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半导体
MSM5117400B
半导体
4,194,304-Word
4位动态RAM :快速页面模式类型
MSM5117400B
E2G0035-17-41
描述
该MSM5117400B是4,194,304字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5117400B实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM5117400B是26 / 24-引脚塑料SOJ或26 / 24-引脚塑料可
TSOP 。
特点
· 4,194,304字
4位配置
5 V单电源供电,
±10%
公差
=输入
: TTL兼容,低输入电容
输出: TTL兼容,三态
刷新: 2048次/ 32毫秒
快速页模式下,读 - 修改 - 写功能
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项:
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ ( SOJ26 / 24 -P - 300-1.27 ) (产品: MSM5117400B - xxSJ )
24分之26引脚300密耳的塑料TSOP ( TSOPII26 / 24 -P - 300-1.27 -K ) (产品: MSM5117400B - xxTS -K )
( TSOPII26 / 24 -P- 300-1.27 -L )(产品: MSM5117400B - xxTS -L)的
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5117400B-50
MSM5117400B-60
MSM5117400B-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
90纳秒
110纳秒
130纳秒
660毫瓦
605毫瓦
550毫瓦
5.5毫瓦
16M
215
MSM5117400B
引脚配置(顶视图)
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
WE
4
RAS
5
NC 6
A10 8
A0 9
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
26 V
SS
25 DQ4
24 DQ3
23
CAS
22
OE
21 A9
19 A8
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
14 V
SS
V
CC
1
DQ1 2
DQ2 3
WE
4
RAS
5
NC 6
A10 8
A0 9
A1 10
A2 11
A3 12
V
CC
13
,
26 V
SS
25 DQ4
23
CAS
22
OE
24 DQ3
21 A9
19 A8
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
14 V
SS
功能
地址输入
行地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
供电( 5 V )
接地( 0 V )
无连接
半导体
V
SS
26
1 V
CC
2 DQ1
3 DQ2
4
WE
5
RAS
6 NC
8 A10
9 A0
10 A1
11 A2
12 A3
13 V
CC
DQ4 25
CAS
23
OE
22
A9 21
A8 19
A7 18
A6 17
A5 16
A4 15
V
SS
14
DQ3 24
24分之26引脚塑料SOJ
24分之26引脚塑料TSOP
(K型)
24分之26引脚塑料TSOP
(L型)
引脚名称
A0 - A10
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
NC
列地址选通
注意:
16M
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
216
半导体
MSM5117400B
框图
定时
发电机
定时
发电机
RAS
CAS
11
COLUMN
地址
缓冲器
11
COLUMN
解码器
时钟
发电机
WE
OE
4
A0 - A10
国内
地址
计数器
产量
缓冲器
4
4
刷新
控制时钟
SENSE
放大器器
4
I / O
选择器
4
4
DQ1 - DQ4
输入
缓冲器
4
11
ROW
地址
缓冲器
11
ROW
DE-
编码器
DRIVERS
内存
细胞
V
CC
芯片
V
BB
发电机
芯片
IV
CC
发电机
V
SS
16M
217
MSM5117400B
半导体
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
50
1
0到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
(大= 0 ° C至70 ° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
*1
0.8
单位
V
V
V
V
注:* 1 。在输入电压为V
CC
+ 2.0V,当脉冲宽度小于20纳秒(脉冲宽度
是相对于该点处V
CC
应用) 。
* 2 。在输入电压为V
SS
- 2.0V,当脉冲宽度小于20纳秒(脉冲宽度
是相对于该点处V
SS
应用) 。
电容
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容( A0 - A10 )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
16M
218
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
MSM5117400B
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
符号
MSM5117400 MSM5117400 MSM5117400
B-50
B-60
B-70
单位注
分钟。
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
分钟。
2.4
0
–10
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
2.4
0
–10
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
PC
=最小值。
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
120
2
1
110
2
1
100
2
mA
1, 2
I
CC2
mA
1
1
120
110
100
mA
1, 2
5
5
5
mA
1
120
110
100
mA
1, 2
110
100
90
mA
1, 3
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
16M
219
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSM5117400B
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MSM5117400B
√ 欧美㊣品
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