MSC81111
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MSC81111
NPN硅射频功率晶体管
描述:
该
MSC81111
是专为类
"C"放大器Applicatioons从0.4到
1.2千兆赫,在提供公共基础
封装。
封装类型HLP - 1
DIM :
A
B
C
D
E
F
H
J
K
N
Q
U
英寸
民
0.790
0.225
0.144
0.115
0.055
0.045
0.115
0.003
0.225
0.220
0.125
0.552
最大
0.810
0.235
0.180
0.125
0.065
0.055
0.135
0.006
0.275
0.240
0.135
0.572
MILLIMETERS
民
最大
20.07
20.6
5.72
5.97
3.66
4.58
2.93
3.17
1.40
1.65
1.15
1.39
2.93
3.42
0.08
0.15
5.72
6.98
5.59
6.09
3.18
3.42
14.03
14.5
最大额定值
I
C
V
CB
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
600毫安
35 V
21.8 W @ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
8 C / W
O
O
O
O
O
O
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
无
特征
符号
BV
CER
BV
CBO
I
CBO
BV
EBO
h
FE
C
OB
P
OUT
η
C
G
P
I
C
= 5.0毫安
I
C
= 1.0毫安
V
CB
= 28 V
I
E
= 1.0毫安
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
T
C
= 25 C
O
测试条件
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
1.0
3.5
单位
V
V
mA
V
---
pF
W
%
dB
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
15
120
6.5
V
CC
= 28 V
P
in
= 500毫瓦
F = 1.0 GHz的
5.0
50
10
6.6
52
11.2
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü (C T) R, I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞, CA 91605
(818) 982-1200
传真( 818 ) 765-3004
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
REV 。一
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