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半导体
MSM27C452CZ
262,144字×16位或524,288字×8位
8字×16位或16字×8位页面模式一次性可编程ROM
描述
1A
该MSM27C452CZ是4Mbit的电可编程只读存储器与页模式。其
配置可以262,144字X 16位和524,288字X 8位之间电切换。
在MSM27C452CZ工作在+ 5V单电源供电, TTL兼容。该MSM27C4
52CZ提供页面模式,可以大大减少读取时间。由于MSM27C452
CZ异步运行,外部时钟都没有规定,使该器件易于使用。该
MSM27C452CZ适合作为大容量的固定存储器的微型计算机和数据终端。它
采用双CMOS硅栅工艺制造,并提供40引脚DIP , 40引脚
SOP和44引脚TSOP封装。
特点
262,144字X 16位/ 524,288字X 8位电可切换的配置
单+ 5V电源
存取时间为80ns
网页模式访问时间为50ns
输入/输出TTL兼容
三态输出
40引脚塑料DIP ( DIP40 -P - 600-2.54 )
40引脚塑料SOP ( SOP40 -P - 525-1.27 -K )
44引脚塑料TSOP ( TSOP II 44 -P - 400-0.80 -K )
1
MSM27C452CZ
引脚配置(顶视图)
NC 1
NC 2
A17 1
A7 2
A6 3
A5 4
A4 5
A3 6
A2 7
A1 8
A0 9
CE 10
V
SS
11
OE 12
D0 13
D8 14
D1 15
D9 16
D2 17
D10 18
D3 19
D11 20
40 A8
39 A9
38 A10
37 A11
36 A12
35 A13
34 A14
33 A15
32 A16
31字节/ VPP
30 V
SS
29 D15 / A - 1
28 D7
27 D14
26 D6
25 D13
24 D5
23 D12
22 D4
21 V
CC
40引脚DIP
A17 1
A7 2
A6 3
A5 4
A4 5
A3 6
A2 7
A1 8
A0 9
CE 10
V
SS
11
OE 12
D0 13
D8 14
D1 15
D9 16
D2 17
D10 18
D3 19
D11 20
40 A8
39 A9
38 A10
37 A11
36 A12
35 A13
34 A14
33 A15
32 A16
31字节/ VPP
30 V
SS
29 D15 / A - 1
28 D7
27 D14
26 D6
25 D13
24 D5
23 D12
22 D4
21 V
CC
A17 3
A7 4
A6 5
A5 6
A4 7
A3 8
A2 9
A1 10
A0 11
CE 12
V
SS
13
OE 14
D0 15
D8 16
D1 17
D9 18
D2 19
D10 20
D3 21
D11 22
44 NC
43 NC
42 A8
41 A9
40 A10
39 A11
38 A12
37 A13
36 A14
35 A15
34 A16
33字节/ VPP
32 V
SS
31 D15 / A - 1
30 D7
29 D14
28 D6
27 D13
26 D5
25 D12
24 D4
23 V
CC
44针TSOP
40引脚SOP
引脚名称
D15/A-1
A0 - A17
D0 - D14
CE
OE
V
CC
V
SS
BYTE / V
PP
NC
地址输入
数据输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
功能
数据输出/输入地址
电源电压
GND
模式切换/节目电源电压
无连接
2
MSM27C452CZ
框图
A-1
X8 / X16开关
CE
OE
BYTE / V
PP
CE
OE
PGM
列解码器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
行解码器
存储矩阵
地址缓冲器
262,144X16位或524,288X8位
复用器&页数据锁存器
输出缓冲器
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D10
D9
D12
D14
D15
D11
D13
在8位输出模式,这些引脚
三态和引脚功能的D15
作为A - 1地址引脚。
功能表
模式
READ ( 16位)
READ( 8位)的
输出禁用
待用
节目
禁止程序
程序校验
* :无所谓
3
CE
L
L
L
H
L
H
H
OE字节/ V
PP
L
L
H
*
H
H
L
11.5V
6.25V
H
L
H
L
H
L
4.5V
to
5.5V
D
OUT
V
CC
D0 - D7
D8 - D14
D
OUT
高阻
高阻
*
高阻
*
D
IN
高阻
D
OUT
D15/A-1
L / H
MSM27C452CZ
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
项目电源电压
每个封装功耗
符号
TOPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
V
PP
P
D
-
相对于V
SS
条件
-
价值
0到70
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5 7
-0.5至12.5
1.0
单位
°C
°C
V
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
( TA = 0 70
°C)
参数
V
CC
电源电压
V
PP
电源电压
输入"H"水平
输入"L"水平
电压是相对于Vss
符号
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
CC
=4.5V - 5.5V
条件
分钟。
4.5
-0.5
2.2
-0.5
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
4
MSM27C452CZ
电气特性(读操作)
DC特性
(V
CC
=5V
±
0.5V , TA = 0 70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
(待机)
V
CC
电源电流
(READ )
V
PP
电源电流
输入"H"水平
输入"L"水平
输出"H"水平
输出"L"水平
电压是相对于Vss
AC特性
(V
CC
=5V
±
0.5V ,TA = 0 70 ° C)
参数
随机存取周期时间
地址访问时间
页面设置时间
页面访问周期时间
页面访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出禁止时间
输出保持时间
符号
T
C
T
T
PSET
T
PC
T
PAC
T
CE
T
OE
T
CHZ
T
OHZ
T
OH
条件
-
CE = OE = V
IL
NOTE(1)
-
-
OE = V
IL
CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
CE = OE = V
IL
分钟。
80
-
100
50
-
-
-
0
0
0
马克斯。
-
80
-
-
50
100
50
40
35
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
I
LI
I
LO
I
CS1
I
CS2
I
CCA
I
PP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
tc=80ns
V
PP
=V
CC
-
-
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
条件
V
I
= 0至Vcc的
V
O
= 0至Vcc的
CE = V
CC
CE = V
IH
CE = V
白细胞介素,
OE = V
IH
分钟。
-
-
-
-
-
-
2.2
-0.5
2.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
10
50
1
100
50
V
CC
+0.5
0.8
-
0.45
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
注: ( 1 )T
PSET
被定义为CE的任一末端尾部中的随机接入边缘或地址变换
术语直到第一页的地址转换。
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
0V/3V
0.8V/2.0V
1TTL门+ 100pF的
0.8V/2.0V
1.7V
400
产量
100pF电容(包括夹具电容)
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MSM27C452CZ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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