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E2G0107-18-42
半导体
MSM5116405C
半导体
这个版本: 1998年4月
MSM5116405C
e
Pr
LIM
y
ar
in
4,194,304-Word
4位动态RAM :与EDO快页模式类型
描述
该MSM5116405C是4,194,304字
4位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116405C实现高集成,高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层
金属的CMOS工艺。该MSM5116405C是26 / 24-引脚塑料SOJ或26 / 24-引脚塑料可
TSOP 。
特点
· 4,194,304字
4位配置
5 V单电源供电,
±10%
公差
=输入
: TTL兼容,低输入电容
输出: TTL兼容,三态
刷新: 4096次/ 64毫秒
快速页面模式, EDO ,读 - 修改 - 写功能
CAS
RAS
刷新,刷新隐藏,
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
封装选项:
24分之26引脚300密耳的塑料SOJ ( SOJ26 / 24 -P - 300-1.27 ) (产品: MSM5116405C - xxSJ )
24分之26引脚300密耳的塑料TSOP ( TSOPII26 / 24 -P - 300-1.27 -K ) (产品: MSM5116405C - xxTS -K )
( TSOPII26 / 24 -P- 300-1.27 -L )(产品: MSM5116405C - xxTS -L)的
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
MSM5116405C-50
MSM5116405C-60
MSM5116405C-70
访问时间(最大值)。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
周期
功耗
(分)
操作(最大)待机(最大)
90纳秒
110纳秒
130纳秒
550毫瓦
495毫瓦
440毫瓦
5.5毫瓦
1/18
 , 
半导体
MSM5116405C
引脚配置(顶视图)
V
CC
1
26 V
SS
V
CC
1
26 V
SS
V
SS
26
1 V
CC
DQ1 2
25 DQ4
23
CAS
22
OE
DQ1 2
DQ2 3
WE
4
25 DQ4
DQ4 25
CAS
23
OE
22
A9 21
A8 19
2 DQ1
DQ2 3
24 DQ3
24 DQ3
23
CAS
22
OE
21 A9
19 A8
DQ3 24
3 DQ2
4
WE
5
RAS
6 A11R
8 A10R
WE
4
RAS
5
RAS
5
A11R 6
A10R 8
21 A9
19 A8
A11R 6
A10R 8
A0 9
A0 9
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
18 A7
17 A6
16 A5
15 A4
A7 18
A6 17
A5 16
A4 15
9 A0
A1 10
A2 11
A3 12
A1 10
A2 11
A3 12
10 A1
11 A2
12 A3
V
CC
13
14 V
SS
V
CC
13
14 V
SS
V
SS
14
13 V
CC
24分之26引脚塑料SOJ
24分之26引脚塑料TSOP
(K型)
24分之26引脚塑料TSOP
(L型)
引脚名称
A0 - A9,
A10R , A11R
RAS
CAS
DQ1 - DQ4
OE
WE
V
CC
V
SS
功能
地址输入
行地址选通
列地址选通
数据输入/输出的数据
OUTPUT ENABLE
写使能
供电( 5 V )
接地( 0 V )
注意:
相同的电源电压必须提供给每一个V
CC
销,并且在同一接地
电压电平必须被设置到每一个V
SS
引脚。
2/18
半导体
MSM5116405C
框图
定时
发电机
定时
发电机
RAS
CAS
10
COLUMN
地址
缓冲器
国内
地址
计数器
10
COLUMN
解码器
时钟
发电机
WE
OE
4
产量
缓冲器
4
4
A0 - A9
刷新
控制时钟
SENSE
放大器器
4
I / O
选择器
4
4
DQ1 - DQ4
输入
缓冲器
4
10
A10R , A11R
V
CC
2
ROW
地址
缓冲器
12
ROW
DE-
编码器
DRIVERS
内存
细胞
芯片
V
BB
发电机
芯片
IV
CC
发电机
V
SS
3/18
半导体
MSM5116405C
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
50
1
0到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* : TA = 25 ℃,
推荐工作条件
(大= 0 ° C至70 ° C)
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
*1
0.8
单位
V
V
V
V
注:* 1 。在输入电压为V
CC
+ 2.0V,当脉冲宽度小于20纳秒(脉冲宽度
是相对于该点处V
CC
应用) 。
* 2 。在输入电压为V
SS
- 2.0V,当脉冲宽度小于20纳秒(脉冲宽度
是相对于该点处V
SS
应用) 。
电容
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
参数
输入电容
( A0 - A9 , A10R , A11R )
输入电容( RAS ,
CAS,WE , OE )
输出电容( DQ1 - DQ4 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/18
半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM5116405C
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
条件
MSM5116405 MSM5116405 MSM5116405
C-50
C-60
C-70
单位注
分钟。
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车,
CAS
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
HPC
=最小值。
90
80
70
mA
1, 3
100
90
80
mA
1, 2
5
5
5
mA
1
100
90
80
mA
1, 2
–10
10
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
输出漏电流
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
100
2
1
90
2
1
80
2
mA
1, 2
I
CC2
mA
1
1
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少而变
RAS
= V
IL
.
3.地址可以一次或更少而变
CAS
= V
IH
.
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