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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2504页 > MSC23CV16458D-XXBS4
这个版本：四月8. 1999
半导体
MSC23CV16458D-xxBS4
1,048,576字×64位的动态RAM模块：与EDO快页模式类型
描述
该MSC23CV16458D - xxBS4是1,048,576字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由于TSOP封装4 16Mb的（ 1Mx16 ）的DRAM安装有4去耦电容。这是一
144引脚小外形双列直插内存模块。该模块支持任何应用需要高密度和
存储存储器的大容量是必需的。
特点
· 1,048,576字×64位的组织
· 144引脚小外形双列直插内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 1024cycles / 16ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23CV16458D-50BS4
MSC23CV16458D-60BS4
MSC23CV16458D-70BS4
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
84ns
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
1800mW
1656mW
1512mW
7.2mW
待机
家庭
半导体
MSC23CV16458D
模块的外形
MSC23CV16458D-xxBS4
（单位：毫米）
2.6Max.
67.60±0.5
20.0±0.13
25.4±0.13
6.0±0.13
A
1
B
143
3.2Min.
3.3
23.20±0.1
2.5±0.2
4.6±0.2
63.60±0.2
67.60±0.2
32.80±0.1
1.00±0.1
R2.0
144
2-φ1.8
32.80±0.1
23.20±0.1
2.1±0.2
4.6±0.2
2
3.7
0.6±0.1
0.25Max.
0.8Typ.
DETAIL B
4.0±0.1
1.5±0.1
细节A
2.55
半导体
MSC23CV16458D
引脚配置
正面
PIN号
1
3
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49
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引脚名称
V
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NC
NC
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/RAS0
NC
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PIN号
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引脚名称
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NC
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NC
NC
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131
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NC
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DQ26
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V
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V
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引脚名称
NC
V
SS
NC
NC
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V
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CC
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NC
V
SS
NC
NC
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/CAS7
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DQ57
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DQ60
DQ61
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半导体
MSC23CV16458D
PD系列矩阵
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（十六进制）
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0A
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01
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刷新率/类型
主要DRAM宽度
错误检查DRAM宽度
超信息
SPD数据进行修订的代码
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64-127
128-255
版权所有
未使用的存储位置（保留）
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00
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非奇偶校验
正常的更新
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-50
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-60
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11
12
13
14
15-61
62
函数来描述
使用的字节数
总SPD内存大小
内存类型
行数
列数
银行的数量
模块数据宽度
模块数据宽度续
电源电压
记
半导体
MSC23CV16458D
框图
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/ WE
/RAS0
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DQ1
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DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
/CAS0
DQ0
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/CAS1
DQ8
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DQ10
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V
CC
V
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A0 -A9 ： D0 -D3
SCL
D0-D3
D0-D3
串行PD
SCL
SDA
A0 A1 A2
SDA
V
SS
这个版本：四月8. 1999
半导体
MSC23CV16458D-xxBS4
1,048,576字×64位的动态RAM模块：与EDO快页模式类型
描述
该MSC23CV16458D - xxBS4是1,048,576字×64位CMOS动态随机存取存储器模块，其
由于TSOP封装4 16Mb的（ 1Mx16 ）的DRAM安装有4去耦电容。这是一
144引脚小外形双列直插内存模块。该模块支持任何应用需要高密度和
存储存储器的大容量是必需的。
特点
· 1,048,576字×64位的组织
· 144引脚小外形双列直插内存模块
金·卡
· 3.3V单电源供电， ± 0.3V宽容
=输入
： LVTTL兼容
=输出
： LVTTL兼容，三态
·刷新： 1024cycles / 16ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页面模式， EDO ，读 - 修改 - 写功能
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23CV16458D-50BS4
MSC23CV16458D-60BS4
MSC23CV16458D-70BS4
50ns
60ns
70ns
t
AA
25ns
30ns
35ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
OEA
13ns
15ns
20ns
周期
时间
（分）
84ns
104ns
124ns
功率耗散（最大）。
操作
1800mW
1656mW
1512mW
7.2mW
待机
家庭
半导体
MSC23CV16458D
模块的外形
MSC23CV16458D-xxBS4
（单位：毫米）
2.6Max.
67.60±0.5
20.0±0.13
25.4±0.13
6.0±0.13
A
1
B
143
3.2Min.
3.3
23.20±0.1
2.5±0.2
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1.00±0.1
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32.80±0.1
23.20±0.1
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4.6±0.2
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0.6±0.1
0.25Max.
0.8Typ.
DETAIL B
4.0±0.1
1.5±0.1
细节A
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半导体
MSC23CV16458D
引脚配置
正面
PIN号
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引脚名称
V
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NC
NC
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NC
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PIN号
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引脚名称
V
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V
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V
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A4
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SS
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DQ42
DQ43
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CC
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V
SS
NC
NC
NC
V
CC
NC
NC
NC
NC
正面
PIN号
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引脚名称
/ OE
V
SS
NC
NC
V
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V
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DQ22
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SS
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/CAS2
/CAS3
V
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PIN号
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138
140
142
144
引脚名称
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
DQ48
DQ49
DQ50
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V
SS
DQ52
DQ53
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CC
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SS
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/CAS6
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CC
半导体
MSC23CV16458D
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SPD值
（十六进制）
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0A
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01
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0F
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DIMM配置类型
刷新率/类型
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错误检查DRAM宽度
超信息
SPD数据进行修订的代码
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63
-60
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64-127
128-255
版权所有
未使用的存储位置（保留）
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00
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00
01
30
3C
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版权所有
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10
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13ns
15ns
20ns
非奇偶校验
正常的更新
x16
第一个字节
0
1
2
3
4
5
6
7
8
-50
9
-60
-70
-50
10
-60
-70
11
12
13
14
15-61
62
函数来描述
使用的字节数
总SPD内存大小
内存类型
行数
列数
银行的数量
模块数据宽度
模块数据宽度续
电源电压
记
半导体
MSC23CV16458D
框图
/ OE
/ WE
/RAS0
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/ LCAS
DQ1
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/ RAS / WE / OE
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V
CC
V
SS
C1-C4
A0 -A9 ： D0 -D3
SCL
D0-D3
D0-D3
串行PD
SCL
SDA
A0 A1 A2
SDA
V
SS
查看更多MSC23CV16458D-XXBS4PDF信息
推荐型号
MI-P622-MXW
MC78L18A
MC44BS374
MX26L6420
MPC8280_06
MAS9280B3TG00
MB80101FBN
MB82101DBN
MSC23B1321D-60BS2
MI-22W-IW
MI-J6P-IY
MQ-W
MI-P5YN-MYA
MA704A
MAX1791
MMSZ22
MAX6126AAUA41
MI-P61-IAY
ML64168
MI-P5V1-IYA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881620402 复制

    电话：18922805453
    联系人：连
    地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

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