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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1202页 > MSC23V46457TD-70BS16
这个版本： 4月22日。 1999
半导体
MSC23V46457TD-xxBS16
4,194,304字×64位的动态RAM模块：快速页模式输入与EDO
描述
该MSC23V46457TD - xxBS16是4194304字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由16 16Mb的（ 4Mx4 ）的TSOP封装的DRAM搭载16去耦电容。这
是一个168针的双列直插式内存模块。该模块支持任何应用程序在高密度和大
存储存储器的容量是必需的。
特点
· 4,194,304字×64位的组织
· 168脚双列直插式内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
·多位测试模式功能
串行存在检测
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23V46457TD-50BS16
MSC23V46457TD-60BS16
MSC23V46457TD-70BS16
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
84ns
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
5760mW
5184mW
4608mW
28.8mW
待机
家庭
半导体
MSC23V46457TD
模块的外形
MSC23V46457TD-xxBS16
（单位：毫米）
133.35±0.7
*1
131.35 TYP
2 - R2.0
25.40±0.12
17.78±0.1
3.0±0.1
4.00Max.
2 -
φ3.0±0.1
A
1
11.43±0.05
36.83±0.05
127.35±0.1
133.35±0.12
54.61±0.05
B
C
84
4.0Min.
1.27±0.1
R1.0
4.175±0.13
3.175±0.13
R1.0
1.0±0.03
0.25最大
1.27±0.03
DETAIL
3.12±0.1
3.12±0.1
2.0±0.1
6.35±0.05
细节A
2.0±0.1
6.35±0.05
DETAIL B
注意：
1.公差在从底部边缘19.78毫米为± 0.7 。
2.54敏
半导体
MSC23V46457TD
引脚配置
正面
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
引脚名称
V
SS
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DQ1
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DQ3
V
CC
DQ4
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DQ6
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V
SS
DQ9
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DQ11
DQ12
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V
CC
DQ14
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NC
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
/WE0
/CAS0
/CAS1
/RAS0
/OE0
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC
V
CC
V
CC
NC
背面
PIN号
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
引脚名称
V
SS
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DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
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DQ38
DQ39
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V
SS
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V
CC
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NC
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
/CAS4
/CAS5
NC
NC
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
NC
NC
V
CC
NC
NC
正面
PIN号
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
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61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
引脚名称
V
SS
/OE2
/RAS2
/CAS2
/CAS3
/WE2
V
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NC
NC
NC
NC
V
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NC
NC
NC
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V
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NC
NC
NC
SDA
SCL
V
CC
背面
PIN号
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
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141
142
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144
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146
147
148
149
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152
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158
159
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161
162
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164
165
166
167
168
引脚名称
V
SS
NC
NC
/CAS6
/CAS7
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
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DQ51
V
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NC
NC
NC
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V
CC
半导体
MSC23V46457TD
PD系列矩阵
SPD值
（十六进制）
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08
02
0B
0B
01
40
00
01
32
/ RAS访问时间
3C
46
0D
/ CAS访问时间
0F
14
DIMM配置类型
刷新率/类型
主要DRAM宽度
错误检查DRAM宽度
超信息
SPD数据进行修订的代码
-50
63
-60
-70
64-127
128-255
版权所有
未使用的存储位置（保留）
校验和字节0-62
00
00
04
00
00
01
26
32
41
00
FF
版权所有
1
128字节
256字节
EDO
11
11
1
64
0
LVTTL
50ns
60ns
70ns
13ns
15ns
20ns
非奇偶校验
正常的更新
x4
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
9
-60
-70
-50
10
-60
-70
11
12
13
14
15-61
62
函数来描述
使用的字节数
总SPD内存大小
内存类型
行数
列数
银行的数量
模块数据宽度
模块数据宽度续
电源电压
记
半导体
MSC23V46457TD
框图
/OE0
/WE0
/RAS0
/CAS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
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DQ6
DQ7
/CAS1
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DQ9
DQ10
DQ11
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
D2
DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
D3
DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
D0
DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
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DQ
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/CAS4
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/CAS5
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DQ
DQ
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DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
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DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
D8
DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
D9
DQ
DQ
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DQ13
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/CAS2
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/CAS6
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DQ
DQ
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DQ
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/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
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DQ
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/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
DQ
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/ CAS / RAS / WE / OE
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DQ
DQ
/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
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D13
DQ
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/ CAS / RAS / WE / OE
DQ
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D15
DQ
DQ
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/CAS3
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/CAS7
DQ56
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A0-A10
V
CC
V
SS
C1-C16
A0 - A10 ： D0 -D15
SCL
D0-D15
D0-D15
串行PD
SCL
SDA
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
SDA
这个版本： 4月22日。 1999
半导体
MSC23V46457TD-xxBS16
4,194,304字×64位的动态RAM模块：快速页模式输入与EDO
描述
该MSC23V46457TD - xxBS16是4194304字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由16 16Mb的（ 4Mx4 ）的TSOP封装的DRAM搭载16去耦电容。这
是一个168针的双列直插式内存模块。该模块支持任何应用程序在高密度和大
存储存储器的容量是必需的。
特点
· 4,194,304字×64位的组织
· 168脚双列直插式内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
·多位测试模式功能
串行存在检测
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23V46457TD-50BS16
MSC23V46457TD-60BS16
MSC23V46457TD-70BS16
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
84ns
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
5760mW
5184mW
4608mW
28.8mW
待机
家庭
半导体
MSC23V46457TD
模块的外形
MSC23V46457TD-xxBS16
（单位：毫米）
133.35±0.7
*1
131.35 TYP
2 - R2.0
25.40±0.12
17.78±0.1
3.0±0.1
4.00Max.
2 -
φ3.0±0.1
A
1
11.43±0.05
36.83±0.05
127.35±0.1
133.35±0.12
54.61±0.05
B
C
84
4.0Min.
1.27±0.1
R1.0
4.175±0.13
3.175±0.13
R1.0
1.0±0.03
0.25最大
1.27±0.03
DETAIL
3.12±0.1
3.12±0.1
2.0±0.1
6.35±0.05
细节A
2.0±0.1
6.35±0.05
DETAIL B
注意：
1.公差在从底部边缘19.78毫米为± 0.7 。
2.54敏
半导体
MSC23V46457TD
引脚配置
正面
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
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9
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11
12
13
14
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21
22
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33
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37
38
39
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41
42
引脚名称
V
SS
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V
SS
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NC
NC
V
SS
NC
NC
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/CAS0
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V
SS
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NC
V
CC
V
CC
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背面
PIN号
85
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97
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99
100
101
102
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104
105
106
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108
109
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119
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121
122
123
124
125
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引脚名称
V
SS
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CC
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NC
V
SS
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NC
V
CC
NC
NC
正面
PIN号
43
44
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48
49
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引脚名称
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V
CC
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NC
NC
NC
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SS
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NC
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SDA
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V
CC
背面
PIN号
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128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
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148
149
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152
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158
159
160
161
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167
168
引脚名称
V
SS
NC
NC
/CAS6
/CAS7
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
DQ48
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DQ51
V
CC
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NC
NC
NC
V
SS
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V
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DQ58
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V
CC
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DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
V
CC
半导体
MSC23V46457TD
PD系列矩阵
SPD值
（十六进制）
80
08
02
0B
0B
01
40
00
01
32
/ RAS访问时间
3C
46
0D
/ CAS访问时间
0F
14
DIMM配置类型
刷新率/类型
主要DRAM宽度
错误检查DRAM宽度
超信息
SPD数据进行修订的代码
-50
63
-60
-70
64-127
128-255
版权所有
未使用的存储位置（保留）
校验和字节0-62
00
00
04
00
00
01
26
32
41
00
FF
版权所有
1
128字节
256字节
EDO
11
11
1
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0
LVTTL
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20ns
非奇偶校验
正常的更新
x4
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
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8
-50
9
-60
-70
-50
10
-60
-70
11
12
13
14
15-61
62
函数来描述
使用的字节数
总SPD内存大小
内存类型
行数
列数
银行的数量
模块数据宽度
模块数据宽度续
电源电压
记
半导体
MSC23V46457TD
框图
/OE0
/WE0
/RAS0
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D9
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D5
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/ CAS / RAS / WE / OE
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/ CAS / RAS / WE / OE
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/CAS3
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DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
/CAS7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
A0-A10
V
CC
V
SS
C1-C16
A0 - A10 ： D0 -D15
SCL
D0-D15
D0-D15
串行PD
SCL
SDA
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
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