ISO- 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
产品特点:
三相桥式
MOSFET功率模块
3015
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦,NY 13088
所有N沟道MOSFET
隔离包用于直接散热,导热性极佳
额定雪崩设备
与大多数无刷电机驱动IC的
100伏特, 23安培完整三相桥式25℃
描述:
该MSK 3015是一个全N沟道三相功率MOSFET桥电路。封装在一个节省空间的隔离
陶瓷片功率的SIP ,其允许直接散热,该MSK 3015可与无刷一系列广泛进行接口
马达驱动IC的。该MSK 3015采用MS肯尼迪的成熟混合动力技术生产的具有成本效益的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。
等效原理图
典型应用
三相无刷直流电机伺服控制
磁盘驱动器主轴控制
鳍片执行器控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
1
1
引脚分配信息
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
Q2门
门Q1
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
Q4门
门Q3
漏Q3 , Q4来源
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
漏Q3 , Q4来源
漏Q3 , Q4来源
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
门Q6
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
门Q5
牧师 - 8月1日
绝对最大额定值
T
J
T
ST
T
C
T
LD
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
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○
○
○
V
GS
I
D
I
DM
R
TH- JC
R
TH- JC
1.2°C/W
2.0°C/W
电气规格
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
正向跨导1
总栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
栅极 - 源极电荷1
测试条件
4
V
GS
=0 I
D
=0.25mA
V
DS
=100V V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
= 10V ID = 23A
V
GS
= 10V我
D
=23A
V
DS
= 25V我
D
=23A
I
D
= 23A
V
DS
=80V
V
GS
= 10V
V
DD
=50V
I
D
= 23A
R
G
= 6.2
R
D
= 1.2
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1MHz
I
S
= 23 A V
GS
=0V
I
S
=三条的di / dt = 100A /μs的
MSK3015
分钟。
100
-
-
2.0
-
-
13
-
-
-
-
-
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典型值。
-
-
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-
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-
-
16
120
60
81
2800
1100
280
2.5
220
1.9
马克斯。
-
250
±100
4.0
0.09
0.06
-
140
29
68
-
-
-
-
-
-
-
-
330
2.9
单位
V
A
nA
V
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
nS
C
关断延迟时间1
输入电容1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
1
反向恢复时间1
反向恢复电荷1
注意事项:
1
2
3
4
此参数由设计保证,但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
阻力见于封装引脚。
电阻只能等死;用于热计算。
T
A
= 25°C除非另有规定。
2
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
± 20V MAX
23A MAX
41A MAX
○
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100V MAX
○
○
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○
V
DSS
V
DGDR
○
○
漏源极电压
漏极至栅极电压
(R
GS
=1M)
栅极至源极电压
(连续)
连续电流
脉冲电流
热阻
(结点到外壳) @ 25°C
热阻
(结点到外壳) @ 125°C
○
○
○
○
○
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○
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○
○
○
○
○
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○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
100V MAX
单脉冲雪崩能量
830兆焦耳
结温
+ 150 ° C最大
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
案例工作温度范围-55 ° C至+ 125°C
铅温度范围
(10秒)
300 ° C(最大值)
牧师 - 8月1日
应用笔记
桥驱动的注意事项
所使用的逻辑,以打开和关闭各个晶体管允许高侧之间提供足够的"dead time"是很重要
晶体管和低侧晶体管,以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样,这就是所谓的"shoot - through" ,
并将其放置在整个电源的瞬间短路。这种过分强调了晶体管,并导致过多的噪音。
参见图1 。
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间,尤其是门慢下来的时候
电阻器。这种情况会出现切换马达的方向时,或当复杂的定时方案被用于伺服
系统如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
图1
3
牧师 - 8月1日
机械的特定网络阳离子
所有尺寸± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK 3015
筛选LEVEL
产业
4707戴伊路,利物浦,纽约州13088
电话( 315 ) 701-6751
传真( 315 ) 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的,在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而,改变其产品或规格,恕不另行通知,并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站,了解最新的这个数据表的修改。
.M.S。肯尼迪公司
5
牧师 - 8月1日
ISO- 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
产品特点:
三相桥式
MOSFET功率模块
3015
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦,NY 13088
所有N沟道MOSFET
隔离包用于直接散热,导热性极佳
额定雪崩设备
与大多数无刷电机驱动IC的
100伏特, 23安培完整三相桥式25℃
描述:
该MSK 3015是一个全N沟道三相功率MOSFET桥电路。封装在一个节省空间的隔离
陶瓷片功率的SIP ,其允许直接散热,该MSK 3015可与无刷一系列广泛进行接口
马达驱动IC的。该MSK 3015采用MS肯尼迪的成熟混合动力技术生产的具有成本效益的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。
等效原理图
典型应用
三相无刷直流电机伺服控制
磁盘驱动器主轴控制
鳍片执行器控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
1
1
引脚分配信息
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
Q2门
门Q1
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
Q4门
门Q3
漏Q3 , Q4来源
12
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16
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漏Q3 , Q4来源
漏Q3 , Q4来源
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
门Q6
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
门Q5
牧师 - 8月1日
绝对最大额定值
T
J
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ST
T
C
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LD
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V
GS
I
D
I
DM
R
TH- JC
R
TH- JC
1.2°C/W
2.0°C/W
电气规格
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
正向跨导1
总栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
栅极 - 源极电荷1
测试条件
4
V
GS
=0 I
D
=0.25mA
V
DS
=100V V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
= 10V ID = 23A
V
GS
= 10V我
D
=23A
V
DS
= 25V我
D
=23A
I
D
= 23A
V
DS
=80V
V
GS
= 10V
V
DD
=50V
I
D
= 23A
R
G
= 6.2
R
D
= 1.2
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1MHz
I
S
= 23 A V
GS
=0V
I
S
=三条的di / dt = 100A /μs的
MSK3015
分钟。
100
-
-
2.0
-
-
13
-
-
-
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
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-
-
-
16
120
60
81
2800
1100
280
2.5
220
1.9
马克斯。
-
250
±100
4.0
0.09
0.06
-
140
29
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-
330
2.9
单位
V
A
nA
V
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
nS
C
关断延迟时间1
输入电容1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
1
反向恢复时间1
反向恢复电荷1
注意事项:
1
2
3
4
此参数由设计保证,但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
阻力见于封装引脚。
电阻只能等死;用于热计算。
T
A
= 25°C除非另有规定。
2
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
○
± 20V MAX
23A MAX
41A MAX
○
○
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100V MAX
○
○
○
○
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V
DSS
V
DGDR
○
○
漏源极电压
漏极至栅极电压
(R
GS
=1M)
栅极至源极电压
(连续)
连续电流
脉冲电流
热阻
(结点到外壳) @ 25°C
热阻
(结点到外壳) @ 125°C
○
○
○
○
○
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○
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100V MAX
单脉冲雪崩能量
830兆焦耳
结温
+ 150 ° C最大
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
案例工作温度范围-55 ° C至+ 125°C
铅温度范围
(10秒)
300 ° C(最大值)
牧师 - 8月1日
应用笔记
桥驱动的注意事项
所使用的逻辑,以打开和关闭各个晶体管允许高侧之间提供足够的"dead time"是很重要
晶体管和低侧晶体管,以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样,这就是所谓的"shoot - through" ,
并将其放置在整个电源的瞬间短路。这种过分强调了晶体管,并导致过多的噪音。
参见图1 。
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间,尤其是门慢下来的时候
电阻器。这种情况会出现切换马达的方向时,或当复杂的定时方案被用于伺服
系统如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
图1
3
牧师 - 8月1日
机械的特定网络阳离子
所有尺寸± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK 3015
筛选LEVEL
产业
4707戴伊路,利物浦,纽约州13088
电话( 315 ) 701-6751
传真( 315 ) 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的,在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而,改变其产品或规格,恕不另行通知,并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站,了解最新的这个数据表的修改。
.M.S。肯尼迪公司
5
牧师 - 8月1日
ISO- 9001认证DSCC
M.S.KENNEDY CORP 。
产品特点:
三相桥式
MOSFET功率模块
3015
(315) 701-6751
4707戴伊路的利物浦,NY 13088
所有N沟道MOSFET
隔离包用于直接散热,导热性极佳
额定雪崩设备
与大多数无刷电机驱动IC的
100伏特, 23安培完整三相桥式25℃
描述:
该MSK 3015是一个全N沟道三相功率MOSFET桥电路。封装在一个节省空间的隔离
陶瓷片功率的SIP ,其允许直接散热,该MSK 3015可与无刷一系列广泛进行接口
马达驱动IC的。该MSK 3015采用MS肯尼迪的成熟混合动力技术生产的具有成本效益的高
在当今复杂的伺服电机和驱动器系统的使用性能的电路。
等效原理图
典型应用
三相无刷直流电机伺服控制
磁盘驱动器主轴控制
鳍片执行器控制
AZ-萨尔瓦多天线控制
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
1
1
引脚分配信息
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
漏Q2 , Q4 , Q6
Q2门
门Q1
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
漏Q1 , Q2源
Q4门
门Q3
漏Q3 , Q4来源
12
13
14
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16
17
18
19
20
21
漏Q3 , Q4来源
漏Q3 , Q4来源
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
源Q1 , Q3 , Q5
门Q6
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
漏Q5 , Q6来源
门Q5
牧师 - 8月1日
绝对最大额定值
T
J
T
ST
T
C
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V
GS
I
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R
TH- JC
R
TH- JC
1.2°C/W
2.0°C/W
电气规格
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏极 - 源极导通电阻2
漏极 - 源极导通电阻3
正向跨导1
总栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
下降时间
1
1
1
1
1
栅极 - 源极电荷1
测试条件
4
V
GS
=0 I
D
=0.25mA
V
DS
=100V V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
= 10V ID = 23A
V
GS
= 10V我
D
=23A
V
DS
= 25V我
D
=23A
I
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= 23A
V
DS
=80V
V
GS
= 10V
V
DD
=50V
I
D
= 23A
R
G
= 6.2
R
D
= 1.2
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1MHz
I
S
= 23 A V
GS
=0V
I
S
=三条的di / dt = 100A /μs的
MSK3015
分钟。
100
-
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2.0
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典型值。
-
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16
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60
81
2800
1100
280
2.5
220
1.9
马克斯。
-
250
±100
4.0
0.09
0.06
-
140
29
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330
2.9
单位
V
A
nA
V
S
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
pF
pF
pF
V
nS
C
关断延迟时间1
输入电容1
输出电容1
反向传输电容1
体二极管
正向电压上
1
反向恢复时间1
反向恢复电荷1
注意事项:
1
2
3
4
此参数由设计保证,但不需要进行测试。典型的参数是代表实际器件性能,但是仅用于参考。
阻力见于封装引脚。
电阻只能等死;用于热计算。
T
A
= 25°C除非另有规定。
2
○
○
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± 20V MAX
23A MAX
41A MAX
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100V MAX
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DGDR
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漏源极电压
漏极至栅极电压
(R
GS
=1M)
栅极至源极电压
(连续)
连续电流
脉冲电流
热阻
(结点到外壳) @ 25°C
热阻
(结点到外壳) @ 125°C
○
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100V MAX
单脉冲雪崩能量
830兆焦耳
结温
+ 150 ° C最大
储存温度
-55 ° C至+ 150°C
案例工作温度范围-55 ° C至+ 125°C
铅温度范围
(10秒)
300 ° C(最大值)
牧师 - 8月1日
应用笔记
桥驱动的注意事项
所使用的逻辑,以打开和关闭各个晶体管允许高侧之间提供足够的"dead time"是很重要
晶体管和低侧晶体管,以确保在任何时候都是他们俩开。如果是这样,这就是所谓的"shoot - through" ,
并将其放置在整个电源的瞬间短路。这种过分强调了晶体管,并导致过多的噪音。
参见图1 。
此死区时间应允许导通和关闭晶体管的关断时间,尤其是门慢下来的时候
电阻器。这种情况会出现切换马达的方向时,或当复杂的定时方案被用于伺服
系统如锁定反相PWM'ing高带宽操作。
图1
3
牧师 - 8月1日
机械的特定网络阳离子
所有尺寸± 0.010英寸除非另有标注。
订购信息
部分
数
MSK 3015
筛选LEVEL
产业
4707戴伊路,利物浦,纽约州13088
电话( 315 ) 701-6751
传真( 315 ) 701-6752
www.mskennedy.com
此处包含的信息被认为是准确的,在印刷的时候。 MSK保留做出正确的
然而,改变其产品或规格,恕不另行通知,并且对使用其产品的任何责任。
请访问我们的网站,了解最新的这个数据表的修改。
.M.S。肯尼迪公司
5
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