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半导体
半导体
MSC23B236A-xxBS8/DS8
描述
MSC23B236A-xxBS8/DS8
2,097,152-Word
36位DRAM模块:快速页面模式类型
冲电气MSC23B236A - xxBS8 / DS8是一个完全解码2,097,152字
36位CMOS动态
4个16 - Mb的(1M的随机存取存储器构成的
16 )在SOJ DRAM和4个2 MB( 1M
2)在SOJ的DRAM 。八DRAM的安装以及在72-去耦电容
脚玻璃环氧树脂封装SIMM支持任何应用程序,其中的高密度,大容量
保存存储器是必需的。
特点
2,097,152字
36位(奇偶校验)的组织
72针的SIMM
MSC23B236A-xxBS8
:金标签
MSC23B236A-xxDS8
:焊片
5 V单电源
±10%
公差
输入: TTL兼容
输出: TTL兼容,三态, nonlatch
刷新: 1024次/ 16毫秒
CAS
RAS
刷新,
CAS
RAS
隐藏刷新,
RAS-只
刷新功能
快速页模式功能
产品系列
家庭
MSC23B236A-60BS8/DS8
MSC23B236A-70BS8/DS8
访问时间(最大值)。
t
RAC
60纳秒
70纳秒
t
AA
30纳秒
35纳秒
t
CAC
15纳秒
20纳秒
功耗
周期
操作(最大)待机(最大)
(分)
110纳秒
130纳秒
3410毫瓦
3080毫瓦
44毫瓦
159
MSC23B236A-xxBS8/DS8
半导体
引脚配置
MSC23B236A-xxBS8/DS8
*1
107.95 ±0.2
101.19典型。
(单位:毫米)
9.3 MAX 。
3.38 ±0.13
f
3.18
25.4 ±0.13
10.16 6.35
±0.13 ±0.13
2.03 ±0.13
1.27 ±0.1
6.35 TYP 。
72
R1.57
6.35
95.25
1.04典型。
+0.1
1.27 –0.08
5.7最小。
1
* 1板的常见尺寸差异宽12.5毫米其高度是
指定为± 0.2 。以上12.5毫米的值被指定为±0.5 。
引脚号引脚名称
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
V
CC
NC
A0
A1
A2
A3
引脚号引脚名称
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
V
CC
引脚号引脚名称
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
A8
A9
RAS3
RAS2
DQ26
DQ8
DQ17
DQ35
V
SS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
引脚号引脚名称
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
NC
WE
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
V
CC
DQ32
引脚号引脚名称
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
V
SS
存在检测引脚
PIN号
67
68
69
70
引脚名称
PD1
PD2
PD3
PD4
MSC23B236A
-60BS8/DS8
NC
NC
NC
NC
MSC23B236A
-70BS8/DS8
NC
NC
V
SS
NC
160
半导体
MSC23B236A-xxBS8/DS8
框图
A0 - A9
CAS0
CAS1
WE
A0 - A9
RAS0
RAS
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
V
CC
A0 - A9
RAS
RAS1
LCAS
LCAS
UCAS
UCAS
WE
WE
OE
V
SS
OE
V
SS
V
CC
A0 - A9
RAS
CAS1
CAS2
WE
OE
V
SS
A0 - A9
RAS2
RAS
DQ1
DQ2
DQ8
DQ17
DQ1
DQ2
A0 - A9
RAS
CAS1
CAS2
WE
OE
V
SS
A0 - A9
RAS
RAS3
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
V
CC
LCAS
LCAS
UCAS
UCAS
WE
WE
OE
V
SS
OE
V
SS
V
CC
A0 - A9
RAS
CAS1
CAS2
WE
OE
V
SS
CAS2
CAS3
V
CC
V
SS
DQ1
DQ2
DQ26
DQ35
DQ1
DQ2
A0 - A9
RAS
CAS1
CAS2
WE
OE
V
SS
V
CC
V
CC
C1
C8
161
MSC23B236A-xxBS8/DS8
半导体
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
电压V
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
-1.0 7.0
-1.0 7.0
50
9.2
0到70
-40至125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
注:如果绝对最大额定值可能会造成永久性损坏设备
超标。功能操作应限制的条件如在详细
该数据表的操作部分。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
–1.0
典型值。
5.0
0
马克斯。
5.5
0
6.5
0.8
(大= 0 ° C至70 ° C)
单位
V
V
V
V
电容
参数
输入电容( A0 - A9 )
输入电容( WE)
输入电容( RAS0 -
RAS3)
输入电容( CAS0 -
CAS3)
I / O电容( DQ0 - DQ35 )
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
典型值。
马克斯。
53
65
20
35
20
( TA = 25 ° C,F = 1兆赫)
单位
pF
pF
pF
pF
pF
注:电容与Boonton的计测。
162
半导体
DC特性
MSC23B236A
参数
符号
MSC23B236A-xxBS8/DS8
(V
CC
= 5 V± 10 % ,TA = 0 ° C至70 ° C)
MSC23B236A
-70BS8/DS8
分钟。
–80
马克斯。
80
A
单位注
条件
0 V
V
I
6.5 V;
-60BS8/DS8
分钟。
马克斯。
80
输入漏电流
I
LI
所有其它引脚不
被测= 0V
D
OUT
关闭
0 V
V
O
5.5 V
I
OH
= -5.0毫安
I
OL
= 4.2毫安
RAS , CAS
骑自行车,
t
RC
=最小值。
RAS , CAS
= V
IH
–80
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
平均功率
电源电流
(操作)
电源
电流(待机)
平均功率
电源电流
( RAS仅刷新)
平均功率
电源电流
前( CAS
RAS
刷新)
平均功率
电源电流
(快页模式)
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC1
–20
2.4
0
20
V
CC
0.4
620
16
8
–20
2.4
0
20
V
CC
0.4
560
16
8
A
V
V
毫安1,2
mA
mA
1
1
I
CC2
RAS , CAS
V
CC
–0.2 V
RAS
骑自行车,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
=最小值。
RAS
骑自行车,
620
560
毫安1,2
I
CC6
CAS
RAS ,
t
RC
=最小值。
RAS
= V
IL
,
620
560
毫安1,2
I
CC7
CAS
骑自行车,
t
PC
=最小值。
480
450
毫安1,3
注:1。我
CC
马克斯。被指定为我
CC
输出开路状态。
2.地址可以一次或更少,而改变
RAS = V
IL
.
3.地址可以一次或更少,而改变
CAS = V
IH
.
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    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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