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MSC3003
NPN硅射频功率晶体管
描述：
该
ASI MSC3003
是一种常见的基
晶体管能够提供3.0 W的
C类射频输出功率@ 3.0 GHz的。
包装风格.250 2L FLG
A
D
C
E
.060 x 45°
倒角
B
产品特点：
P
G
= 6.0分贝分钟。在3瓦/ 3000兆赫
Difused镇流电阻
Omnigold
金属化系统
暗淡
A
L
G
H
J
F
I
K
M
NP
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
最大额定值
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
60毫安
30 V
10瓦@ T
C
= 25 °C
-65℃ + 200 ℃，
-65℃ + 200 ℃，
17 ° C / W
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
特征
符号
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
OB
P
G
η
C
VSWR
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 5.0毫安
I
E
= 10毫安
V
CB
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
W
T
C
= 25 °C
NONETEST
条件
R
BE
= 10
最小典型最大
45
45
3.5
0.5
单位
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
---
I
C
= 200毫安
F = 1.0 MHz的
P
OUT
= 3.0 W
F = 3.0 GHz的P
IN
= 0.75
30
300
5.0
6.0
30
30:1
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1200
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/3
MSC3003
错误！未找到引用源。
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
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A
C
D
B
B
C
E
.060 x 45°
倒角
E
G
L
H
J
F
I
K
M
NP
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
P
最低
英寸/毫米
最大
英寸/毫米
.028 / 0.71
.740 / 18.80
.245 / 6.22
.128 / 3.25
.125 / 3.18
.110 / 2.79
.117 / 2.97
.560 / 14.22
.790 / 20.07
.225 / 5.72
.165 / 4.19
.003 / 0.08
.058 / 1.47
.119 / 3.02
.149 / 3.78
.032 / 0.81
.255 / 6.48
.132 / 3.35
.117 / 2.97
.570 / 14.48
.810 / 20.57
.235 / 5.97
.185 / 4.70
.007 / 0.18
.068 / 1.73
.135 / 3.43
.187 / 4.75
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
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北好莱坞， CA 91605
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供货商
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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