这个版本：四月7 1999
半导体
MSC23436C-xxBS10/DS10
4,194,304字×36位的动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23436C - xxBS10 / DS10是4194304字×36位CMOS动态随机存取存储器模块
它是由8 16Mb的（ 4Mx4 ）在SOJ封装的DRAM和SOJ封装2的8Mb （ 4Mx2 ）的DRAM
装有10去耦电容。这是一个72脚单列直插式内存模块。该模块支持任何
其中高密度和存储存储器的容量大，需要的应用程序。
特点
· 4,194,304字×36位的组织
· 72脚单列直插式内存模块
MSC23436C - xxBS10 ：金标签
MSC23436C - xxDS10 ：焊片
·单5V电源供电， ±10 ％容差
=输入
： TTL兼容
=输出
： TTL兼容，三态
·刷新： 2048cycles / 32ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式功能
·多位测试模式功能
产品系列
访问时间（最大值）。
t
RAC
MSC23436C-60BS10/DS10
MSC23436C-70BS10/DS10
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
周期
时间
（分）
110ns
130ns
功率耗散（最大）。
操作
5720mW
5225mW
待机
55mW
家庭
半导体
MSC23436C
模块的外形
MSC23436C-xxBS10/DS10
107.95±0.2
*1
101.19Typ.
（单位：毫米）
5.28Max.
3.38Typ.
φ3.18
25.4±0.2
TYP 。 TYP 。
10.16 6.35
2.03Typ.
6.35Typ.
1
1.27±0.1
R1.57
6.35
95.25
1.04Typ.
72
1.27
3.17Min.
+0.1
-0.08
* 1在公差从底部边缘14.5毫米为± 0.5 。
半导体
MSC23436C
电气特性
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
短路输出电流
功耗
工作温度
储存温度
* TA = 25℃
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
英镑
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
50
10
0到70
-40至125
单位
V
V
mA
W
°C
°C
推荐工作条件
（大= 0 ° C至70 ° C）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
分钟。
4.5
0
2.4
-0.5
典型值。
5.0
0
-
-
马克斯。
5.5
0
V
CC
+ 0.5
0.8
单位
V
V
V
V
电容
( V
CC
= 5V ±10 ％ ，TA = 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
输入电容（ A0 - A10 ）
输入电容（ / WE）
输入电容（ / RAS0 ， / RAS2 ）
输入电容（ / CAS0 - / CAS3 ）
I / O电容（ DQ0 - DQ35 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
I / O
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
70
80
43
28
16
单位
pF
pF
pF
pF
pF
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