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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第530页 > MSD2714AT1
MSD2714AT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
http://onsemi.com
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
最大
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
2
BASE
1
辐射源
集热器
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
P
D
（注2 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
625
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
3
1
CASE 318D
SC–59
风格1
标记图
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
14A M
14A =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
MSD2714AT1
包
SC–59
航运
待定
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第1版
出版订单号：
MSD2714AT1/D
MSD2714AT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 35 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.5伏，我
C
= 0)
V
（ BR ） CEO
25
V
（ BR ） CBO
30
V
（ BR ） EBO
3.0
I
CBO
–
I
EBO
–
–
500
–
500
NADC
–
–
NADC
–
–
VDC
–
–
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 6.0伏）
基射极电压ON
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
h
FE
90
V
BE
–
–
0.95
—
180
VDC
–
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
共基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
集电极基时间常数
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
f
T
C
cb
C
rb
rb'C
c
650
–
–
–
–
–
–
–
–
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
http://onsemi.com
2
MSD2714AT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
y
ib
，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b
ib
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
-50
-60
-20
-30
-40
1000兆赫
700
400
200
100
g
ib
0
-10
0
10
20
30
40
50
g
ib
（毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
y
fb
，正向转移导纳
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
20
JB FB （毫姆欧）
-g
fb
b
fb
50
40
30
100
60
200
图2.极地表
400
600
700
1000兆赫
40
10
30
20
g
fb
（毫姆欧）
0
-10
-20
-30
图3.矩形表
图4.极地表
http://onsemi.com
3
MSD2714AT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
y
rb
，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-b
rb
2.0
1.0
0
MPS H10
-g
rb
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
-b
rb
0
100
MPS H11
-1.0
JB RB （毫姆欧）
-2.0
200
400
-3.0
700
-4.0
-5.0
-2.0 -1.8 -1.2 -0.8
1000兆赫
0
-0.4
0.4
g
rb
（毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
y
ob
，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
g
ob
700
1000
2.0
0
JB OB （毫姆欧）
6.0
b
ob
6.0
4.0
400
200
100
0
2.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
6.0
g
ob
（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
http://onsemi.com
4
MSD2714AT1
使用SC- 59表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
0.031
0.8
英寸
mm
SC- 59功耗
在SC- 59的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘大小为溶胶变化
dering给定的最大功率焊盘尺寸耗散
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
被T开采
J（下最大）
时，最大额定结温
模具， RQ的
JA
从装置的热阻
结到环境;和工作温度T
A
。我们 -
荷兰国际集团提供的数据表，P值
D
可以calcu-
迟来如下。
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
qJA
该方程对于周围温度T
A
在25℃ ， 1
可以计算出该装置的功率消耗而在
这种情况下，为338毫瓦。
P
D
=
150°C – 25°C
370°C/W
= 338毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在370 ° C / W假设使用推荐的脚踏的
打印在玻璃环氧印刷电路板，实现了
338毫瓦的功耗。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合，功耗可提高一倍US-
荷兰国际集团在相同的占位面积。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
ING降温
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
http://onsemi.com
5
MSD2714AT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
特点
无铅包装是否可用
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
最大
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗氧化铝
基板，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
P
D
（注2 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
625
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
1
3
SC59
CASE 318D
风格1
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
14A M
G
G
1
14A =具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点
订购信息
设备
MSD2714AT1
MSD2714AT1G
包
SC59
SC59
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年1月 - 第2版
出版订单号：
MSD2714AT1/D
MSD2714AT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 35 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.5伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 6.0伏）
基地发射极电压上
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
共基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
集电极基时间常数
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
f
T
C
cb
C
rb
rb'C
c
650
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
h
FE
90
V
BE
0.95
180
VDC
V
（ BR ） CEO
25
V
（ BR ） CBO
30
V
（ BR ） EBO
3.0
I
CBO
I
EBO
500
500
NADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
y
ib
，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
b
ib
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
50
60
20
30
40
1000兆赫
700
400
200
100
g
ib
0
10
0
10
20
30
40
50
g
ib
（毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
图2.极地表
http://onsemi.com
2
MSD2714AT1
典型特征
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
y
fb
，正向转移导纳
70
60
50
40
30
20
10
0
10
20
30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
40
30
20
10
g
fb
（毫姆欧）
0
10
20
30
20
JB FB （毫姆欧）
g
fb
b
fb
50
100
40
30
1000兆赫
60
200
400
600
700
图3.矩形表
图4.极地表
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
y
rb
，反向传输导纳
5.0
4.0
3.0
b
rb
2.0
1.0
MPS H10
g
rb
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
5.0
2.0 1.8 1.2 0.8
b
rb
0
100
MPS H11
JB RB （毫姆欧）
1.0
200
400
2.0
3.0
700
4.0
1000兆赫
0.4
0
0.4
g
rb
（毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
y
ob
，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
g
ob
700
1000
2.0
100
0
0
2.0
JB OB （毫姆欧）
6.0
b
ob
6.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
400
200
4.0
6.0
g
ob
（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
http://onsemi.com
3
MSD2714AT1
包装尺寸
SC59
CASE 318D -04
ISSUE摹
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
喃
最大
1.15
1.30
0.06
0.10
0.43
0.50
0.14
0.18
2.90
3.10
1.50
1.70
1.90
2.10
0.40
0.60
2.80
3.00
英寸
喃
0.045
0.002
0.017
0.005
0.114
0.059
0.075
0.016
0.110
D
3
H
E
2
1
E
b
e
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
1.00
0.01
0.35
0.09
2.70
1.30
1.70
0.20
2.50
民
0.039
0.001
0.014
0.003
0.106
0.051
0.067
0.008
0.099
最大
0.051
0.004
0.020
0.007
0.122
0.067
0.083
0.024
0.118
A
A1
L
C
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.4
0.094
1.0
0.039
0.8
0.031
mm
英寸
SCALE 10 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
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N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
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日本：
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电子邮件：
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为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
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4
MSD2714AT1/D
MSD2714AT1
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
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最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
最大
25
30
3.0
单位
VDC
VDC
VDC
2
BASE
1
辐射源
集热器
3
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
符号
P
D
（注1 ）
R
qJA
P
D
（注2 ）
R
qJA
T
J
, T
英镑
最大
225
1.8
556
300
2.4
625
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
2
3
1
CASE 318D
SC–59
风格1
标记图
1， FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.氧化铝= 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝
14A M
14A =具体设备守则
M =日期代码
订购信息
设备
MSD2714AT1
包
SC–59
航运
待定
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年5月 - 第1版
出版订单号：
MSD2714AT1/D
MSD2714AT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 35 VDC ，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.5伏，我
C
= 0)
V
（ BR ） CEO
25
V
（ BR ） CBO
30
V
（ BR ） EBO
3.0
I
CBO
–
I
EBO
–
–
500
–
500
NADC
–
–
NADC
–
–
VDC
–
–
VDC
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 6.0伏）
基射极电压ON
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
h
FE
90
V
BE
–
–
0.95
—
180
VDC
–
小信号特性
电流增益 - 带宽积
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
共基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
集电极基时间常数
(I
C
= 4.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 31.8兆赫）
f
T
C
cb
C
rb
rb'C
c
650
–
–
–
–
–
–
–
–
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
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2
MSD2714AT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
y
ib
，输入导纳
80
IB ，输入导纳（毫姆欧）
70
60
-b
ib
JB IB （毫姆欧）
50
40
30
20
10
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
-50
-60
-20
-30
-40
1000兆赫
700
400
200
100
g
ib
0
-10
0
10
20
30
40
50
g
ib
（毫姆欧）
60
70
80
图1.矩形表
y
fb
，正向转移导纳
IB ，远期转移导纳（毫姆欧）
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
10
70
60
50
20
JB FB （毫姆欧）
-g
fb
b
fb
50
40
30
100
60
200
图2.极地表
400
600
700
1000兆赫
40
10
30
20
g
fb
（毫姆欧）
0
-10
-20
-30
图3.矩形表
图4.极地表
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3
MSD2714AT1
典型特征
共基极y参数与频率的关系
(V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 4.0 MADC ，T
A
= 25°C)
y
rb
，反向传输导纳
RB ，反向传输导纳（毫姆欧）
5.0
4.0
3.0
-b
rb
2.0
1.0
0
MPS H10
-g
rb
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
700
1000
-b
rb
0
100
MPS H11
-1.0
JB RB （毫姆欧）
-2.0
200
400
-3.0
700
-4.0
-5.0
-2.0 -1.8 -1.2 -0.8
1000兆赫
0
-0.4
0.4
g
rb
（毫姆欧）
0.8
1.2
1.6
2.0
图5.直角坐标形式
y
ob
，输出导纳
10
YOB ，输出导纳（毫姆欧）
9.0
8.0
7.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
100
200
300
400 500
男，频率（MHz）
g
ob
700
1000
2.0
0
JB OB （毫姆欧）
6.0
b
ob
6.0
4.0
400
200
100
0
2.0
8.0
700
10
图6.极地表
1000兆赫
4.0
6.0
g
ob
（毫姆欧）
8.0
10
图7.直角坐标形式
图8.极地表
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4
MSD2714AT1
使用SC- 59表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.094
2.4
0.039
1.0
0.031
0.8
英寸
mm
SC- 59功耗
在SC- 59的功耗的功能
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘大小为溶胶变化
dering给定的最大功率焊盘尺寸耗散
化。功耗表面贴装器件是阻止 -
被T开采
J（下最大）
时，最大额定结温
模具， RQ的
JA
从装置的热阻
结到环境;和工作温度T
A
。我们 -
荷兰国际集团提供的数据表，P值
D
可以calcu-
迟来如下。
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
qJA
该方程对于周围温度T
A
在25℃ ， 1
可以计算出该装置的功率消耗而在
这种情况下，为338毫瓦。
P
D
=
150°C – 25°C
370°C/W
= 338毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在370 ° C / W假设使用推荐的脚踏的
打印在玻璃环氧印刷电路板，实现了
338毫瓦的功耗。另一种选择
将是使用陶瓷基板或铝芯
板，如热复合 。使用的基板材料，例如
作为热复合，功耗可提高一倍US-
荷兰国际集团在相同的占位面积。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，故障内完成焊接
很短的时间，可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
法，差别应该最多10℃ 。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
ING降温
*进行焊接装置无需预热可引起exces-
西伯热冲击和应力，这可能导致损坏
到设备。
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