【半导体MSM27C201CZ262,144字×8位一次性可编程ROM描述1A该MSM27C201CZ】,IC型号MSM27C201CZ,MSM27C201CZ PDF资料,MSM27C201CZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

MSM27C201CZ

262,144字×8位一次性可编程ROM

描述

1A

该MSM27C201CZ是组织为262,144 2Mbit的一个电可编程只读存储器

字X 8位。在MSM27C201CZ工作在+ 5V单电源供电， TTL兼容。

由于MSM27C201CZ异步运行，外部时钟不是必需的，这使得

设备易于使用。该MSM27C201CZ适合作为大容量的固定存储器

微型计算机和数据终端。它是使用CMOS双硅栅工艺制造

并在32引脚DIP ， 32引脚SOP和32引脚TSOP封装。

特点

262,144字X 8位

单+ 5V电源

访问时间

80ns

输入/输出TTL兼容

三态输出

包

32引脚塑料DIP （ DIP32 -P - 600-2.54 ）

32引脚塑料SOP （ SOP32 -P - 525-1.27 -K ）

32引脚塑料TSOP （ TSOP I 32 -P - 814-0.50 -K ）

1999年5月

1

MSM27C201CZ

引脚配置（顶视图）

VPP 1

A16 2

A15 3

A12 4

A7 5

A6 6

A5 7

A4 8

A3 9

A2 10

A1 11

A0 12

D0 13

D1 14

D2 15

V

SS

16

32引脚DIP

32 V

CC

31 NC

30 A17

29 A14

28 A13

27 A8

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

22 CE

21 D7

20 D6

19 D5

18 D4

17 D3

VPP 1

A16 2

A15 3

A12 4

A7 5

A6 6

A5 7

A4 8

A3 9

A2 10

A1 11

A0 12

D0 13

D1 14

D2 15

V

SS

16

32引脚SOP

32 V

CC

31 NC

30 A17

29 A14

28 A13

27 A8

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

22 CE

21 D7

20 D6

19 D5

18 D4

17 D3

A5

A7

A15

VPP

NC

A14

A8

A11

V

CC

A6

A12

A13

A9

A4

A16

A17

16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1

32针TSOP

17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32

D3

D5

D7

A3

A1

D0

D2

A10

V

SS

D4

D6

A2

D1

OE

CE

A0

引脚名称

A0 - A17

D0 - D7

CE

OE

V

CC

V

SS

V

PP

NC

功能

地址输入

数据输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

电源电压

GND

项目电源电压

无连接

2

MSM27C201CZ

框图

CE

OE

V

PP

CE

OE

PGM

列解码器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

行解码器

存储矩阵

地址缓冲器

262,144X8-Bit

多路复用器

输出缓冲器

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

功能表

模式

读

输出禁用

待用

节目

禁止程序

程序校验

* ：不关注（ H或L）

** ：不必考虑（H或L或打开）

CE

L

H

L

H

OE

L

H

*

H

L

11.5V

6.25V

V

PP

**

V

CC

5.0V

D0 - D7

D

OUT

高阻

D

IN

高阻

D

OUT

3

MSM27C201CZ

绝对最大额定值

参数

在偏置工作温度

储存温度

输入电压

输出电压

电源电压

项目电源电压

每个封装功耗

符号

TOPR

T

英镑

V

I

V

O

V

CC

V

PP

P

D

-

相对于V

SS

条件

-

价值

0到70

-55至125

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5 7

-0.5至12.5

1.0

单位

°C

V

W

为FOR READ推荐工作条件

（ TA = 0 70

°C)

参数

V

CC

电源电压

V

PP

电源电压

输入"H"水平

输入"L"水平

电压是相对于Vss

符号

V

CC

V

PP

V

IH

V

IL

V

CC

=4.75V - 5.25V

条件

分钟。

4.75

-0.5

2.2

-0.5

典型值。

-

马克斯。

5.25

V

CC

+0.5

V

CC

+0.5

0.6

单位

V

4

MSM27C201CZ

电气特性（读操作）

DC特性

参数

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

电源电流

（待机）

V

CC

电源电流

（READ ）

V

PP

电源电流

输入"H"水平

输入"L"水平

输出"H"水平

输出"L"水平

电压是相对于Vss

符号

I

LI

I

LO

I

CS1

I

CS2

I

CCA

I

PP

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

条件

V

I

= 0至Vcc的

V

O

= 0至Vcc的

CE = V

CC

CE = V

IH

CE = V

白细胞介素，

OE = V

IH

tc=80ns

V

PP

=V

CC

-

I

OH

=-400A

I

OL

=2.1mA

(V

CC

=5V

±

0.25V ，TA = 0 70

°

C)

分钟。

-

2.2

-0.5

2.4

-

典型值。

-

马克斯。

10

50

1

35

10

V

CC

+0.5

0.8

-

0.45

单位

A

mA

A

V

AC特性

参数

访问周期时间

地址访问时间

CE访问时间

OE访问时间

输出禁止时间

输出保持时间

符号

T

C

T

加

T

CE

T

OE

T

CHZ

T

OHZ

T

OH

条件

-

CE = OE = V

IL

OE = V

IL

CE = V

IL

OE = V

IL

CE = V

IL

CE = OE = V

IL

(V

CC

=5V

±

0.25V ，TA = 0 70 ° C）

分钟。

80

-

0

马克斯。

-

80

50

40

35

-

单位

ns

测量条件

输入信号电平

输入时序参考电平

输出负载

输出时序参考电平

0V/3V

0.8V/2.0V

1TTL门+ 100pF的

0.8V/2.0V

1.7V

400

欧

产量

100pF电容（包括夹具电容）

5

半导体

MSM27C201CZ

262,144字×8位一次性可编程ROM

描述

1A

该MSM27C201CZ是组织为262,144 2Mbit的一个电可编程只读存储器

字X 8位。在MSM27C201CZ工作在+ 5V单电源供电， TTL兼容。

由于MSM27C201CZ异步运行，外部时钟不是必需的，这使得

设备易于使用。该MSM27C201CZ适合作为大容量的固定存储器

微型计算机和数据终端。它是使用CMOS双硅栅工艺制造

并在32引脚DIP ， 32引脚SOP和32引脚TSOP封装。

特点

262,144字X 8位

单+ 5V电源

访问时间

80ns

输入/输出TTL兼容

三态输出

包

32引脚塑料DIP （ DIP32 -P - 600-2.54 ）

32引脚塑料SOP （ SOP32 -P - 525-1.27 -K ）

32引脚塑料TSOP （ TSOP I 32 -P - 814-0.50 -K ）

1999年5月

1

MSM27C201CZ

引脚配置（顶视图）

VPP 1

A16 2

A15 3

A12 4

A7 5

A6 6

A5 7

A4 8

A3 9

A2 10

A1 11

A0 12

D0 13

D1 14

D2 15

V

SS

16

32引脚DIP

32 V

CC

31 NC

30 A17

29 A14

28 A13

27 A8

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

22 CE

21 D7

20 D6

19 D5

18 D4

17 D3

VPP 1

A16 2

A15 3

A12 4

A7 5

A6 6

A5 7

A4 8

A3 9

A2 10

A1 11

A0 12

D0 13

D1 14

D2 15

V

SS

16

32引脚SOP

32 V

CC

31 NC

30 A17

29 A14

28 A13

27 A8

26 A9

25 A11

24 OE

23 A10

22 CE

21 D7

20 D6

19 D5

18 D4

17 D3

A5

A7

A15

VPP

NC

A14

A8

A11

V

CC

A6

A12

A13

A9

A4

A16

A17

16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1

32针TSOP

17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32

D3

D5

D7

A3

A1

D0

D2

A10

V

SS

D4

D6

A2

D1

OE

CE

A0

引脚名称

A0 - A17

D0 - D7

CE

OE

V

CC

V

SS

V

PP

NC

功能

地址输入

数据输出

芯片使能

OUTPUT ENABLE

电源电压

GND

项目电源电压

无连接

2

MSM27C201CZ

框图

CE

OE

V

PP

CE

OE

PGM

列解码器

A0

A1

A2

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

行解码器

存储矩阵

地址缓冲器

262,144X8-Bit

多路复用器

输出缓冲器

D0

D1

D2

D3

D4

D5

D6

D7

功能表

模式

读

输出禁用

待用

节目

禁止程序

程序校验

* ：不关注（ H或L）

** ：不必考虑（H或L或打开）

CE

L

H

L

H

OE

L

H

*

H

L

11.5V

6.25V

V

PP

**

V

CC

5.0V

D0 - D7

D

OUT

高阻

D

IN

高阻

D

OUT

3

MSM27C201CZ

绝对最大额定值

参数

在偏置工作温度

储存温度

输入电压

输出电压

电源电压

项目电源电压

每个封装功耗

符号

TOPR

T

英镑

V

I

V

O

V

CC

V

PP

P

D

-

相对于V

SS

条件

-

价值

0到70

-55至125

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5到V

CC

+ 0.5

-0.5 7

-0.5至12.5

1.0

单位

°C

V

W

为FOR READ推荐工作条件

（ TA = 0 70

°C)

参数

V

CC

电源电压

V

PP

电源电压

输入"H"水平

输入"L"水平

电压是相对于Vss

符号

V

CC

V

PP

V

IH

V

IL

V

CC

=4.75V - 5.25V

条件

分钟。

4.75

-0.5

2.2

-0.5

典型值。

-

马克斯。

5.25

V

CC

+0.5

V

CC

+0.5

0.6

单位

V

4

MSM27C201CZ

电气特性（读操作）

DC特性

参数

输入漏电流

输出漏电流

V

CC

电源电流

（待机）

V

CC

电源电流

（READ ）

V

PP

电源电流

输入"H"水平

输入"L"水平

输出"H"水平

输出"L"水平

电压是相对于Vss

符号

I

LI

I

LO

I

CS1

I

CS2

I

CCA

I

PP

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

条件

V

I

= 0至Vcc的

V

O

= 0至Vcc的

CE = V

CC

CE = V

IH

CE = V

白细胞介素，

OE = V

IH

tc=80ns

V

PP

=V

CC

-

I

OH

=-400A

I

OL

=2.1mA

(V

CC

=5V

±

0.25V ，TA = 0 70

°

C)

分钟。

-

2.2

-0.5

2.4

-

典型值。

-

马克斯。

10

50

1

35

10

V

CC

+0.5

0.8

-

0.45

单位

A

mA

A

V

AC特性

参数

访问周期时间

地址访问时间

CE访问时间

OE访问时间

输出禁止时间

输出保持时间

符号

T

C

T

加

T

CE

T

OE

T

CHZ

T

OHZ

T

OH

条件

-

CE = OE = V

IL

OE = V

IL

CE = V

IL

OE = V

IL

CE = V

IL

CE = OE = V

IL

(V

CC

=5V

±

0.25V ，TA = 0 70 ° C）

分钟。

80

-

0

马克斯。

-

80

50

40

35

-

单位

ns

测量条件

输入信号电平

输入时序参考电平

输出负载

输出时序参考电平

0V/3V

0.8V/2.0V

1TTL门+ 100pF的

0.8V/2.0V

1.7V

400

欧

产量

100pF电容（包括夹具电容）

5