ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
产品特点：
10安培， 75V ，3相MOSFET
桥智能
集成门极驱动器
4400
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦， M / Y 。 13088
75伏汽车电源电压
10安培输出开关功能，全N沟道MOSFET输出大桥
100 ％占空比高端传导有能力
适合的PWM应用从DC到100KHz的
直通/交叉传导保护
欠压锁定保护
可编程死区时间控制
低电平有效使能桥关断控制
隔离底板设计的高电压隔离加上良好的热传递
描述：
该MSK 4400是一个三相桥式MOSFET驱动器加在一个方便的隔离基板封装。该
模块能够10安培输出电流和75伏的DC总线电压的。它具有保护功能的全系列，
包括欠压锁定保护的偏置电压，跨导通控制和用户可编程死区时间
控制直通消除。此外，桥可以通过使用使能控制被关闭。该MSK
4400提供了MOSFET的良好的导热性，由于孤立板设计，允许直接散热
该设备没有绝缘体。
等效原理图
典型应用
3相无刷直流
伺服控制
鳍片执行器控制
框架控制
3相交流
感应电机控制
暖通空调鼓风机控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚分配信息
N / C
N / C
N / C
BH
BL
AL
AH
GND
SWR
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CO
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AO
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RSENSE
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-40°C至+ 125°C
+150°C
○
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电气规格
参数
控制部分
V
BIAS
静态电流
V
BIAS
工作电流
4
4
所有输入关闭
F =为20KHz，占空比为50％
-
-
5.75
6.2
-
2.7
V
IN
=0V
V
IN
=5V
I
D
= 100μA ，所有输入关闭
V
DS
=70V
1
4
I
D
=25A
I
D
=10A
V+=38V
I
D
= 25A峰值
60
-1
75
-
-
-
-
-
-
-
SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR =打开
SWR=12K
I
SD
=10A
I
SD
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
-
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6.0
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MAMP
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伏
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微安
微安
V
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纳秒
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微秒
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伏
纳秒
测试条件
@ 25 ° C除非另有说明
MSK 4400
分钟。
典型值。 3
马克斯。
单位
欠压阈值（下降）
欠压阈值（瑞星）
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高电平输入电流
输出桥
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源导通电阻（每个FET ）
跨桥相电压降
开关特性
上升时间
下降时间
启用打开，在传播延迟（下）
开启关断传播延迟（下）
启用打开，在传播延迟（上）
开启关断传播延迟（上）
死区时间
死区时间4
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压
反向恢复时间
2
注意事项：
1
2
3
4
使用不超过MOSFET的结温计算。
使用的整体效率和功耗计算。
典型的参数是代表实际器件性能，但是仅用于参考。
参数是对生产设备的100 ％测试。所有其他参数都保证。
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Rev.E 6/01
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V+
V
BIAS
V
IND
I
OUT
I
PK
高电压源
75V
偏置电源
16V
逻辑输入电压
-0.3V到V
BIAS
+0.3V
连续输出电流
10A
峰值输出电流
25A
θ
JC
热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
C
情况下的工作温度
T
J
结温
3.9 C / W
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
机械的特定网络阳离子
注：所有尺寸均为± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK4400S
MSK4400D
MSK4400U
领导
选项
直
下
Up
筛选LEVEL
产业
产业
产业
4707戴伊路，利物浦，NY 13088
电话（ 315 ） 701-6751
传真（ 315 ） 701-6752
www.mskennedy.com
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然而，改变其产品或规格，恕不另行通知，并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的公司网址为最近该数据表的修改。
5
英文内容6/01
.M.S。肯尼迪公司
ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
产品特点：
10安培， 75V ，3相MOSFET
桥智能
集成门极驱动器
4400
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦， M / Y 。 13088
75伏汽车电源电压
10安培输出开关功能，全N沟道MOSFET输出大桥
100 ％占空比高端传导有能力
适合的PWM应用从DC到100KHz的
直通/交叉传导保护
欠压锁定保护
可编程死区时间控制
低电平有效使能桥关断控制
隔离底板设计的高电压隔离加上良好的热传递
描述：
该MSK 4400是一个三相桥式MOSFET驱动器加在一个方便的隔离基板封装。该
模块能够10安培输出电流和75伏的DC总线电压的。它具有保护功能的全系列，
包括欠压锁定保护的偏置电压，跨导通控制和用户可编程死区时间
控制直通消除。此外，桥可以通过使用使能控制被关闭。该MSK
4400提供了MOSFET的良好的导热性，由于孤立板设计，允许直接散热
该设备没有绝缘体。
等效原理图
典型应用
3相无刷直流
伺服控制
鳍片执行器控制
框架控制
3相交流
感应电机控制
暖通空调鼓风机控制
1
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10
引脚分配信息
N / C
N / C
N / C
BH
BL
AL
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SWR
VBIAS
20
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BO
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CV +
CV +
CO
CO
N / C
CH
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EN
1
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AV +
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RSENSE
RSENSE
BV +
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英文内容6/01
绝对最大额定值
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电气规格
参数
控制部分
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BIAS
静态电流
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BIAS
工作电流
4
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所有输入关闭
F =为20KHz，占空比为50％
-
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5.75
6.2
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2.7
V
IN
=0V
V
IN
=5V
I
D
= 100μA ，所有输入关闭
V
DS
=70V
1
4
I
D
=25A
I
D
=10A
V+=38V
I
D
= 25A峰值
60
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SWR电阻=
∞
SWR电阻=
∞
SWR =打开
SWR=12K
I
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=10A
I
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= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
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微安
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测试条件
@ 25 ° C除非另有说明
MSK 4400
分钟。
典型值。 3
马克斯。
单位
欠压阈值（下降）
欠压阈值（瑞星）
低电平输入电压
高电平输入电压
低电平输入电流
高电平输入电流
输出桥
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
漏源导通电阻（每个FET ）
跨桥相电压降
开关特性
上升时间
下降时间
启用打开，在传播延迟（下）
开启关断传播延迟（下）
启用打开，在传播延迟（上）
开启关断传播延迟（上）
死区时间
死区时间4
源极 - 漏极二极管的特性
正向电压
反向恢复时间
2
注意事项：
1
2
3
4
使用不超过MOSFET的结温计算。
使用的整体效率和功耗计算。
典型的参数是代表实际器件性能，但是仅用于参考。
参数是对生产设备的100 ％测试。所有其他参数都保证。
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高电压源
75V
偏置电源
16V
逻辑输入电压
-0.3V到V
BIAS
+0.3V
连续输出电流
10A
峰值输出电流
25A
θ
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热阻
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
（10秒）
T
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情况下的工作温度
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结温
3.9 C / W
-55 ° C至+ 150°C
+300°C
机械的特定网络阳离子
注：所有尺寸均为± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
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MSK4400S
MSK4400D
MSK4400U
领导
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产业
产业
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4707戴伊路，利物浦，NY 13088
电话（ 315 ） 701-6751
传真（ 315 ） 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的，在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而，改变其产品或规格，恕不另行通知，并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的公司网址为最近该数据表的修改。
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英文内容6/01
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