Pr
y
ar
in
im
el
半导体
MSC23V47257TA-xxBS18/
MSC23V47257SA-xxBS18
半导体
MSC23V47257TA-xxBS18/MSC23V47257SA-xxBS18
4,194,304-Word
72位DRAM模块：与EDO快页模式类型
描述
冲电气MSC23V47257TA - xxBS18 / MSC23V47257SA - xxBS18是一个完全解码4,194,304字
72位CMOS动态随机存取存储器组成18 16兆DRAM中（4M
4)
在安装与去耦电容上的168针环氧玻璃DIMM TSOP或SOJ包装
包支持任何应用中的高密度和存储内存的大容量的
所需。
特点
· 4,194,304字
72位（ 8字节ECC ）组织
168针DIMM
MSC23V47257TA - xxBS18 ： TSOP类型
MSC23V47257SA - xxBS18 ： SOJ类型
3.3 V单电源
±0.3
V宽容
输入： LVTTL兼容
输出： LVTTL兼容，三态， nonlatch
刷新： 2048次/ 32毫秒
CAS
前
RAS
刷新，
CAS
前
RAS
隐藏刷新，
RAS-只
刷新功能
·多位测试模式功能
与EDO能力快速页面模式
串行存在检测
产品系列
家庭
MSC23V47257TA-60BS18
MSC23V47257SA-60BS18
MSC23V47257TA-70BS18
MSC23V47257SA-70BS18
访问时间（最大值）。
t
RAC
t
AA
t
CAC
t
OEA
功耗
周期
操作（最大）待机（最大）
（分）
110纳秒
130纳秒
7776毫瓦
64.8毫瓦
70纳秒35纳秒20纳秒20纳秒
7128毫瓦
60纳秒30纳秒15纳秒15纳秒
701
MSC23V47257TA-xxBS18/MSC23V47257SA-xxBS18
半导体
引脚配置
MSC23V47257TA-xxBS18
（单位：毫米）
*1
133.35 ±0.2
2 – R2 ±0.1
4.00最大。
25.4 ±0.13
17.78 ±0.13
3.0 ±0.13
2 –
φ3
±0.1
A
11.43 ±0.1
36.83 ±0.1
45.18 ±0.13
127.35典型。
B
2 – R1 ±0.1
54.61 ±0.1
1.27 ±0.1
84
6.0分钟。
5.89 ±0.13
21.495 ±0.13
3.0 ±0.13
CL
1.0 ±0.1
最大0.25 。
3.00 ±0.13
3.00 ±0.13
2.0 ±0.1
6.35 ±0.1
细节A
2.0 ±0.1
6.35 ±0.1
DETAIL B
0.23分钟。
1.27 ±0.1
* 1板的常见尺寸差异宽19.78毫米其高度是
指定为± 0.2 。以上19.78毫米的值被指定为±0.5 。
702
半导体
MSC23V47257SA-xxBS18
MSC23V47257TA-xxBS18/MSC23V47257SA-xxBS18
（单位：毫米）
*1
133.35 ±0.2
2 – R2 ±0.1
9.3 MAX 。
25.4 ±0.13
17.78 ±0.13
3.0 ±0.13
2 –
φ3
±0.1
A
11.43 ±0.1
36.83 ±0.1
45.18 ±0.13
127.35典型。
B
2 – R1 ±0.1
54.61 ±0.1
1.27 ±0.1
84
6.0分钟。
5.89 ±0.13
21.495 ±0.13
3.0 ±0.13
CL
1.0 ±0.1
最大0.25 。
3.00 ±0.13
3.00 ±0.13
2.0 ±0.1
6.35 ±0.1
细节A
2.0 ±0.1
6.35 ±0.1
DETAIL B
0.23分钟。
1.27 ±0.1
* 1板的常见尺寸差异宽19.78毫米其高度是
指定为± 0.2 。以上19.78毫米的值被指定为±0.5 。
703
MSC23V47257TA-xxBS18/MSC23V47257SA-xxBS18
半导体
正面
引脚号引脚名称
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
引脚号引脚名称
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
V
CC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
V
CC
WE0
CAS0
CAS1
RAS0
OE0
V
SS
A0
A2
引脚号引脚名称
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
A4
A6
A8
A10
NC
V
CC
V
CC
NC
V
SS
OE2
RAS2
CAS2
CAS3
WE2
V
CC
NC
NC
引脚号引脚名称
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
CC
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
引脚号引脚名称
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
NC
SDA
SCL
V
CC
背面
引脚号引脚名称
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
引脚号引脚名称
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
V
CC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
CAS4
CAS5
NC
NC
V
SS
A1
A3
引脚号引脚名称
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
A5
A7
A9
NC
NC
V
CC
NC
NC
V
SS
NC
NC
CAS6
CAS7
NC
V
CC
NC
NC
引脚号引脚名称
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
CC
DQ52
NC
NC
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
引脚号引脚名称
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
V
CC
704
半导体
PD系列矩阵
字节数
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 (-60)
9 (-70)
10 (-60)
10 (-70)
11
12
第7位
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
第6位
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
第5位
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
MSC23V47257TA-xxBS18/MSC23V47257SA-xxBS18
4位
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
0
第3位
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
0
0
第2位
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
第1位
0
0
1
1
1
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
位0
1
0
0
1
1
1
0
0
0
0
0
1
0
0
0
备注
使用的字节数（ 13个字节）
总SPD内存大小（ 256字节）
内存类型（ EDO ）
行数（ 11 ）
列的数目（11）的
银行的数目（1）
模块数据宽度（ 72 ）
模块数据宽度续（ 0 ）
电源电压（ 3.3 V ， LVTTL ）
RAS
访问时间（ 60纳秒）
RAS
访问时间（ 70纳秒）
CAS
访问时间（ 15纳秒）
CAS
访问时间（ 20纳秒）
ECC
正常的更新
705
QQ：2880707522 复制
