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半导体
MSM27C802CZ
524,288字×16位或1,048,576字×8位一次性可编程ROM
描述
1A
该MSM27C802CZ是8Mbit的电可编程只读存储器,其配置
能524,288字X 16位和1,048,576字X 8位之间电切换。该MSM27
C802CZ工作在+ 5V单电源供电, TTL兼容。由于MSM27C802CZ
异步运行,外部时钟都没有规定,使该器件易于使用。该
MSM27C802CZ适合作为大容量的固定存储器的微型计算机和数据终端。它
采用双CMOS硅栅工艺制造,并提供42引脚DIP , 44引脚
SOP和44引脚TSOP封装。
特点
524,288字X 16位/ 1,048,576字X 8位电可切换的配置
单+ 5V电源
访问时间
80ns
输入/输出TTL兼容
三态输出
42引脚塑料DIP ( DIP42 -P - 600-2.54 )
44引脚塑料SOP ( SOP44 -P - 600-1.27 -K )
44引脚塑料TSOP ( TSOP II 44 -P - 400-0.80 -K )
1999年5月
1
MSM27C802CZ
引脚配置(顶视图)
A18 1
A17 2
A7 3
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
A0 10
CE 11
V
SS
12
OE 13
D0 14
D8 15
D1 16
D9 17
D2 18
D10 19
D3 20
D11 21
42 NC
41 A8
40 A9
39 A10
38 A11
37 A12
36 A13
35 A14
34 A15
33 A16
32字节/ VPP
31 V
SS
30 D15 / A - 1
29 D7
28 D14
27 D6
26 D13
25 D5
24 D12
23 D4
22 V
CC
42引脚DIP
NC 1
A18 2
A17 3
A7 4
A6 5
A5 6
A4 7
A3 8
A2 9
A1 10
A0 11
CE 12
V
SS
13
OE 14
D0 15
D8 16
D1 17
D9 18
D2 19
D10 20
D3 21
D11 22
44 NC
43 NC
42 A8
41 A9
40 A10
39 A11
38 A12
37 A13
36 A14
35 A15
34 A16
33字节/ VPP
32 V
SS
31 D15 / A - 1
30 D7
29 D14
28 D6
27 D13
26 D5
25 D12
24 D4
23 V
CC
44引脚SOP
NC 1
A18 2
A17 3
A7 4
A6 5
A5 6
A4 7
A3 8
A2 9
A1 10
A0 11
CE 12
V
SS
13
OE 14
D0 15
D8 16
D1 17
D9 18
D2 19
D10 20
D3 21
D11 22
44 NC
43 NC
42 A8
41 A9
40 A10
39 A11
38 A12
37 A13
36 A14
35 A15
34 A16
33字节/ VPP
32 V
SS
31 D15 / A - 1
30 D7
29 D14
28 D6
27 D13
26 D5
25 D12
24 D4
23 V
CC
44针TSOP
引脚名称
D15/A-1
A0 - A18
D0 - D14
CE
OE
V
CC
V
SS
BYTE / V
PP
NC
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
功能
数据输出/输入地址
电源电压
GND
模式切换/节目电源电压
无连接
2
MSM27C802CZ
框图
A-1
X8 / X16开关
CE
OE
BYTE / V
PP
CE
OE
PGM
列解码器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
行解码器
存储矩阵
地址缓冲器
524,288X16位或1,048,576X8位
多路复用器
输出缓冲器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D10
D9
D12
D14
D15
D11
D13
在8位输出模式,这些引脚
三态和引脚功能的D15
作为A - 1地址引脚。
功能表
模式
READ ( 16位)
READ( 8位)的
输出禁用
待用
节目
禁止程序
程序校验
* :无所谓
CE
L
L
L
H
L
H
H
OE字节/ V
PP
L
L
H
*
H
H
L
11.5V
6.25V
H
L
H
L
H
L
5.0V
D
OUT
V
CC
D0 - D7
D8 - D14
D
OUT
高阻
高阻
*
高阻
*
D
IN
高阻
D
OUT
D15/A-1
L / H
3
MSM27C802CZ
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
项目电源电压
每个封装功耗
符号
TOPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
V
PP
P
D
-
相对于V
SS
条件
-
价值
0到70
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5至12.5
1.0
单位
°C
°C
V
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
( TA = 0 70
°C)
参数
V
CC
电源电压
V
PP
电源电压
输入"H"水平
输入"L"水平
电压是相对于Vss
符号
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
CC
=4.5V - 5.5V
条件
分钟。
4.5
-0.5
2.2
-0.5
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
0.6
单位
V
V
V
V
4
MSM27C802CZ
电气特性(读操作)
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
(待机)
V
CC
电源电流
(READ )
V
PP
电源电流
输入"H"水平
输入"L"水平
输出"H"水平
输出"L"水平
电压是相对于Vss
符号
I
LI
I
LO
I
CS1
I
CS2
I
CCA
I
PP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
CE = V
白细胞介素,
OE = V
IH
条件
V
I
= 0至Vcc的
V
O
= 0至Vcc的
CE = V
CC
CE = V
IH
tc=80ns
tc=100ns
V
PP
=V
CC
-
-
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
(V
CC
=5V
±
0.5V , TA = 0 70
°
C)
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
2.2
-0.5
2.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
10
50
1
80
65
10
V
CC
+0.5
0.8
-
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
AC特性
参数
访问周期时间
地址访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出禁止时间
输出保持时间
符号
T
C
T
T
CE
T
OE
T
CHZ
T
OHZ
T
OH
条件
-
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
CE = OE = V
IL
(V
CC
=5V
±
0.5V ,TA = 0 70 ° C)
分钟。
80
-
-
-
0
0
0
马克斯。
-
80
80
50
40
35
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
0V/3V
0.8V/2.0V
1TTL门+ 100pF的
0.8V/2.0V
1.7V
400
产量
100pF电容(包括夹具电容)
5
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