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MSC81035M

RF &微波晶体管

航空电子应用

难治/镀金

辐射源网站碴

∞

： 1 VSWR能力的

低热阻

输入匹配

叠加几何

金属/陶瓷密封包装

OUT

35瓦最小。 10.7 dB增益

0.280 2LFL （ S068 ）

环氧树脂密封

订货编号

MSC81035M

BRANDING

81035M

引脚连接

描述

该MSC81035M是一个中等功率C级

晶体管专为脉冲L波段设计

航空电子设备应用。该设备是直接重新

安置的MSC1035M 。 MSC81035M OF-

FERS改进的饱和输出中功率和collec-

器效率的基础测试电路描述

在本文中。

射频低热阻和非盟电脑

tomatic引线接合技术确保高可靠性

能力和产品的一致性。

该MSC81035M被容纳在IMPAC

包装内部输入匹配。

绝对最大额定值

例

符号

参数

价值

单位

1.集热器

2.基

3.辐射源

4.基地

DISS

英镑

功耗*

设备电流*

≤

100°C)

150

3.0

250

65 200

集电极电源电压*

结温（脉冲RF操作）

储存温度

热数据

日（J -C ）

结外壳热阻*

1.0

C / W

*仅适用于额定RF放大器操作

注意：

通过热点的红外线扫描确定热阻

结温在额定RF操作条件。

1994年9月2日

1/4

MSC81035M

电气规格

例

STATIC

符号

测试条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

CER

CES

动态

符号

10毫安

1毫安

10毫安

0 V

5 V

0毫安

50 V

500毫安

3.5

—

120

—

测试条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

OUT

注意：

1025

1150兆赫

1025

1150兆赫

1025

1150兆赫

美国证券交易委员会

3.0 W

50 V

10.7

—

11.2

—

PULSE W ID

占空比

典型性能

典型的宽带功率

扩音器

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MSC81035M

阻抗数据

典型输入

阻抗

典型集热器

负载阻抗

频率。

1025兆赫

1090兆赫

1150兆赫

()

2.6 + j 8.3

2.8 + j 8.7

3.2 + j 4.4

()

7.7 + j 2.0

7.1 + j 1.0

6.5

j 0.5

3.0 W

50 V

归一化到50欧姆

测试电路

参考：的Dwg 。 101 002888号

所有尺寸为英寸。

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MSC81035M

包装机械数据

参考：的Dwg 。第12-0218转。一

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支持设备或系统不SGS - THOMSON微电子明确的书面批准。

1994

公司SGS - THOMSON微电子集团

澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国

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MSC81035M

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI MSC81035M

是一个普通的

基本设备，中小功率C类

晶体管脉冲

L波段航空电子设备， DME / TACAN

应用程序。

包装风格.250 2L FLG （B ）

.100 X 45°

.088 x 45°

倒角

产品特点：

输入匹配

发射现场碴。

= 10分贝35 W / 1150 MHz的

Omnigold

金属化系统

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

.095 / 2.41

1.050 / 26.67

.245 / 6.22

.120 / 3.05

.552 / 14.02

.790 / 20.07

.105 / 2.67

最大额定值

DISS

英镑

3.0 A

55 V

150瓦@ T

≤

100 °C

-65 ° C到+ 250℃的

-65 ° C至+150°C

1.0 ° C / W

.255 / 6.48

.140 / 3.56

.572 / 14.53

.810 / 20.57

.285 / 7.24

.003 / 0.08

.052 / 1.32

.120 / 3.05

.007 / 0.18

.072 / 1.83

.130 / 3.30

.210 / 5.33

特征

符号

CBO

CER

EBO

CES

= 10毫安

= 1.0毫安

= 50 V

= 5.0 V

= 25 °C

NONETEST

条件

= 10

最小典型最大

3.5

5.0

单位

---

= 500毫安

OUT

= 35 W

F = 1025年至1150年兆赫

10.7

11.2

120

= 50 V

= 3.0 W

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

版本C

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