【这个版本：四月8. 1999半导体MSC23CV26457D-xxBS82,097,152字×64位】,IC型号MSC23CV26457D-50BS8,MSC23CV26457D-50BS8 PDF资料,MSC23CV26457D-50BS8经销商,ic,电子元器件-51电子网

这个版本：四月8. 1999

半导体

MSC23CV26457D-xxBS8

2,097,152字×64位的动态RAM模块：快速页模式输入与EDO

描述

该MSC23CV26457D - xxBS8是2097152字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其

由八个16Mb的（ 2Mx8 ）在TSOP封装的DRAM安装有8去耦电容。这是一

144引脚小外形双列直插内存模块。该模块支持任何应用需要高密度和

存储存储器的大容量是必需的。

特点

· 2,097,152字×64位的组织

· 144引脚小外形双列直插内存模块

金·卡

· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容

=输入

： LVTTL兼容

=输出

： LVTTL兼容，三态

·刷新： 2048cycles / 32ms的

· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能

快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能

·多位测试模式功能

产品系列

访问时间（最大值）。

t

RAC

MSC23CV26457D-50BS8

MSC23CV26457D-60BS8

MSC23CV26457D-70BS8

50ns

60ns

70ns

t

AA

25ns

30ns

35ns

t

CAC

13ns

15ns

20ns

t

OEA

13ns

15ns

20ns

周期

时间

（分）

84ns

104ns

124ns

功率耗散（最大）。

操作

2880mW

2592mW

2304mW

14.4mW

待机

家庭

半导体

MSC23CV26457D

模块的外形

MSC23CV26457D-xxBS8

（单位：毫米）

3.80Max.

67.60±0.5

20.0±0.13

25.4±0.13

6.0±0.13

A

1

B

143

3.2Min.

3.3

23.20±0.1

2.5±0.2

4.6±0.2

63.60±0.2

67.60±0.2

32.80±0.1

1.00±0.1

R2.0

144

2-φ1.8

32.80±0.1

23.20±0.1

2.1±0.2

4.6±0.2

2

3.7

0.6±0.1

0.25Max.

0.8Typ.

DETAIL B

4.0±0.1

1.5±0.1

细节A

2.55

半导体

MSC23CV26457D

引脚配置

正面

PIN号

1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

47

49

51

53

55

57

59

61

63

65

67

69

71

引脚名称

V

SS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

V

CC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

V

SS

/CAS0

/CAS1

V

CC

A0

A1

A2

V

SS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

V

CC

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

V

SS

NC

V

CC

NC

/ WE

/RAS0

NC

背面

PIN号

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

30

32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

引脚名称

V

SS

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

V

CC

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

V

SS

/CAS4

/CAS5

V

CC

A3

A4

A5

V

SS

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

V

CC

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

V

SS

NC

V

CC

NC

正面

PIN号

73

75

77

79

81

83

85

87

89

91

93

95

97

99

101

103

105

107

109

111

113

115

117

119

121

123

125

127

129

131

133

135

137

139

141

143

引脚名称

/ OE

V

SS

NC

V

CC

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

V

SS

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

V

CC

A6

A8

V

SS

A9

A10

V

CC

/CAS2

/CAS3

V

SS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

V

CC

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

V

SS

SDA

V

CC

背面

PIN号

74

76

78

80

82

84

86

88

90

92

94

96

98

100

102

104

106

108

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

130

132

134

136

138

140

142

144

引脚名称

NC

V

SS

NC

V

CC

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

V

SS

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

V

CC

A7

NC

V

SS

NC

V

CC

/CAS6

/CAS7

V

SS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

V

CC

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

V

SS

SCL

V

CC

半导体

MSC23CV26457D

PD系列矩阵

SPD值

（十六进制）

80

08

02

0B

0A

01

40

00

01

32

/ RAS访问时间

3C

46

0D

/ CAS访问时间

0F

14

DIMM配置类型

刷新率/类型

主要DRAM宽度

错误检查DRAM宽度

超信息

SPD数据进行修订的代码

-50

63

-60

-70

64-127

128-255

未使用的存储位置（保留）

校验和字节0-62

00

08

00

01

29

35

44

00

FF

1

128字节

256字节

EDO

11

10

1

64

0

LVTTL

50ns

60ns

70ns

13ns

15ns

20ns

非奇偶校验

正常的更新

x8

第一个字节

0

1

2

3

4

5

6

7

8

-50

9

-60

-70

-50

10

-60

-70

11

12

13

14

15-61

62

函数来描述

使用的字节数

总SPD内存大小

内存类型

行数

列数

银行的数量

模块数据宽度

模块数据宽度续

电源电压

记

半导体

MSC23CV26457D

框图

/ OE

/ WE

/RAS0

/CAS0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

/CAS1

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

/CAS2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

/CAS3

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D3

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D2

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D1

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D0

DQ

/CAS4

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

/CAS5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

/CAS6

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

/CAS7

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D7

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D6

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D5

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D4

DQ

A0-A9, A10

V

CC

V

SS

C1-C8

A0 -A9 ， A10R ： D0 - D7

SCL

D0-D7

串行PD

SCL

SDA

A0 A1 A2

SDA

V

SS

这个版本：四月8. 1999

半导体

MSC23CV26457D-xxBS8

2,097,152字×64位的动态RAM模块：快速页模式输入与EDO

描述

该MSC23CV26457D - xxBS8是2097152字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其

由八个16Mb的（ 2Mx8 ）在TSOP封装的DRAM安装有8去耦电容。这是一

144引脚小外形双列直插内存模块。该模块支持任何应用需要高密度和

存储存储器的大容量是必需的。

特点

· 2,097,152字×64位的组织

· 144引脚小外形双列直插内存模块

金·卡

· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容

=输入

： LVTTL兼容

=输出

： LVTTL兼容，三态

·刷新： 2048cycles / 32ms的

· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能

快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能

·多位测试模式功能

产品系列

访问时间（最大值）。

t

RAC

MSC23CV26457D-50BS8

MSC23CV26457D-60BS8

MSC23CV26457D-70BS8

50ns

60ns

70ns

t

AA

25ns

30ns

35ns

t

CAC

13ns

15ns

20ns

t

OEA

13ns

15ns

20ns

周期

时间

（分）

84ns

104ns

124ns

功率耗散（最大）。

操作

2880mW

2592mW

2304mW

14.4mW

待机

家庭

半导体

MSC23CV26457D

模块的外形

MSC23CV26457D-xxBS8

（单位：毫米）

3.80Max.

67.60±0.5

20.0±0.13

25.4±0.13

6.0±0.13

A

1

B

143

3.2Min.

3.3

23.20±0.1

2.5±0.2

4.6±0.2

63.60±0.2

67.60±0.2

32.80±0.1

1.00±0.1

R2.0

144

2-φ1.8

32.80±0.1

23.20±0.1

2.1±0.2

4.6±0.2

2

3.7

0.6±0.1

0.25Max.

0.8Typ.

DETAIL B

4.0±0.1

1.5±0.1

细节A

2.55

半导体

MSC23CV26457D

引脚配置

正面

PIN号

1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

21

23

25

27

29

31

33

35

37

39

41

43

45

47

49

51

53

55

57

59

61

63

65

67

69

71

引脚名称

V

SS

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

V

CC

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

V

SS

/CAS0

/CAS1

V

CC

A0

A1

A2

V

SS

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

V

CC

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

V

SS

NC

V

CC

NC

/ WE

/RAS0

NC

背面

PIN号

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

22

24

26

28

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32

34

36

38

40

42

44

46

48

50

52

54

56

58

60

62

64

66

68

70

72

引脚名称

V

SS

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

V

CC

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

V

SS

/CAS4

/CAS5

V

CC

A3

A4

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V

SS

DQ40

DQ41

DQ42

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V

CC

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

V

SS

NC

V

CC

NC

正面

PIN号

73

75

77

79

81

83

85

87

89

91

93

95

97

99

101

103

105

107

109

111

113

115

117

119

121

123

125

127

129

131

133

135

137

139

141

143

引脚名称

/ OE

V

SS

NC

V

CC

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

V

SS

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

V

CC

A6

A8

V

SS

A9

A10

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CC

/CAS2

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V

SS

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

V

CC

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

V

SS

SDA

V

CC

背面

PIN号

74

76

78

80

82

84

86

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90

92

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96

98

100

102

104

106

108

110

112

114

116

118

120

122

124

126

128

130

132

134

136

138

140

142

144

引脚名称

NC

V

SS

NC

V

CC

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

V

SS

DQ52

DQ53

DQ54

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V

CC

A7

NC

V

SS

NC

V

CC

/CAS6

/CAS7

V

SS

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

V

CC

DQ60

DQ61

DQ62

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V

SS

SCL

V

CC

半导体

MSC23CV26457D

PD系列矩阵

SPD值

（十六进制）

80

08

02

0B

0A

01

40

00

01

32

/ RAS访问时间

3C

46

0D

/ CAS访问时间

0F

14

DIMM配置类型

刷新率/类型

主要DRAM宽度

错误检查DRAM宽度

超信息

SPD数据进行修订的代码

-50

63

-60

-70

64-127

128-255

未使用的存储位置（保留）

校验和字节0-62

00

08

00

01

29

35

44

00

FF

1

128字节

256字节

EDO

11

10

1

64

0

LVTTL

50ns

60ns

70ns

13ns

15ns

20ns

非奇偶校验

正常的更新

x8

第一个字节

0

1

2

3

4

5

6

7

8

-50

9

-60

-70

-50

10

-60

-70

11

12

13

14

15-61

62

函数来描述

使用的字节数

总SPD内存大小

内存类型

行数

列数

银行的数量

模块数据宽度

模块数据宽度续

电源电压

记

半导体

MSC23CV26457D

框图

/ OE

/ WE

/RAS0

/CAS0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

/CAS1

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

/CAS2

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

/CAS3

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D3

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D2

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D1

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D0

DQ

/CAS4

DQ32

DQ33

DQ34

DQ35

DQ36

DQ37

DQ38

DQ39

/CAS5

DQ40

DQ41

DQ42

DQ43

DQ44

DQ45

DQ46

DQ47

/CAS6

DQ48

DQ49

DQ50

DQ51

DQ52

DQ53

DQ54

DQ55

/CAS7

DQ56

DQ57

DQ58

DQ59

DQ60

DQ61

DQ62

DQ63

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D7

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D6

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D5

DQ

/ CAS / RAS / WE / OE

DQ

D4

DQ

A0-A9, A10

V

CC

V

SS

C1-C8

A0 -A9 ， A10R ： D0 - D7

SCL

D0-D7

串行PD

SCL

SDA

A0 A1 A2

SDA

V

SS