FEDD5116160F-02
1
半导体
MSM5116160F
1,048,576-Word
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16位动态RAM ：快速页面模式类型
这个版本：八月。 2002年
以前的版本： Sep..2001
描述
该MSM5116160F是1,048,576字
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16位动态RAM制造的冲电气的硅栅CMOS
技术。该MSM5116160F实现高集成，高速运行和低功耗
由于消费冲电气生产的设备在一个四层的多晶硅/双层金属
CMOS工艺。该MSM5116160F是一个42引脚塑料SOJ或四十四分之五十○引脚塑料TSOP可用。
特点
·
1,048,576-word
×
16位配置
·
单5V电源供电，
±10%
公差
·
输入： TTL兼容，低输入电容
·
输出： TTL兼容，三态
·
刷新： 4096次/ 64ms的
·
快页模式下，读 - 修改 - 写功能
·
CAS
前
RAS
刷新，刷新隐藏，
RAS-只
刷新功能
包
42引脚400mil塑料SOJ
(
SOJ42-P-400-1.27
)
（产品： MSM5116160F - xxJS ）
四十四分之五十〇引脚400mil TSOP塑料
(
TSOPII50/44-P-400-0.80-K
)
（产品： MSM5116160F - xxTS -K ）
xx表示速度等级。
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
（分）
90ns
110ns
130ns
功耗
操作
（ MAX 。 ）
495mW
468mW
440mW
待机
（ MAX 。 ）
5.5mW
MSM5116160F
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FEDD5116160F-02
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半导体
MSM5116160F
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D*
T
OPR
T
英镑
价值
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
50
1
0到70
-55到150
单位
V
V
mA
W
°C
°C
* ： TA = 25 ℃，
推荐工作条件
值（TA = 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
0.5
*2
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
*1
0.8
单位
V
V
V
V
注：* 1 。在输入电压为V
CC
+ 2.0V时的脉冲宽度小于20ns的（脉冲宽度是相对于
到的点V
CC
应用） 。
* 2 。在输入电压为V
SS
2.0V时的脉冲宽度小于20ns的少（脉冲宽度相对于所述
点上V
SS
应用） 。
引脚电容
（VCC = 5V
±
10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A7 ， A8 - A11R ）
输入电容
（ RAS ，
LCAS ， UCAS ， WE， OE ）
输出电容（ DQ1 - DQ16 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
分钟。
—
—
—
马克斯。
5
7
7
单位
pF
pF
pF
4/15
QQ：2880707522 复制
