ISO 9001认证DSCC
.M.S。肯尼迪公司
H- BRIDGE
MOSFET功率模块
3020
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
引脚兼容MPM3002和MPM3012
P和N沟道MOSFET易于驱动的
N沟道电流检测MOSFET的无损检测
隔离包用于直接散热，导热性极佳
额定雪崩设备
100伏特， 10安培全H桥
描述：
该MSK 3020是封装在一个节省空间的隔离陶瓷片Power SIP封装的H桥功率电路。
该MSK 3020由P沟道MOSFET的顶级晶体管和N沟道MOSFET的底部
晶体管。 N沟道MOSFET的电流感应，允许无损电流检测的电流控制
应用程序。该MSK 3020采用.M.S。肯尼迪的成熟的混合动力技术，带来了经济高效的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。该MSK 3020是针
与MPM3002和MPM3012在规范一些差异兼容。
等效原理图
典型应用
步进电机伺服控制
磁盘驱动器磁头控制
X-Y工作台控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
引脚分配信息
门Q1
来源Q1
漏极1,2
Q2门
Q2感
开尔文源2 ， 3
7
8
9
10
11
12
源2 ， 3
Q3感
门Q3
漏极3,4
Q4门
源4
1
版本A 7/00
绝对最大额定值
V
DSS
V
DGDR
V
GS
I
D
I
DM
R
TH- JC
漏源极电压100V ........... MAX
漏极至栅极电压
（ RGS = 1兆瓦） ........................ 100V MAX
栅极至源极电压
（连续） ........................... ± 20V MAX
连续电流.................... 10A MAX
脉冲电流........................... 25A MAX
热阻
（结点到外壳） ......................... 4.0 ° C / W
感应电流 - 连续...... 13毫安
单脉冲雪崩能量
（ Q1 ， Q4 ） ............................................. ........... 7.9兆焦耳
（ Q2 ， Q3 ） ............................................. ............ 69兆焦耳
结温............................ + 175 ° C（最大值）
存储温度........................ -55°C
to
1
5
0
°
C
案例工作温度范围.... -55°C
to
1
2
5
°
C
铅温度范围
（ 10秒） ........................................... 300℃ MAX
I
M
最大
I
MM
感电流峰值................. 33毫安
电气规格
最大
参数
漏源击穿电压
漏镜击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
2
3
1
T
J
T
ST
+
T
C
+
T
LD
测试条件4
V
GS
= 0
I
D
= 0.25 mA（所有晶体管）
V
DS
= 100V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
GS
= 0
V
DS
= 100V V
GS
= 0V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= -100V V
GS
= 0V ， （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= ±20V
V
DS
= 0V （所有晶体管）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
DS
= 50V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
DS
= -50V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
I
D
= 14A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 14A
R
G
= 12W
R
D
= 3.5W
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V我
D
= 14A
I
D
= -8.4A
V
DS
= -80V
V
GS
= -10V
V
DD
= -50V
I
D
= -8.4A
R
G
= 9.1W
R
D
= 6.2W
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
I
S
= 14A V
GS
= 0V （ Q2，Q3 ）
I
S
= -14A V
GS
= 0V （ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
MSK 3020
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
-
-
-
2.0
-2.0
-
-
-
-
4.7
3.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
nA
V
V
W
W
W
W
S
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
pF
r
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
V
nS
nS
C
nC
N沟道（ Q2 ， Q3 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
感测单元1的输出电容
电流检测比率1
P- CHANNEL （ Q1 ， Q4 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
1
1
-
-
25
-25
±100
4.0
-4.0
0.26
0.31
0.16
0.20
-
-
26
5.5
11
-
-
-
-
-
-
-
-
1540
58
8.3
32
-
-
-
-
-
-
-
-
-
310
71
1.2
970
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1390
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9.5
42
22
25
700
320
83
9
-
-
-
-
15
58
45
46
760
260
170
2.5
-1.6
150
47
0.85
650
注意事项：
1此参数由设计保证，但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能
但是仅供参考。
2阻力在封装引脚看到。
3阻力模具只;用于热计算。
4 T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
版本A 7/00
2
应用笔记
N沟道栅极（ Q2 ， Q3 ） ：
用于驱动N沟道栅极，它要记住它是本质上喜欢找到一个电容到一个足够重要的是
电压，以获得通道完全打开。驱动栅极到15伏相对于它们的源确保了晶体管
是的。这将保持耗散降低到最低水平。如何快速门被打开和关闭会
确定晶体管的功耗，同时它是从OFF到ON ，反之亦然过渡。在接通栅极和
关太慢会造成过大的功耗，同时将其打开和关闭速度过快会造成过大的开关噪声
该系统。有尽可能低的驱动阻抗为实际的晶体管的尺寸是很重要的。许多电机驱动
为MSK 3020 IC的有足够的栅极驱动能力，如果没有，并行CMOS标准门通常是
足够了。串联电阻的门电路减缓下来，同时也抑制所造成的杂散iductances任何振铃
在MOSFET电路。电阻器的选择是通过在MOSFET的速度要进行切换确定。看
图1为电路的细节。
图1
P-通道闸（ Q1 ， Q4 ） ：
大多数都适用于驱动P沟道门的N通道门。唯一的区别是， P沟道
栅极到源极电压必须为负。大多数电机驱动IC的设置了一个集电极开路或漏极输出
直接连接的P沟道栅极。如果没有，发射极的开关晶体管结构的外部通用（见
图2），将导通的P沟道MOSFET 。 MOSFET栅极驱动器的所有其他规则适用于这里。对于高电源
电压时，额外的电路，必须使用保护P沟道栅极免受过度的电压。
图2
桥驱动的注意事项：
所使用的逻辑，以打开和关闭各个晶体管允许高之间足够"dead time"是很重要
侧晶体管和低侧晶体管，以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样，这就是所谓的
"shoot - through"并将其放置在整个电源瞬间短路。这种过分强调晶体管和原因
过度的噪音。参见图3 。
科幻gure 3
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间，特别是慢下来的时候
栅极电阻。这种情况会出现切换电机方向时，或当精密的计时方案是
版本A 7/00
3
用于伺服系统，如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
应用笔记， CONT 。
利用电流检测MOSFET的：
MOSFET晶体管构建并联许多单个MOSFET单元。他们目前的总份额
很均匀。如果这些小区中的一个直接连到一个销，该单元将通过所述总的精确比例量
电流。该电流可作为整个电流的低功率感而不通过该整个电流通过
感测设备，如电阻器。这个小电流乘以在数据表中指定的比等于整体电流。
有与读出功能的工作，以获得实际的电流的几种方法。
1.虚拟地球传感
缺点是放大10安培的电流摆动在100纳秒，产生5V输出是指运算放大器具有
摆50V /微秒。这超出了很多运算放大器的功能。
2.电阻传感
缺点为R
T
电压必须高于运算放大器和R的偏移电压
T
必须是除R小得多
DS （ ON）
of
所述感测单元或温度的变化会影响精度。
4
版本A 7/00
ISO 9001认证DSCC
.M.S。肯尼迪公司
H- BRIDGE
MOSFET功率模块
3020
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
引脚兼容MPM3002和MPM3012
P和N沟道MOSFET易于驱动的
N沟道电流检测MOSFET的无损检测
隔离包用于直接散热，导热性极佳
额定雪崩设备
100伏特， 10安培全H桥
描述：
该MSK 3020是封装在一个节省空间的隔离陶瓷片Power SIP封装的H桥功率电路。
该MSK 3020由P沟道MOSFET的顶级晶体管和N沟道MOSFET的底部
晶体管。 N沟道MOSFET的电流感应，允许无损电流检测的电流控制
应用程序。该MSK 3020采用.M.S。肯尼迪的成熟的混合动力技术，带来了经济高效的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。该MSK 3020是针
与MPM3002和MPM3012在规范一些差异兼容。
等效原理图
典型应用
步进电机伺服控制
磁盘驱动器磁头控制
X-Y工作台控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
引脚分配信息
门Q1
来源Q1
漏极1,2
Q2门
Q2感
开尔文源2 ， 3
7
8
9
10
11
12
源2 ， 3
Q3感
门Q3
漏极3,4
Q4门
源4
1
版本A 7/00
绝对最大额定值
V
DSS
V
DGDR
V
GS
I
D
I
DM
R
TH- JC
漏源极电压100V ........... MAX
漏极至栅极电压
（ RGS = 1兆瓦） ........................ 100V MAX
栅极至源极电压
（连续） ........................... ± 20V MAX
连续电流.................... 10A MAX
脉冲电流........................... 25A MAX
热阻
（结点到外壳） ......................... 4.0 ° C / W
感应电流 - 连续...... 13毫安
单脉冲雪崩能量
（ Q1 ， Q4 ） ............................................. ........... 7.9兆焦耳
（ Q2 ， Q3 ） ............................................. ............ 69兆焦耳
结温............................ + 175 ° C（最大值）
存储温度........................ -55°C
to
1
5
0
°
C
案例工作温度范围.... -55°C
to
1
2
5
°
C
铅温度范围
（ 10秒） ........................................... 300℃ MAX
I
M
最大
I
MM
感电流峰值................. 33毫安
电气规格
最大
参数
漏源击穿电压
漏镜击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
2
3
1
T
J
T
ST
+
T
C
+
T
LD
测试条件4
V
GS
= 0
I
D
= 0.25 mA（所有晶体管）
V
DS
= 100V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
GS
= 0
V
DS
= 100V V
GS
= 0V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= -100V V
GS
= 0V ， （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= ±20V
V
DS
= 0V （所有晶体管）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
DS
= 50V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
DS
= -50V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
I
D
= 14A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 14A
R
G
= 12W
R
D
= 3.5W
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V我
D
= 14A
I
D
= -8.4A
V
DS
= -80V
V
GS
= -10V
V
DD
= -50V
I
D
= -8.4A
R
G
= 9.1W
R
D
= 6.2W
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
I
S
= 14A V
GS
= 0V （ Q2，Q3 ）
I
S
= -14A V
GS
= 0V （ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
MSK 3020
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
-
-
-
2.0
-2.0
-
-
-
-
4.7
3.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
nA
V
V
W
W
W
W
S
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
pF
r
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
V
nS
nS
C
nC
N沟道（ Q2 ， Q3 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
感测单元1的输出电容
电流检测比率1
P- CHANNEL （ Q1 ， Q4 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
1
1
-
-
25
-25
±100
4.0
-4.0
0.26
0.31
0.16
0.20
-
-
26
5.5
11
-
-
-
-
-
-
-
-
1540
58
8.3
32
-
-
-
-
-
-
-
-
-
310
71
1.2
970
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1390
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9.5
42
22
25
700
320
83
9
-
-
-
-
15
58
45
46
760
260
170
2.5
-1.6
150
47
0.85
650
注意事项：
1此参数由设计保证，但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能
但是仅供参考。
2阻力在封装引脚看到。
3阻力模具只;用于热计算。
4 T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
版本A 7/00
2
应用笔记
N沟道栅极（ Q2 ， Q3 ） ：
用于驱动N沟道栅极，它要记住它是本质上喜欢找到一个电容到一个足够重要的是
电压，以获得通道完全打开。驱动栅极到15伏相对于它们的源确保了晶体管
是的。这将保持耗散降低到最低水平。如何快速门被打开和关闭会
确定晶体管的功耗，同时它是从OFF到ON ，反之亦然过渡。在接通栅极和
关太慢会造成过大的功耗，同时将其打开和关闭速度过快会造成过大的开关噪声
该系统。有尽可能低的驱动阻抗为实际的晶体管的尺寸是很重要的。许多电机驱动
为MSK 3020 IC的有足够的栅极驱动能力，如果没有，并行CMOS标准门通常是
足够了。串联电阻的门电路减缓下来，同时也抑制所造成的杂散iductances任何振铃
在MOSFET电路。电阻器的选择是通过在MOSFET的速度要进行切换确定。看
图1为电路的细节。
图1
P-通道闸（ Q1 ， Q4 ） ：
大多数都适用于驱动P沟道门的N通道门。唯一的区别是， P沟道
栅极到源极电压必须为负。大多数电机驱动IC的设置了一个集电极开路或漏极输出
直接连接的P沟道栅极。如果没有，发射极的开关晶体管结构的外部通用（见
图2），将导通的P沟道MOSFET 。 MOSFET栅极驱动器的所有其他规则适用于这里。对于高电源
电压时，额外的电路，必须使用保护P沟道栅极免受过度的电压。
图2
桥驱动的注意事项：
所使用的逻辑，以打开和关闭各个晶体管允许高之间足够"dead time"是很重要
侧晶体管和低侧晶体管，以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样，这就是所谓的
"shoot - through"并将其放置在整个电源瞬间短路。这种过分强调晶体管和原因
过度的噪音。参见图3 。
科幻gure 3
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间，特别是慢下来的时候
栅极电阻。这种情况会出现切换电机方向时，或当精密的计时方案是
版本A 7/00
3
用于伺服系统，如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
应用笔记， CONT 。
利用电流检测MOSFET的：
MOSFET晶体管构建并联许多单个MOSFET单元。他们目前的总份额
很均匀。如果这些小区中的一个直接连到一个销，该单元将通过所述总的精确比例量
电流。该电流可作为整个电流的低功率感而不通过该整个电流通过
感测设备，如电阻器。这个小电流乘以在数据表中指定的比等于整体电流。
有与读出功能的工作，以获得实际的电流的几种方法。
1.虚拟地球传感
缺点是放大10安培的电流摆动在100纳秒，产生5V输出是指运算放大器具有
摆50V /微秒。这超出了很多运算放大器的功能。
2.电阻传感
缺点为R
T
电压必须高于运算放大器和R的偏移电压
T
必须是除R小得多
DS （ ON）
of
所述感测单元或温度的变化会影响精度。
4
版本A 7/00
ISO 9001认证DSCC
.M.S。肯尼迪公司
H- BRIDGE
MOSFET功率模块
3020
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦，NY 13088
产品特点：
引脚兼容MPM3002和MPM3012
P和N沟道MOSFET易于驱动的
N沟道电流检测MOSFET的无损检测
隔离包用于直接散热，导热性极佳
额定雪崩设备
100伏特， 10安培全H桥
描述：
该MSK 3020是封装在一个节省空间的隔离陶瓷片Power SIP封装的H桥功率电路。
该MSK 3020由P沟道MOSFET的顶级晶体管和N沟道MOSFET的底部
晶体管。 N沟道MOSFET的电流感应，允许无损电流检测的电流控制
应用程序。该MSK 3020采用.M.S。肯尼迪的成熟的混合动力技术，带来了经济高效的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。该MSK 3020是针
与MPM3002和MPM3012在规范一些差异兼容。
等效原理图
典型应用
步进电机伺服控制
磁盘驱动器磁头控制
X-Y工作台控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
引脚分配信息
门Q1
来源Q1
漏极1,2
Q2门
Q2感
开尔文源2 ， 3
7
8
9
10
11
12
源2 ， 3
Q3感
门Q3
漏极3,4
Q4门
源4
1
版本A 7/00
绝对最大额定值
V
DSS
V
DGDR
V
GS
I
D
I
DM
R
TH- JC
漏源极电压100V ........... MAX
漏极至栅极电压
（ RGS = 1兆瓦） ........................ 100V MAX
栅极至源极电压
（连续） ........................... ± 20V MAX
连续电流.................... 10A MAX
脉冲电流........................... 25A MAX
热阻
（结点到外壳） ......................... 4.0 ° C / W
感应电流 - 连续...... 13毫安
单脉冲雪崩能量
（ Q1 ， Q4 ） ............................................. ........... 7.9兆焦耳
（ Q2 ， Q3 ） ............................................. ............ 69兆焦耳
结温............................ + 175 ° C（最大值）
存储温度........................ -55°C
to
1
5
0
°
C
案例工作温度范围.... -55°C
to
1
2
5
°
C
铅温度范围
（ 10秒） ........................................... 300℃ MAX
I
M
最大
I
MM
感电流峰值................. 33毫安
电气规格
最大
参数
漏源击穿电压
漏镜击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
正向跨导
2
3
1
T
J
T
ST
+
T
C
+
T
LD
测试条件4
V
GS
= 0
I
D
= 0.25 mA（所有晶体管）
V
DS
= 100V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
GS
= 0
V
DS
= 100V V
GS
= 0V ， （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= -100V V
GS
= 0V ， （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= ±20V
V
DS
= 0V （所有晶体管）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q2 ， Q3 ）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
GS
= 10V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
GS
= -10V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
V
DS
= 50V我
D
= 8.4A （ Q2，Q3 ）
V
DS
= -50V我
D
= -8.4A （ Q1 ， Q4 ）
I
D
= 14A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 14A
R
G
= 12W
R
D
= 3.5W
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 10V我
D
= 14A
I
D
= -8.4A
V
DS
= -80V
V
GS
= -10V
V
DD
= -50V
I
D
= -8.4A
R
G
= 9.1W
R
D
= 6.2W
V
GS
= 0V
V
DS
= -25V
F = 1 MHz的
I
S
= 14A V
GS
= 0V （ Q2，Q3 ）
I
S
= -14A V
GS
= 0V （ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
I
S
= 14A的di / dt = 100A /μs的（ Q2 ， Q3 ）
I
S
= -8.4A的di / dt = 100A /μs的（ Q1 ， Q4 ）
MSK 3020
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
-
-
-
2.0
-2.0
-
-
-
-
4.7
3.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V
A
A
nA
V
V
W
W
W
W
S
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
pF
r
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
V
nS
nS
C
nC
N沟道（ Q2 ， Q3 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
感测单元1的输出电容
电流检测比率1
P- CHANNEL （ Q1 ， Q4 ）
总栅极电荷
1
栅极 - 源极电荷1
栅极 - 漏极电荷
1
导通延迟时间1
上升时间
1
关断延迟时间1
下降时间
1
输入电容
1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
1
1
1
-
-
25
-25
±100
4.0
-4.0
0.26
0.31
0.16
0.20
-
-
26
5.5
11
-
-
-
-
-
-
-
-
1540
58
8.3
32
-
-
-
-
-
-
-
-
-
310
71
1.2
970
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1390
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
9.5
42
22
25
700
320
83
9
-
-
-
-
15
58
45
46
760
260
170
2.5
-1.6
150
47
0.85
650
注意事项：
1此参数由设计保证，但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能
但是仅供参考。
2阻力在封装引脚看到。
3阻力模具只;用于热计算。
4 T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
版本A 7/00
2
应用笔记
N沟道栅极（ Q2 ， Q3 ） ：
用于驱动N沟道栅极，它要记住它是本质上喜欢找到一个电容到一个足够重要的是
电压，以获得通道完全打开。驱动栅极到15伏相对于它们的源确保了晶体管
是的。这将保持耗散降低到最低水平。如何快速门被打开和关闭会
确定晶体管的功耗，同时它是从OFF到ON ，反之亦然过渡。在接通栅极和
关太慢会造成过大的功耗，同时将其打开和关闭速度过快会造成过大的开关噪声
该系统。有尽可能低的驱动阻抗为实际的晶体管的尺寸是很重要的。许多电机驱动
为MSK 3020 IC的有足够的栅极驱动能力，如果没有，并行CMOS标准门通常是
足够了。串联电阻的门电路减缓下来，同时也抑制所造成的杂散iductances任何振铃
在MOSFET电路。电阻器的选择是通过在MOSFET的速度要进行切换确定。看
图1为电路的细节。
图1
P-通道闸（ Q1 ， Q4 ） ：
大多数都适用于驱动P沟道门的N通道门。唯一的区别是， P沟道
栅极到源极电压必须为负。大多数电机驱动IC的设置了一个集电极开路或漏极输出
直接连接的P沟道栅极。如果没有，发射极的开关晶体管结构的外部通用（见
图2），将导通的P沟道MOSFET 。 MOSFET栅极驱动器的所有其他规则适用于这里。对于高电源
电压时，额外的电路，必须使用保护P沟道栅极免受过度的电压。
图2
桥驱动的注意事项：
所使用的逻辑，以打开和关闭各个晶体管允许高之间足够"dead time"是很重要
侧晶体管和低侧晶体管，以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样，这就是所谓的
"shoot - through"并将其放置在整个电源瞬间短路。这种过分强调晶体管和原因
过度的噪音。参见图3 。
科幻gure 3
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间，特别是慢下来的时候
栅极电阻。这种情况会出现切换电机方向时，或当精密的计时方案是
版本A 7/00
3
用于伺服系统，如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
应用笔记， CONT 。
利用电流检测MOSFET的：
MOSFET晶体管构建并联许多单个MOSFET单元。他们目前的总份额
很均匀。如果这些小区中的一个直接连到一个销，该单元将通过所述总的精确比例量
电流。该电流可作为整个电流的低功率感而不通过该整个电流通过
感测设备，如电阻器。这个小电流乘以在数据表中指定的比等于整体电流。
有与读出功能的工作，以获得实际的电流的几种方法。
1.虚拟地球传感
缺点是放大10安培的电流摆动在100纳秒，产生5V输出是指运算放大器具有
摆50V /微秒。这超出了很多运算放大器的功能。
2.电阻传感
缺点为R
T
电压必须高于运算放大器和R的偏移电压
T
必须是除R小得多
DS （ ON）
of
所述感测单元或温度的变化会影响精度。
4
版本A 7/00
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