这个版本： Apr.26 。 1999
半导体
MSC23V26418TD-xxBS8
2,097,152字×64位的动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23V26418TD - xxBS8是2097152字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由八个16Mb的（ 1Mx16 ）在TSOP封装的DRAM安装有8去耦电容。这是一
168脚双列直插式内存模块。该模块支持任何应用中的高密度和大容量
保存存储器是必需的。
特点
· 2,097,152字×64位的组织
· 168脚双列直插式内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 1024cycles / 16ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式下，读 - 修改 - 写功能
串行存在检测
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23V26418TD-50BS8
MSC23V26418TD-60BS8
MSC23V26418TD-70BS8
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
90ns
110ns
130ns
功率耗散（最大）。
操作
1872mW
1728mW
1584mW
14.4mW
待机
家庭
半导体
MSC23V26418TD
模块的外形
MSC23V26418TD-xxBS8
（单位：毫米）
133.35±0.7
*1
131.35 TYP
2 - R2.0
25.40±0.12
17.78±0.1
3.0±0.1
4.00Max.
2 -
φ3.0±0.1
A
1
11.43±0.05
36.83±0.05
127.35±0.05
133.35±0.12
54.61±0.05
B
C
84
4.0Min.
1.27±0.1
R1.0
4.175±0.13
3.175±0.13
R1.0
1.0±0.03
0.25最大
1.27±0.03
DETAIL
3.12±0.1
3.12±0.1
2.0±0.1
6.35±0.05
细节A
2.0±0.1
6.35±0.05
DETAIL B
注意：
1.公差在从底部边缘19.78毫米为± 0.7 。
2.54敏
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