E2G0154-18-X1
半导体
MSM5116165D/DSL
半导体
这
MSM5116165D/DSL
版本： 1998年10月
1,048,576-Word
16位动态RAM ：与EDO快页模式类型
描述
该MSM5116165D / DSL是一种1,048,576字
16位动态RAM制造的冲电气的硅栅
CMOS技术。该MSM5116165D / DSL实现高集成，高速运行，并
低功率消耗，因为冲制造的设备中的四层多晶硅/
双层金属CMOS工艺。该MSM5116165D / DSL可在一个42引脚塑料SOJ或
四十四分之五十〇引脚塑料TSOP 。该MSM5116165DSL （自刷新版本）是专为
低功耗应用。
特点
· 1,048,576字
16位配置
5 V单电源供电，
±10%
公差
=输入
： TTL兼容，低输入电容
输出： TTL兼容，三态
刷新： 4096次/ 64毫秒， 4096次/ 128毫秒（ SL版本）
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
CAS
前
RAS
自刷新功能（ SL版本）
封装选项：
42引脚400密耳的塑料SOJ
(SOJ42-P-400-1.27)
（产品： MSM5116165D / DSL- xxJS ）
四十四分之五十〇引脚400密耳的塑料TSOP （ TSOPII50 / 44 -P - 400-0.80 -K ） （产品： MSM5116165D / DSL- xxTS -K ）
（ TSOPII50 / 44 -P - 400-0.80 -L ） （产品： MSM5116165D / DSL - xxTS -L ）
xx表示速度等级。
产品系列
家庭
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
周期
功耗
（分）
操作（最大）待机（最大）
84纳秒
104纳秒
124纳秒
633毫瓦
578毫瓦
523毫瓦
5.5毫瓦/
1.1毫瓦（ SL版本）
MSM5116165D / DSL- 50 50纳秒25纳秒13纳秒13纳秒
MSM5116165D / DSL- 60 60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
MSM5116165D / DSL -70 70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
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半导体
MSM5116165D/DSL
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
50
1
0到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–0.5
*2
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
*1
0.8
单位
V
V
V
V
注：* 1 。在输入电压为V
CC
+ 2.0V，当脉冲宽度小于20纳秒（脉冲宽度
是相对于该点处V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
- 2.0V，当脉冲宽度小于20纳秒（脉冲宽度
是相对于该点处V
SS
应用） 。
电容
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容
（ A0 - A7 ， A8R - A11R ）
输入电容
（ RAS ，
LCAS ， UCAS ， WE， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
典型值。
—
—
—
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
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半导体
DC特性
参数
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
MSM5116165D/DSL
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，TA = 0 ° C至70 ° C）
条件
MSM5116165 MSM5116165 MSM5116165
D/DSL-50
D/DSL-60
D / DSL - 70单位注
分钟。
V
OH
I
OH
= -5.0毫安
V
OL
I
OL
= 4.2毫安
0 V
V
I
6.5 V;
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
DQ关闭
0 V
V
O
V
CC
RAS ， CAS
骑自行车，
t
RC
=最小值。
RAS ， CAS
= V
IH
I
CC2
RAS ， CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车，
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IH
,
I
CC5
CAS
= V
IL
,
DQ =启用
I
CC6
RAS
骑自行车，
CAS
前
RAS
RAS
= V
IL
,
I
CC7
CAS
骑自行车，
t
HPC
=最小值。
t
RC
= 125
女士，
I
CC10
CAS
前
RAS ，
t
RAS
1
ms
RAS
0.2 V,
CAS
0.2 V
—
400
—
400
—
400
mA
1, 4,
5
—
115
—
105
—
95
mA
1, 3
—
90
—
85
—
80
mA
1, 2
—
5
—
5
—
5
mA
1
—
90
—
85
—
80
mA
1, 2
–10
10
–10
10
–10
10
mA
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
分钟。
2.4
0
马克斯。
V
CC
0.4
V
V
输出漏电流
平均功率
电源电流
（操作）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
（ RAS仅刷新）
电源
电流（待机）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
刷新）
平均功率
电源电流
（快页模式）
平均功率
电源电流
（备用电池）
平均功率
电源电流
前（ CAS
RAS
自刷新）
I
LO
–10
10
–10
10
–10
10
mA
I
CC1
—
—
—
—
90
2
1
200
—
—
—
—
85
2
1
200
—
—
—
—
80
2
1
200
mA
1, 2
mA
mA
1
1, 5
I
CCS
—
300
—
300
—
300
mA
1, 5
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
该地址可以一次或更少而被改变
RAS
= V
IL
.
该地址可以一次或更少而被改变
CAS
= V
IH
.
V
CC
– 0.2 V
V
IH
V
CC
+ 0.5 V, –0.5 V
V
IL
0.2 V.
SL版本。
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