ISO 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
100伏10安培抗辐射
H桥PWM电机
驱动器/放大器
4204RH
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦,NY 13088
产品特点:
100伏特, 10安培能力
自包含智能低压侧/高压侧驱动电路
内部PWM产生,击穿保护
孤立的案例可直接散热
可充分筛选,以MIL -PRF- 38534 K类和H类
总测试剂量为300K RAD
逻辑电平关断输入
输出级包括阻塞二极管
MIL -PRF- 38534认证
描述:
MSK的4204RH是抗辐射的完整的H桥的微电路旨在用于直流有刷电机控制
应用程序或D类开关模式放大空间或其他恶劣的工作环境。内部康波
堂费已选定为总剂量可达300K RAD军事和空间应用。所有的驱动器/控制
电路,用于将低压侧和高压侧开关是在器件内部。该PWM电路是内部的,以及,离开
用户仅提供一个模拟信号对电机速度/方向,或音频信号,用于转换式音频放大。该
MSK 4204RH封装在一个节省空间的隔离电源方案,提供三种形式的领先配置,可
可以直接连接到一个散热器。
等效原理图
典型应用
引脚分配信息
1
2
3
4
5
6
7
1
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
8
9
10
11
12
13
14
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
15
16
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18
19
20
21
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
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28
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
初步修订本 - 10/05
电气规格
参数
测试条件
1
小组
A组
4
MSK 4204RH
3
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出特性
VDS (ON )电压(二极管与MOSFET )
2
I
D
=10A
1
2
3
正向电压
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
40
待定
待定
待定
待定
待定
待定
0.06
25
100
25
45
待定
待定
待定
待定
待定
待定
0.1
200
800
200
50
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
千赫
1
I
S
=10A
2
3
的RDS(ON ),每个场效应晶体管
2 6
漏电流,每个MOSFET
2
ID = 10A TC = 25°C
-
1
V+=100V
2
3
PWM频率
VCC
电源特性
V
IN
=7.5V
4,5,6
静态电流
输出占空比
1,2,3
-
待定
待定
mA
V
IN
= 7.5V两路输出测试
V
IN
=15V
输出A = 100 %占空比高
输出B = 0 %占空比低
V
IN
= 0V
开关特性
上升时间
下降时间
死区时间
R
L
= 1K A到B
R
L
= 1K A到B
R
L
= 50Ω一上到一个较低的
R
L
= 50Ω B上到B低
逻辑控制输入
关断输入
输入电压LO
输入电压HI
输入电流(高或低)
输出A = 0 %占空比低
输出B = 100 %占空比高
4,5,6
7
40
-
50
VERIFY
60
-
%
P / F
7
-
VERIFY
-
P / F
4
4
4
4
-
-
-
20
20
待定
待定
100
100
待定
待定
nS
nS
nS
nS
1,2,3
1,2,3
1,2,3
-
2.0
-
-
-
±100
0.8
-
±250
V
V
uA
注意事项:
V
CC
=
15V
,
V+=28V
,
R
SENSE
A,B =接地,关闭= 0V ,除非另有规定。
通过设计保证,但未经测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
设备应为100 %测试,以分组1,2,3,4和7小组5和6的测试可根据要求提供。
小组1,4,7
T
A
=T
C
=
+25°C
2,5
T
A
=T
C
=
+125°C
3,6
T
A
=
T
C
=
-55°C
5工业级和"E"后缀装置应仅在25 ℃, 100 %测试。
6内部的导通电阻只用于模具。本应该用于仅热计算。
7 ,请咨询工厂进行后期辐射限值。
1
2
3
4
2
初步修订本 - 10/05
绝对最大额定值
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
1
-55 ° C至+ 125°C
+175°C
3.5°C/W
TBD ° C / W
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
注意:
达到或超过绝对最大额定值可能adversly 1连续运行
影响器件的性能和/或生命周期。
应用笔记
MSK 4204RH引脚说明
+ Vcc的
- 是低电压电源的内部供电
逻辑和驱动程序的低边和高边MOSFET的。
该系列电源的高边驱动源于此
电压。最佳的操作发生在V
CC
设置为15V 。
GND
- 是用于将输入逻辑应答连接并
VCC 。
输入
- 是一个模拟输入端,用于控制所述PWM脉冲
宽度的桥梁。电压高于7.5V将亲
达斯大于50 %的占空比的脉冲输出的出
答:电压低于7.5V会产生大于
50 %占空比的脉冲输出出来的B.
关闭
- 是禁用所有4个输出连接
开关。 SHUTDOWN高覆盖所有其他投入。
正常时为低电平,一切功能。一个跨
最终上拉至Vcc将保持关断高,如果离开了不整合
连接的。如果不使用该引脚应接地。
AV + BV +
- 是高压H桥电源引脚。
MOSFET的获得这些供应的驱动电流
销。该电压由驱动器集成电路的限制。 MOSFET的
的额定电压为100伏。适当绕过至GND,
充足的电容,以抑制任何电压瞬变,
并保证除去所有下垂的切换过程中,
应该做尽可能靠近引脚上的混合动力作为POS-
sible 。
A
- 是输出引脚一半的桥。在 -
压痕输入电压增加的原因占空比
在此输出。
B
- 这是在输出引脚桥的另一半。
降低输入电压上升原因占空比
在此输出。
AV-
- 是否为一个半的底部连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测,也可以CON组
连接的直接接地。在这些最大电压
引脚为± 5伏相对于GND 。
BV-
- 这是对B一半的底部连接
桥梁。这可能有一个检测电阻器连接
V +返回地面限流检测,也可以CON组
连接的直接接地。在这些最大电压
引脚为± 5伏相对于GND 。
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○
V+
V
CC
I
OUT
I
PK
V
OUT
V
IN
V
L
高电压源
100V
逻辑电源
16.5V
连续输出电流
10A
峰值输出电流
23A
输出电压范围
GND - 5V分钟。到V +最大。
输入电压
VCC
逻辑输入电压(关机)
OV TO V
CC
T
ST
存储温度范围
T
LD
铅温度范围
(10秒)
T
C
情况下的工作温度
T
J
结温
θJC
热阻
(输出端F
ETS
@ 125°C)
(输出继电器二极管@ 125°C )
-65 ° C至+ 150°C
300°C
典型的系统操作
这是MSK 4204RH的一个典型应用的示意图。设计Vcc的电压是15伏,并应具有良好的低
ESR的旁路电容,如钽。模拟输入可以是来自电位器的模拟速度控制电压,另
模拟电路或由微处理器和一个D / A转换器。该模拟输入被通过所述电流控制电路在适当的拉
方向,以减少电流流过电桥,如果它太高。电流控制放大器的增益,将具有被设置为
得到的电流适量限流所必需的系统。
电流检测是在这种情况下完成由一个感应电阻为0.1Ω以感测来自两个腿的桥分别电流。这是
重要的是使高电流迹线尽可能的大,以保持电感下降。存储电容器连接到V +的
和混合应足够大,以提供无电压下垂太多的高能量脉冲。低ESR陶瓷
电容器或大聚丙烯电容器是必要的。安装电容器尽可能靠近混合越好。之间的连接
GND和V +的回报应该不会携带任何电机电流。检测电阻信号的共模滤波必要
喂限制电路为微处理器。这个应用程序将允许完全四象限转矩控制为闭环
伺服系统。
甲缓冲网络通常是必需的,由于在电源回路电感。设计缓冲网络到是很重要的
抑制100V以上任何正峰值和负峰值低于-4V相对于地。
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