MSD601 - RT1 ， MSD601 -ST1
首选设备
NPN通用
放大器晶体管
表面贴装
特点
无铅包可用
http://onsemi.com
集热器
3
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
价值
60
50
7.0
100
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
3
2
BASE
1
辐射源
记号
图
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
200
150
55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
2
1
SC59
CASE 318D
YX M
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
= R为电阻RT1
S代表ST1
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
x
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 启示录7
出版订单号：
MSD601RT1/D
MSD601 - RT1 ， MSD601 -ST1
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
直流电流增益（注1 ）
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 2.0 MADC ）
MSD601RT1
MSD601ST1
(V
CE
= 2.0伏，我
C
= 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
特区
≤
2%.
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
民
50
60
70
最大
0.1
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
210
290
90
340
460
0.5
VDC
订购信息
设备
MSD601RT1
MSD601RT1G
MSD601ST1
MSD601ST1G
包
SC59
SC59
（无铅）
SC59
SC59
（无铅）
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MSD601 - RT1 ， MSD601 -ST1
包装尺寸
SC59
CASE 318D -04
ISSUE摹
D
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3
H
E
2
1
E
b
e
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
1.00
0.01
0.35
0.09
2.70
1.30
1.70
0.20
2.50
MILLIMETERS
喃
最大
1.15
1.30
0.06
0.10
0.43
0.50
0.14
0.18
2.90
3.10
1.50
1.70
1.90
2.10
0.40
0.60
2.80
3.00
民
0.039
0.001
0.014
0.003
0.106
0.051
0.067
0.008
0.099
英寸
喃
0.045
0.002
0.017
0.005
0.114
0.059
0.075
0.016
0.110
最大
0.051
0.004
0.020
0.007
0.122
0.067
0.083
0.024
0.118
A
A1
L
C
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.4
0.094
1.0
0.039
0.8
0.031
mm
英寸
SCALE 10 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
http://onsemi.com
3
MSD601 - RT1 ， MSD601 -ST1
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
4
MSD601RT1/D
乐山无线电公司， LTD 。
NPN通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSD601–RT1
MSD601–ST1
3
2
2
BASE
1
辐射源
例
1
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
60
50
7.0
100
200
最大
200
150
–55 ~ +150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
单位
mW
°C
°C
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
318D -03 ，样式1
SC–59
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
特征
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
直流电流增益
(1)
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 2.0 MADC ）
MSD601-RT1
MSD601-ST1
电气特性
(T
A
= 25°C)
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
—
(V
CE
= 2.0伏，我
C
= 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
直流< 2％。
器件标识
标记符号
YR
X
MSD601–RT1
YS
X
MSD601–ST1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N6–1/1
乐山无线电公司， LTD 。
NPN通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSD601–RT1
MSD601–ST1
3
2
2
BASE
1
辐射源
例
1
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
60
50
7.0
100
200
最大
200
150
–55 ~ +150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
单位
mW
°C
°C
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
318D -03 ，样式1
SC–59
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
特征
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
直流电流增益
(1)
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 2.0 MADC ）
MSD601-RT1
MSD601-ST1
电气特性
(T
A
= 25°C)
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
—
(V
CE
= 2.0伏，我
C
= 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
直流< 2％。
器件标识
标记符号
YR
X
MSD601–RT1
YS
X
MSD601–ST1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N6–1/1
NPN通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSD601–RT1
MSD601–ST1
3
1
2
BASE
1
辐射源
例
2
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
60
50
7.0
100
200
最大
200
150
–55 ~ +150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
单位
mW
°C
°C
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
318D -03 ，样式1
SC–59
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
特征
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 2.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= 45伏直流，我
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流（V
CE
= 10 VDC ，我
B
= 0)
直流电流增益
(1)
(V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 2.0 MADC ）
MSD601-RT1
MSD601-ST1
电气特性
(T
A
= 25°C)
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
—
(V
CE
= 2.0伏，我
C
= 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300
s,
直流< 2％。
器件标识
标记符号
YR
X
MSD601–RT1
YS
X
MSD601–ST1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N6–1/1
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSD601 - RT1 / D
NPN通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSD601-RT1*
MSD601-ST1
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
60
50
7.0
100
200
2
BASE
1
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
3
2
1
CASE 318D -03 ，风格1
SC–59
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
– 55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 45伏直流电， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 10 VDC ， IB = 0 ）
DC电流增益（1）
（ VCE = 10 VDC ， IC = 2.0 MADC ）
（ VCE = 2.0伏， IC = 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
MSD601–RT1
MSD601–ST1
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
—
器件标识
标记符号
YR
X
MSD601–RT1
YS
X
MSD601–ST1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MSD601 - RT1 MSD601 -ST1
包装尺寸
A
L
3
2
1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
2.70
3.10
1.30
1.70
1.00
1.30
0.35
0.50
1.70
2.10
0.013
0.100
0.10
0.26
0.20
0.60
1.25
1.65
2.50
3.00
英寸
民
最大
0.1063 0.1220
0.0512 0.0669
0.0394 0.0511
0.0138 0.0196
0.0670 0.0826
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0649
0.0985 0.1181
S
B
D
G
C
H
K
J
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
CASE 318D -03
问题E
SC–59
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MSD601–RT1/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MSD601-RT1/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSD601 - RT1 / D
NPN通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSD601-RT1*
MSD601-ST1
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
60
50
7.0
100
200
2
BASE
1
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
3
2
1
CASE 318D -03 ，风格1
SC–59
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
– 55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 45伏直流电， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 10 VDC ， IB = 0 ）
DC电流增益（1）
（ VCE = 10 VDC ， IC = 2.0 MADC ）
（ VCE = 2.0伏， IC = 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
MSD601–RT1
MSD601–ST1
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
—
器件标识
标记符号
YR
X
MSD601–RT1
YS
X
MSD601–ST1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MSD601 - RT1 MSD601 -ST1
包装尺寸
A
L
3
2
1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
2.70
3.10
1.30
1.70
1.00
1.30
0.35
0.50
1.70
2.10
0.013
0.100
0.10
0.26
0.20
0.60
1.25
1.65
2.50
3.00
英寸
民
最大
0.1063 0.1220
0.0512 0.0669
0.0394 0.0511
0.0138 0.0196
0.0670 0.0826
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0649
0.0985 0.1181
S
B
D
G
C
H
K
J
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
CASE 318D -03
问题E
SC–59
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其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
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机会/肯定行动雇主。
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4
MSD601–RT1/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
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