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表面贴装芯片LED

描述

在MSL - 194B ，蓝色片源LED器件，

设计合适的indnstry标准封装

SMT组装方法。它采用的InGaN对SiC

LED芯片技术，水质清澈环氧树脂封装。

1.60

( 0.063 )

1.20

(0.047)

0.8

(0.032)

0.80

( 0.032 )

MSL-194B

包装尺寸

阴极标记

极性

0.80

(0.032)

应用

l

l

l

l

0.30

( 0.012 )

小型

行业标准的足迹（ 0603 ）

兼容IR焊接工艺

Availalble 8毫米磁带上的7" （ 178毫米）

Diameteer卷轴

R.0.175

(0.007)

PCB

0.20

(0.008)

焊接

终奌站

推荐焊接模式

特点

l

l

l

l

按键背光

LCD背光

符号背光

前面板指示灯

0.80

(0.032)

0.72

(0.028)

0.80

(0.032)

绝对最大额定值

注意：

1.所有尺寸以毫米（英寸）

2.公差是为±0.1mm （ 0.004" ），除非另有说明。

@ T

A

=25

o

C

参数

峰值正向电流（1/10占空比@ 1KHz时）

直流正向电流

功耗

反向电压

工作温度范围

存储温度范围

静电放电阈值

符号

I

FP

I

F

P

D

V

R

T

OPR

T

英镑

E

OT

最大额定值

100

30

126

5

-20

o

C

+80

o

C

单位

mA

mA

mW

V

-30

o

C

+100

o

C

1000

V

东贝光电科技有限公司

0.80

(.032)

11/23/2000

MSL-194B

光电特性

参数

发光强度

正向电压

反向电流

峰值/主波长

光谱线宽

视角

测试条件

I

F

=20mA

I

F

=20mA

V

R

=5V

I

F

=20mA

IF=20mA

I

F

=20mA

符号

I

V

V

F

I

R

λ

p/

λ

d

λ

2θ

1/2

30

@

T

A

=25

o

C

分钟。

5.0

-

-

-

-

-

典型值。

12.0

3.5

-

465/470

26

130

MAX 。

-

4.0

10

-

-

-

单元。

MCD

V

A

nm

nm

度。

典型的光 - 电特性曲线

相对发光强度

1

正向电流I

F

（MA ）

25

20

15

10

5

0

0

1

2

3

4

0.5

0

380

450

520

590

660

波长（nm ）

图1相对强度夜光

VS.波长

相对发光强度

在归我

F

=20mA

正向电流I

F

（MA ）

40

30

20

10

0

0

25

50

75

100

1.5

1.25

1

0.75

0.5

0.25

0

0

正向电压（ V）

图2正向电流与

正向电压

5

10

15

20

25

30

环境温度（

o

C

)

图3正向电流与

环境温度

相对发光强度

相对发光强度

10

正向电流I

F

（MA ）

图4相对发光强度

与正向电流

0

o

10

o

20

o

30°

40°

1.0

0.9

0.8

0.5 0.3 0.1

0.2 0.4 0.6

50°

60°

70°

80°

90°

1

0.1

0

25

50

75

环境温度（

o

C

)

图5发光强度VS.

环境温度

图6辐射方向图

东贝光电科技有限公司

11/23/2000

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