140 COMMERCE DRIVE
蒙哥马利， PA
18936-1013
电话：（ 215 ） 631-9840
传真： （ 215 ） 631-9855
MSC1175M
RF &微波晶体管
航空电子应用
特点
一○二五年至1150年兆赫
50伏
内部输入/输出匹配
P
OUT
= 175 WATTS
G
P
= 7.7分贝最低
常见的基本配置
描述：
该MSC1175M是NPN双极型晶体管专为设计
高峰值脉冲功率应用，如DME / TACAN 。
该器件能够承受至少20 ：1的负载
VSWR在全额定条件下的任何相位角。国内
阻抗匹配提供一致的宽带性能。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
°
符号
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
参数
功耗
器件的电流
集电极电源电压*
结温
储存温度
价值
400
12
55
250
-65到+200
单位
W
A
V
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
热阻结案件
0.3
°
C / W
先进的电源技术保留更改的权利，恕不另行通知，此处包含的规格和信息
请访问我们的网站：
www.advancedpower.com
或者联系我们的厂家直销。
MSC1175M
STATIC
电气特性（温度上限= 25 ° C）
25
°
符号
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
CES
h
FE
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 15毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 1 A
测试条件
I
E
= 0毫安
I
C
= 0毫安
R
BE
= 10
价值
分钟。
65
3.5
65
---
15
典型值。
---
---
---
---
---
马克斯。
---
---
---
12.5
120
单位
V
V
V
mA
---
动态
符号
P
OUT
η
C
G
P
条件
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
脉冲宽度= 10μs的
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
占空比= 1 ％
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
价值
分钟。
175
40
7.7
典型值。
190
42
8.0
马克斯。
---
---
---
单位
W
%
dB
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MSC1175M
阻抗数据
频率
1025兆赫
1090兆赫
1150兆赫
V
CC
= 50V
P
IN
= 30W
标准化为50Ω
Z
IN
( )
2.3 + j5.1
2.0 + j4.5
2.2 + j3.3
Z
CL
( )
2.4 - j4.2
2.0 - j3.5
2.5 - j2.5
测试电路
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MSC1175M
包装机械数据
包
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特点
一○二五年至1150年兆赫
50伏
内部输入/输出匹配
P
OUT
= 175 WATTS
G
P
= 7.7分贝最低
常见的基本配置
描述：
该MSC1175M是NPN双极型晶体管专为设计
高峰值脉冲功率应用，如DME / TACAN 。
该器件能够承受至少20 ：1的负载
VSWR在全额定条件下的任何相位角。国内
阻抗匹配提供一致的宽带性能。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
°
符号
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
参数
功耗
器件的电流
集电极电源电压*
结温
储存温度
价值
400
12
55
250
-65到+200
单位
W
A
V
°
C
°
C
热数据
R
日（J -C ）
热阻结案件
0.3
°
C / W
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MSC1175M
STATIC
电气特性（温度上限= 25 ° C）
25
°
符号
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
CES
h
FE
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 15毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 1 A
测试条件
I
E
= 0毫安
I
C
= 0毫安
R
BE
= 10
价值
分钟。
65
3.5
65
---
15
典型值。
---
---
---
---
---
马克斯。
---
---
---
12.5
120
单位
V
V
V
mA
---
动态
符号
P
OUT
η
C
G
P
条件
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
脉冲宽度= 10μs的
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
占空比= 1 ％
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
价值
分钟。
175
40
7.7
典型值。
190
42
8.0
马克斯。
---
---
---
单位
W
%
dB
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阻抗数据
频率
1025兆赫
1090兆赫
1150兆赫
V
CC
= 50V
P
IN
= 30W
标准化为50Ω
Z
IN
( )
2.3 + j5.1
2.0 + j4.5
2.2 + j3.3
Z
CL
( )
2.4 - j4.2
2.0 - j3.5
2.5 - j2.5
测试电路
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50伏
内部输入/输出匹配
P
OUT
= 175 WATTS
G
P
= 7.7分贝最低
常见的基本配置
描述：
该MSC1175M是NPN双极型晶体管专为设计
高峰值脉冲功率应用，如DME / TACAN 。
该器件能够承受至少20 ：1的负载
VSWR在全额定条件下的任何相位角。国内
阻抗匹配提供一致的宽带性能。
绝对最大额定值
（温度上限= 25 ° C）
°
符号
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
英镑
参数
功耗
器件的电流
集电极电源电压*
结温
储存温度
价值
400
12
55
250
-65到+200
单位
W
A
V
°
C
°
C
热数据
R
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热阻结案件
0.3
°
C / W
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STATIC
电气特性（温度上限= 25 ° C）
25
°
符号
BV
CBO
BV
EBO
BV
CER
I
CES
h
FE
I
C
= 10毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 15毫安
V
CE
= 50 V
V
CE
= 5 V
I
C
= 1 A
测试条件
I
E
= 0毫安
I
C
= 0毫安
R
BE
= 10
价值
分钟。
65
3.5
65
---
15
典型值。
---
---
---
---
---
马克斯。
---
---
---
12.5
120
单位
V
V
V
mA
---
动态
符号
P
OUT
η
C
G
P
条件
测试条件
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
F = 1025年至1150年兆赫
脉冲宽度= 10μs的
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
P
IN
= 30 W
占空比= 1 ％
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
V
CC
= 50 V
价值
分钟。
175
40
7.7
典型值。
190
42
8.0
马克斯。
---
---
---
单位
W
%
dB
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阻抗数据
频率
1025兆赫
1090兆赫
1150兆赫
V
CC
= 50V
P
IN
= 30W
标准化为50Ω
Z
IN
( )
2.3 + j5.1
2.0 + j4.5
2.2 + j3.3
Z
CL
( )
2.4 - j4.2
2.0 - j3.5
2.5 - j2.5
测试电路
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