MSM13Q0000/14Q0000
0.35微米海门阵列
描述
Oki的0.3 5微米ASIC产品提供低功耗，超高性能和高密度。
该MSM13Q0000 / 14Q0000系列设备（称为“ MSM13Q / 14Q ” ）都与实施
工业标准的基于单元的阵列（CBA ）体系结构在海的-盖茨（ SOG）的结构。建于一
0.35微米的拉伸CMOS技术（具有一个L有效的0.27 μm）时，这些SOG器件中可用的
三层（ MSM13Q ）和金属4层（ MSM14Q ） 。半导体工艺适于从
Oki的生产验证的64兆位DRAM制造工艺。
该MSM13Q / 14Q系列包含了每个6阵列，提供超过100万的原始门和352 I / O焊盘。向上
到66 ％和90％的原始门的可用于3层和4层的阵列，分别。 Oki的0.35
微米系列3 -V核心业务与优化的3 -VI / O缓冲器和5 V容限3 -V缓冲的优化
ERS 。这些SOG产品的设计，以适应最流行的塑料四方扁平封装（的QFP ） ，薄的QFP
（ TQFPs ） ，和塑料球栅阵列（ PBGA ）封装。
该MSM13Q / 14Q系列采用Synopsys公司的硅建筑师热门CBA架构，
上提供相同的模混合两种类型的细胞（ 8晶体管的计算细胞和4-晶体管驱动的细胞）的
门高密度和高驱动器。 CBA联赛是由丰富的宏库的支持下，进行综合优化。
内存块是由冲电气的存储器编译器有效地创建，生成单端口和双端口
RAM是在同步RAM选项的高密度和低功耗配置。
这样， MSM13Q / 14Q系列是非常适合于以高的生产存储器密集型的设计（体积）
超微接近地产和成本节约标准单元。同时，它的SOG architec-
TURE允许快速原型的周转时间。因此，冲电气的MSM13Q / 14Q系列提供了最好的两个
世界：一个门阵列和标准单元的生产成本低的快速原型设计。
Oki的0.35微米ASIC产品是由领先的CAD工具，包括支持的综合联
布局规划，动机静态时序分析仪，以及H-时钟树的方法。他们进一步支持
由专门的宏单元包括锁相环（ PLL）的伪发射极耦合逻辑（ PECL ）
外围组件互连（PCI） ，通用同步接收器/发送器（UART）的细胞，并
ARM7TDMI RISC内核。
特点
0.35微米绘制3-和4-层金属的CMOS
优化的3.3 -V核心
优化的3 -V的I / O和3 -V的I / O是5 -V
宽容
CBA SOG架构
超过1.0M的原始大门和352片
用户可配置的I / O和V
SS
, V
DD
，TTL 3-
状态， 1 24 mA的选择
压摆率控制输出，低发射
噪音
H-时钟树细胞减少最大
歪斜的时钟信号
用户可配置的单和双端口;
同步或异步存储器
专门的宏单元，包括PLL ， PECL ，
的PCI ，UART和ARM7TDMI
布局规划的前端模拟，背景
年底布局控件，并链接到合成
联合测试行动组（ JTAG ）边界扫描
和扫描路径ATPG
支持流行的CAE系统，包括
抑扬顿挫， IKOS ， Mentor Graphics公司， Synopsys公司，
Viewlogic系，并Zycad
OKI半导体
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