半导体
MSC23V47257TD-xxBS18
描述
这个版本：四月22， 1999
上一版本：四月1 1999
4194304字X 72位动态RAM模块：快速页模式输入与EDO
该MSC23V47257TD - xxBS18是4194304字X 72位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由18 16Mb的（ 4Mx4 ）的TSOP封装的DRAM搭载18去耦电容。
这是一个168脚双列直插式存储模块。该模块支持任何应用程序在高密度和大
存储存储器的容量是必需的。
特点
· 4,194,304字X 72位组织
· 168脚双列直插式内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
·多位测试模式功能
串行存在检测
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23V47257TD-50BS18
MSC23V47257TD-60BS18
MSC23V47257TD-70BS18
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
84ns
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
6480mW
5832mW
5184mW
32.4mW
待机
家庭
半导体
MSC23V47257TD
模块的外形
MSC23V47257TD-xxBS18
（单位：毫米）
133.35±0.7
*1
131.35 TYP
2 - R2.0
25.40±0.12
17.78±0.1
3.0±0.1
4.00Max.
2 -
φ3.0±0.1
A
1
11.43±0.05
36.83±0.05
127.35±0.1
133.35±0.12
54.61±0.05
B
C
84
4.0Min.
1.27±0.1
R1.0
4.175±0.13
3.175±0.13
R1.0
1.0±0.03
0.25最大
1.27±0.03
DETAIL
3.12±0.1
3.12±0.1
2.0±0.1
6.35±0.05
细节A
2.0±0.1
6.35±0.05
DETAIL B
注意：
1.公差在从底部边缘19.78毫米为± 0.7 。
2.54敏
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