E2G0015-17-41
半导体
MSM511666C/CL
半导体
这个版本： 1998年1月
MSM511666C/CL
上一版本： 1997年5月
65,536-Word
16位动态RAM ： EDO与快速页面模式类型（字节写入）
描述
该MSM511666C / CL是65536字
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM511666C / CL实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM511666C / CL是一个40引脚塑料SOJ或四十〇分之四十四引脚塑料可
TSOP 。该MSM511666CL （低功率版）是专为低功耗应用。
特点
65536字
16位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 256次/ 4毫秒， 256次/ 32毫秒（ L-版）
字节写操作和快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
封装选项：
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM511666C / CL- xxJS ）
40分之44引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM511666C / CL- xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM511666C/CL-60
MSM511666C/CL-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60纳秒30纳秒20纳秒20纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
120纳秒
550毫瓦
495毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
1/16
半导体
MSM511666C/CL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容（ A0 - A7 ）
输入电容
（ RAS ，
CAS ，西英格兰大学， LWE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
7
7
7
单位
pF
pF
pF
4/16
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
MSM511666
C/CL-60
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.5毫安
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
I
CC6
I
CC1
I
LO
DQ关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
RAS
骑自行车，
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
t
RC
= 125
女士，
I
CC10
CAS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
—
300
—
—
95
—
—
100
—
—
5
—
—
100
—
–10
10
–10
–10
10
–10
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
MSM511666C/CL
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
MSM511666
C/CL-70
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
单位注
符号
10
mA
—
—
—
—
100
2
1
200
—
—
—
—
90
2
1
200
90
毫安1,2
mA
mA
1
1, 5
毫安1,2
5
mA
1
90
毫安1,2
85
毫安1,3
300
mA
1, 4,
5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
6.5 V, –1.0 V
V
IL
0.2 V.
L-版本。
5/16
E2G0015-17-41
半导体
MSM511666C/CL
半导体
这个版本： 1998年1月
MSM511666C/CL
上一版本： 1997年5月
65,536-Word
16位动态RAM ： EDO与快速页面模式类型（字节写入）
描述
该MSM511666C / CL是65536字
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM511666C / CL实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/单层
金属的CMOS工艺。该MSM511666C / CL是一个40引脚塑料SOJ或四十〇分之四十四引脚塑料可
TSOP 。该MSM511666CL （低功率版）是专为低功耗应用。
特点
65536字
16位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 256次/ 4毫秒， 256次/ 32毫秒（ L-版）
字节写操作和快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
封装选项：
40引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ40-P-400-1.27)
（产品： MSM511666C / CL- xxJS ）
40分之44引脚400密耳的塑料TSOP
（ TSOPII44 / 40 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM511666C / CL- xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM511666C/CL-60
MSM511666C/CL-70
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
60纳秒30纳秒20纳秒20纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
110纳秒
120纳秒
550毫瓦
495毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ L-版）
1/16
半导体
MSM511666C/CL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
T
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
50
1
0到70
-55到150
单位
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
（大= 0 ° C至70 ° C）
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容（ A0 - A7 ）
输入电容
（ RAS ，
CAS ，西英格兰大学， LWE ， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
马克斯。
7
7
7
单位
pF
pF
pF
4/16
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
条件
MSM511666
C/CL-60
分钟。
V
OH
I
OH
= -2.5毫安
V
OL
I
OL
= 2.1毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
I
CC6
I
CC1
I
LO
DQ关闭
0 V
V
O
5.5 V
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
RAS
骑自行车，
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
t
RC
= 125
女士，
I
CC10
CAS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
—
300
—
—
95
—
—
100
—
—
5
—
—
100
—
–10
10
–10
–10
10
–10
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
MSM511666C/CL
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
MSM511666
C/CL-70
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
10
V
V
mA
单位注
符号
10
mA
—
—
—
—
100
2
1
200
—
—
—
—
90
2
1
200
90
毫安1,2
mA
mA
1
1, 5
毫安1,2
5
mA
1
90
毫安1,2
85
毫安1,3
300
mA
1, 4,
5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
6.5 V, –1.0 V
V
IL
0.2 V.
L-版本。
5/16
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