J2N0007-38-81
電子デバイス
MSM10S0000ファミリ
0.8毫米CMOSゲートアレイ
n
概要
½成：1998年 8月
MSM10S0000
l
前回½成：1996年10月
MSM10S0000ファミリは0.8mmCMOSプロセスを用いた2層メタル構造のシーオブゲート（SOG）タ
イプのゲートアレイです。
このファミリは、6シリーズ構成で½用可½ゲート数は2,31037,240ゲートまであり、用途に合わ
せた最適なLSIの選択が可½です。
n
特長
l
½用可½ゲート数：2,31037,240ゲート
l
最大総パッド数：280
l
動½電圧：2.7V5.5V
l
動½温度範囲40＋85℃
l
内部ゲート遅延時間：0.36ns（V
DD
＝5V），0.63ns（V
DD
＝3V）
［2入力NANDゲート高速タイプ，F/O＝2，標準配線長½
l
入出力バッファ遅延時間：2.89ns（V
DD
＝5V），5.02ns（V
DD
＝3V）
［入力バッファ＋出力バッファ，C
L
＝20pF½
l
入力端子のプルアップ／プルダウンが可½
プルアップ抵抗値：約3k／50kW，プルダウン抵抗値：約50kW（V
DD
＝5V）
プルアップ抵抗値：約6k／100kW，プルダウン抵抗値：約100kW（V
DD
＝3V）
l
全端子プログラマブル：V
DD
／V
SS
／入力／出力／双方向
l
入出力レベル：TTL／CMOS，SCHMITT回路可½
l
出力½式：プッシュプル，3ステート，双方向バス，オープンドレイン，カレントフォース
l
出力駆動½力：2/4/8/12/16/24/48mA（V
DD
＝5V），1/2/4/6/8/12/24mA（V
DD
＝3V）
l
オシレータ最大発振周波数：32MHz（V
DD
＝5V），24MHz（V
DD
＝3V）
l
スルーレートコントロール付き出力バッファ
l
多種多様なパッケージ
l
豊富なマクロライブラリ
ベーシックセル：337種
メモリセル：RAM（16ポート各種）／ROM
I/Oセル：215種
メガセル：4種（UART，DMAコントローラ他）
PCMCIAカードコントローラ
l
JTAG边界扫描
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MSM10S0000
l
n
ファミリ一覧
l
シリーズ構成［注1½
シリーズ名
½用可½ゲート数
総パッド数
10S0050
2,310
72
10S0110
4,880
100
10S0210
9,590
136
10S0300
13,620
160
10S0570
23,370
216
10S0980
37,240
280
l
パッケージメニュー［注2½
½状
SSOP
パ
ッ
ケ
ー
ジ
ピン数
32
44
56
60
64
80
シリーズ名
10S0050
10S0110
10S0210
10S0300
10S0570
10S0980
QFP
100
128
144
160
208
240
44
64
80
100
144
TQFP
LQFP
176
208
注記： 1. ½用可½ゲート数はロジックゲートのみ搭載した場合ですので目安としてお考えください。
なお、回路によって違ってくることもありますのでご注意ください。
2. 上記パッケージメニューにつきましては予告なしに変更することがありますので、最新情報
は弊社までお問い合わせください。
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MSM10S0000
l
n
絶対最大定格
項目
電源電圧
入力電圧
出力電圧
入力電流
出力電流
電源パッド½り流出入電流
保存温度
記号
V
DD
V
I
V
O
I
I
2 ， 4 ， 8 ， 12毫安バッファ
条件
Tj＝25℃
V
SS
＝0V
定格値
0.5＋6.5
0.5V
DD
＋0.5
0.5V
DD
＋0.5
10＋10
25＋25
50＋50
100＋100
72＋72
65＋150
単½
V
I
O
I
PAD
T
英镑
16 ， 24毫安バッファ
48mAバッファ
mA
―
℃
n
推奨動½条件
V
SS
＝0V
項目
電源電圧
トランジスタ
ジャンクション温度
入力立ち上がり／
立ち下がり時間［注2½
発振周波数
記号
V
DD
3V系
5V系
最小
2.7
4.5
40
―
―
2
2
標準
3.0
5.0
―
2
32.768
―
―
最大
3.6
5.5
85
20
―
24
32
単½
V
℃
ns
千赫
兆赫
兆赫
Tj［注1½
TR ， TF
f
OSC
［注3½
f
OSC
［注4½
f
OSC
［注5½
注記： 1. Tjの許容最大値：125℃を超えない範囲で½用してください。（チップ設計に½ってのTjの詳
細な見積りについては、弊社発行のASICデザインマニュアルをご参照ください。また、特殊
な場合として、Tj＞85℃で½用する場合は弊社までご連絡ください。）
2. 応用上、遅い入力が必要な場合は弊社までご連絡ください。なお、その場合端子周辺の環境
に依存しますので出力バッファの同時動½など考慮の上ご½用ください。
3. 発振用マクロセルWOSC2F½用時。3V系、5V系共通。
4. 発振用マクロセルWOSC5F，WOSC8H½用時。V
DD
＝2.73.6Vの場合。
5. 発振用マクロセルWOSC5F，WOSC8H½用時。V
DD
＝4.55.5Vの場合。
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MSM10S0000
l
l
直流特性（V
DD
＝2.7V3.6V，V
SS
＝0V，Tj＝40℃＋85℃）
項目
"H"レベル出力电圧
"L"レベル出力电圧
TTLスリー
シュミットトリガ
入力しきい値電圧
CMOS出力の
シュミットトリガ
入力しきい値電圧
"H"レベル出力电圧
"L"レベル出力电圧
"H"レベル出力电圧
記号
V
IH
V
IL
V
t＋
V
t
DV
t
V
t＋
V
t
DV
t
V
OH
V
OL
I
IH
条件
TTLレベルのク
CMOS出力です。
TTLレベルのク
CMOS出力です。
―
―
V
t＋
V
t
―
―
V
t＋
V
t
I
OH
＝1, 2, 4,
-6 ， -8 ， -12mA
I
OL
= 1，2， 4，6， 8毫安
I
OL
＝12, 24mA［注2½
V
IH
＝V
DD
（ 100千瓦下拉）
V
IL
＝V
SS
"L"レベル出力电圧
I
IL
（ 6千瓦拉）
I
OZH
3‐state出力リーク電流
I
OZL
V
OH
＝V
DD
（ 50千瓦下拉）
V
OL
＝V
SS
（ 6千瓦拉）
静止時電源電流［注3½
I
DDS
出力開放
V
IH
＝V
DD,
V
IL
＝V
SS
最小
標準 [注1]
最大
1.8
0.7×V
DD
単½
―
―
―
―
1.3
1
0.3
2.0
1.0
1.0
―
―
―
0.01
35
0.01
35
0.01
100
0.01
35
V
DD
＋0.5
V
DD
＋0.5
0.5
0.5
―
0.5
0.1
―
0.24×V
DD
0.1×V
DD
0.5
0.3×V
DD
1.8
―
―
0.76×V
DD
V
―
―
―
0.3
0.4
1
120
―
5
120
1
250
―
5
120
10
mA
2.2
―
―
―
5
1
（ 100千瓦拉起） -120
―
20
1
2000 550
（ 100千瓦拉起） -120
2000 550
―
0.1
注記： 1. 標準は、V
DD
＝3.0V，Tj＝25℃です。
2. 24毫安バッファはオープンドレインのみです。
3. メモリを搭載していない場合の値です。
l
入出力端子容量
項目
入力端子
出力端子
入出力端子
記号
C
I
C
O
C
IO
最小
―
―
―
標準
6
9
10
最大
―
―
―
単½
pF
pF
pF
注記： 端子容量は、パッケージのピン容量、チップ内部のパッド容量を含んだ平均的な値です。
条件：V
DD
＝V
I
＝V
O
＝V
SS
， F = 1MHz时， TJ = 25 ℃
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QQ：2880707522 复制
