记
I
LO
-10
10
-10
10
-10
10
mA
I
CC1
100
90
80
mA
1,2
2
1
2
1
2
1
mA
1
I
CC6
100
90
80
mA
1,2
注：1 。
2.
3.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
该地址可以一次或更少的改变，而CAS = V
IH
.
5/14
半导体
MSM5117800D
2,097,152-Word
8位动态RAM ：快速页面模式类型
这个版本： Apr.1999
描述
该MSM5117800D是2,097,152字
8位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5117800D实现高集成，高速运行和低功耗
因为冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属CMOS工艺。该
MSM5117800D可在一个28引脚塑料SOJ ， 28引脚塑料TSOP 。
特点
·
·
·
·
·
·
2,097,152-word
8位配置
单5V电源供电，
±10%
公差
输入
产量
刷新
： TTL兼容，低输入电容
： TTL兼容，三态
： 2048次/ 32毫秒
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
·
·
·
CAS RAS刷新之前，隐藏刷新， RAS只刷新功能
多比特测试模式能力
封装选项：
28引脚400mil塑料SOJ
28引脚400mil TSOP塑料
(SOJ28-P-400-1.27)
(TSOPII28-P-400-1.27-K)
(TSOPII28-P-400-1.27-L)
（产品： MSM5117800D - xxJS ）
（产品： MSM5117800D - xxTS -K ）
（产品： MSM5117800D - xxTS -L）的
XX ：表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5117800D-50
MSM5117800D-60
MSM5117800D-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
90ns
110ns
130ns
功耗
操作（最大）
550mW
495mW
440mW
5.5mW
待机（最大）
1/14
MSM5117800D
PIN CONFIGRATION （ TOP VIEW ）
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
WE 6
RAS 7
NC 8
A10R 9
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
V
CC
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
DQ3 4
DQ4 5
WE 6
RAS 7
NC 8
A10R 9
A0 10
A1 11
A2 12
A3 13
V
CC
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WE
RAS
NC
A10R
A0
A1
A2
A3
V
CC
28引脚塑料SOJ
28引脚塑料TSOP
（K型）
28引脚塑料TSOP
（L型）
引脚名称
A0 -A9 ， A10R
RAS
CAS
DQ1–DQ8
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
电源（5V）
地（ 0V ）
无连接
2/14
MSM5117800D
电气特性
绝对最大额定值
参数
电压
on
任何引脚相对于V
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
* ： TA = 25 ℃，
等级
-0.5
到V
CC
+
0.5
为0.5 7.0
50
1
0到70
-55
150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
分钟。
4.5
0
2.4
-0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
单位
V
V
V
V
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
V
CC
+
0.5
*1
0.8
注意事项：
* 1 。在输入电压为V
CC
+
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的（脉冲宽度是与
相对于在该点V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
-
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的少（脉冲宽度相对于
在该点V
SS
应用） 。
电容
(V
CC
= 5V ±10 ％ ， TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
参数
输入电容（ A0 - A9 ， A10R ）
输入电容
（ RAS ， CAS ， WE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ8 ）
符号
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
C
IN1
C
IN2
C
I / O
4/14
MSM5117800D
DC特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
MSM5117800 MSM5117800 MSM5117800
D-50
D-60
D-70
单位
分钟。
输出高电压
输出低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
平均功率
电源电流
（操作）
电源
当前
（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
当前
（待机）
平均功率
电源电流
（ CAS RAS前
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
V
OH
V
OL
I
OH
=
-5.0mA
I
OL
= 4.2毫安
0V
V
I
6.5V ;
I
LI
所有其它引脚不
根据测试= 0V
DQ关闭
0V
V
O
V
CC
RAS ， CAS骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS = V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
V
CC
– 0.2V
RAS骑自行车，
I
CC3
CAS = V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS = V
IH
,
I
CC5
CAS = V
IL
,
DQ =启用
RAS =骑自行车，
CAS前RAS
RAS = V
IL
,
I
CC7
CAS骑自行车，
t
PC
=最小值。
80
70
60
mA
1,3
5
5
5
mA
1
100
90
80
mA
1,2
-10
10
-10
10
-10
10
mA
2.4
0
最大
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
最大
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
最大
V
CC
0.4
V
V
参数
符号
条件
记
I
LO
-10
10
-10
10
-10
10
mA
I
CC1
100
90
80
mA
1,2
2
1
2
1
2
1
mA
1
I
CC6
100
90
80
mA
1,2
注：1 。
2.
3.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
IL
.
该地址可以一次或更少的改变，而CAS = V
IH
.
5/14
QQ：2881677436 复制
