这个版本：
三月3， 1999
半导体
MSC23B236D-xxBS8/DS8
2,097,152字×36位的动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23B236D - xxBS8 / DS8是一个完全解码， 2,097,152字×36位CMOS动态随机存取存储器
装有模块SOJ包装SOJ包装和四的2Mb的DRAM由四个16Mb的DRAM的
8去耦电容一个72针的玻璃环氧树脂单列直插式封装。该模块支持任何应用程序
其中高密度和存储存储器的大容量是必需的。
特点
· 2,097,152字×36位的组织
· 72脚单列直插式内存模块
MSC23B236D - xxBS8 ：金标签
MSC23B236D - xxDS8 ：焊片
·单+ 5V电源± 10 ％容差
=输入
： TTL兼容
=输出
： TTL兼容，三态
·刷新： 1024cycles / 16ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式功能
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
MSC23B236D-60BS8/DS8
MSC23B236D-70BS8/DS8
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
周期
时间
（分）
操作（最大）
待机（最大）
功耗
110ns
130ns
2365mW
44mW
2145mW
半导体
MSC23B236D
模块的外形
MSC23B236D-xxBS8/DS8
107.95±0.2
*1
101.19Typ.
（单位：毫米）
9.3Max.
3.38Typ.
3.18
19.0±0.2
TYP 。 TYP 。
10.16 6.35
2.03Typ.
6.35Typ.
5.7Min.
1
1.27±0.1
R1.57
6.35
95.25
1.04Typ.
72
+0.1
1.27 -0.08
* 1高度的板宽度12.5毫米的普通大小的差异被指定为± 0.2 。
以上12.5毫米的值被指定为±0.5 。
半导体
MSC23B236D
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
* TA = 25℃
等级
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
50
8
0至+70
-40到+125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至+ 70 ° C）
参数
电源电压
V
SS
输入高电压
输入低电压
V
IH
V
IL
0
2.4
-1.0
0
-
-
0
6.5
0.8
V
V
V
符号
V
CC
分钟。
4.5
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
单位
V
电容
( V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A9 ）
输入电容（ / WE）
输入电容（ / RAS0- / RAS3 ）
输入电容（ / CAS0- / CAS3 ）
I / O电容（ DQ0 - DQ35 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
53
65
20
35
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注意：
电容与Boonton的计测。
QQ：2880707522 复制
