MSD1819A- RT1
-
通用扩增fi er
晶体管
NPN硅表面贴装
这NPN硅外延平面型晶体管是专为一般
目的放大器应用。此装置被安置在
SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗表面
安装应用程序。
特点
http://onsemi.com
集热器
3
高
FE
, 210 - 460
-
低V
CE （ SAT ）
， < 0.5 V
湿度敏感度等级1
ESD保护：人体模型> 4000 V
机器型号> 400 V
这些设备是Pb - 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
价值
60
50
7.0
100
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
1
BASE
2
辐射源
3
1
2
SC-
-70 （ SOT-
-323)
CASE 419
方式3
标记图
热特性
特征
功率耗散（注1 ）
结温
存储温度范围
符号
P
D
T
J
T
英镑
最大
150
150
--55到150
单位
mW
C
C
1
ZR M
G
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板用的
推荐最低足迹。
ZR =器件代码
M
=日期代码*
G
=铅 - 免费套餐
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
设备
MSD1819A--RT1G
包
SC--70/
SOT--323
（铅 - 免费）
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月 - 修订版7
-
1
出版订单号：
MSD1819A-
-RT1/D
MSD1819A-
-RT1
包装尺寸
SC-
-70 （ SOT-
-323)
CASE 419--04
ISSUE
D
e1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
A1
A2
b
c
D
E
e
e1
L
H
E
民
0.80
0.00
0.30
0.10
1.80
1.15
1.20
0.20
2.00
MILLIMETERS
喃
最大
0.90
1.00
0.05
0.10
0.70 REF
0.35
0.40
0.18
0.25
2.10
2.20
1.24
1.35
1.30
1.40
0.65 BSC
0.38
0.56
2.10
2.40
民
0.032
0.000
0.012
0.004
0.071
0.045
0.047
0.008
0.079
英寸
喃
0.035
0.002
0.028 REF
0.014
0.007
0.083
0.049
0.051
0.026 BSC
0.015
0.083
最大
0.040
0.004
0.016
0.010
0.087
0.053
0.055
0.022
0.095
3
H
E
1
2
E
b
e
A
0.05 (0.002)
A1
A2
L
c
方式3 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*关于我们铅的更多信息 - 免费策略和焊接
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利的任何许可
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应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
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联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害的任何索赔
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机会均等/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303--675--2175或800--344--3860免费电话美国/加拿大
传真：
303--675--2176或800--344--3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费800--282--9855收费
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
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为了文学：
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销售代表
http://onsemi.com
4
MSD1819A-
-RT1/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSD1819A - RT1 / D
NPN硅通用
晶体管放大器
这NPN硅外延平面晶体管设计用于通用
放大器应用。此设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323包
这是专为低功耗表面贴装应用。
高的hFE ， 210 - 460
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
集热器
3
MSD1819A-RT1
MSD1819A-ST1
摩托罗拉的首选设备
NPN通用
用途放大器
晶体管
表面贴装
1
BASE
2
辐射源
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
1
2
3
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
60
50
7.0
100
200
CASE 419-02 ，花柱3
SC–70/SOT–323
器件标识
MSD1819A - RT1 = ZR
MSD1819A - ST1 = ZS
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 10 VDC ， IB = 0 ）
DC电流增益（2）
（ VCE = 10 VDC ， IC = 2.0 MADC ）
（ VCE = 2.0伏， IC = 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
MSD1819A-RT1
MSD1819A-ST1
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
290
90
—
最大
—
—
—
0.1
100
340
460
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
—
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
PD ，功耗（毫瓦）
250
IC ，集电极电流（毫安）
60
TA = 25°C
200
50
40
30
20
10
0
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
60
A
40
A
IB = 20
A
0
2
4
6
VCE ，集电极电压（V ）
8
150
100
R
θJA
= 833 ° C / W
50
0
– 50
0
50
100
TA ，环境温度（ ° C）
150
图1.降额曲线
图2. IC - VCE
1000
TA = 25°C
TA = 75℃
直流电流增益
VCE = 10 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
2
TA = 25°C
1.5
TA = - 25℃
100
1
0.5
10
0.1
1
10
100
IC ，集电极电流（毫安）
0
0.01
0.1
1
IB ，基极电流（毫安）
10
100
图3.直流电流增益
图4.集电极饱和区
900
800
集电极电压（毫伏）
700
600
500
400
300
200
100
0
0.2
0.5
1
5
10
20
40
60
80
100
150 200
TA = 25°C
VCE = 5 V
IC ，集电极电流（毫安）
图5.电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
20
7
6
COB，电容（pF ）
5
4
3
2
1
兴业银行，输入电容（pF ）
18
16
14
12
10
0
1
2
VEB （ V）
3
4
0
10
20
VCB （ V）
30
40
图6.电容
图7.电容
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个函数
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是150毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 300毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSD1819A - RT1 MSD1819A -ST1
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版，需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
用于表面贴装封装的模板开孔尺寸
应该是相同的印刷电路上的焊盘尺寸
板，即，以1：1的注册。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组控制
设置值，将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区，和一个
数字皮带速度。两者合计，这些控制设置
补热“轮廓”为特定的电路板。
上由一台计算机，该计算机控制的机器
从一个工作会议上的记住这些配置文件
下一个。图8示出了一个典型的加热曲线的使用时
焊接的表面贴装器件的印刷电路板。
此配置文件将焊接系统各不相同，但它是一个很好的
出发点。能够影响信息的因素包括
焊接系统的使用中，密度和类型的类型
电路板上元器件，焊料类型使用，且类型
板或基板材料的使用。该图显示
温度与时间的关系。图上的线表示
可能会遇到的表面上的实际温度
的试验板在或靠近中央的焊点。两
配置文件基于高密度和低密度板。
该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊
系统被用来生成此配置文件。焊料的种类
用的是62/36/2铅锡银与熔点
在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于
回流焊工作时，电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件，然后通过加热
传导。在电路板上，因为它有一个大的表面
面积，更有效地吸收的热能，然后
分配的能量，以该组件。因为这
效果，一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
步骤5
第4步
加热
加热
开发区3及6个区域4和7
“秒杀”
“浸泡”
170°C
160°C
STEP 6 STEP 7
VENT冷却
205 ° 219℃
高峰
焊点
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
150°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
时间（ 37分钟总）
TMAX
图8.典型的焊接暖气简介
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSD1819A - RT1 / D
NPN硅通用
晶体管放大器
这NPN硅外延平面晶体管设计用于通用
放大器应用。此设备被容纳在所述SC- 70 / SOT- 323包
这是专为低功耗表面贴装应用。
高的hFE ， 210 - 460
低VCE （SAT） ， < 0.5 V
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴
MSD1819A-RT1
摩托罗拉的首选设备
NPN通用
用途放大器
晶体管
表面贴装
3
1
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
60
50
7.0
100
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
2
CASE 419-02 ，花柱3
SC–70/SOT–323
集热器
3
器件标识
MSD1819A - RT1 = ZR
热特性
等级
功率耗散（ 1 ）
结温
存储温度范围
符号
PD
TJ
TSTG
最大
150
150
– 55 ~ + 150
单位
mW
°C
°C
1
BASE
2
辐射源
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 2.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10
μAdc ，
IE = 0 ）
集电极 - 基极截止电流（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）
集电极 - 发射极截止电流（ VCE = 10 VDC ， IB = 0 ）
DC电流增益（2）
（ VCE = 10 VDC ， IC = 2.0 MADC ）
（ VCE = 2.0伏， IC = 100 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压（ 2 ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
ICEO
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
民
50
60
7.0
—
—
210
90
—
最大
—
—
—
0.1
100
340
—
0.5
VDC
单位
VDC
VDC
VDC
A
A
—
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MSD1819A-RT1
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.025
0.65
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.025
0.65
0.075
1.9
0.035
0.9
0.028
0.7
英寸
mm
SC - 70 / SOT- 323功耗
采用SC-70 / SOT- 323的功耗是一个函数
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算方法如下。
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是150毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
833°C/W
= 150毫瓦
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在833 ° C / W，假设使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的150毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 300毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
QQ：2881677436 复制
