摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSB710 - QT 1 / D
PNP通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSB710-QT1
MSB710-RT1*
*摩托罗拉的首选设备
3
2
1
2
BASE
1
辐射源
CASE 318D -03 ，风格1
SC–59
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
– 60
– 50
– 7.0
– 500
–1.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
– 55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
器件标识
标记符号
CQ
X
MSB710–QT1
CR
X
MSB710–RT1
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
热复合是贝格斯公司的商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉公司1996年
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MSB710 - QT1 MSB710 - RT1
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流
（ VCB = -20伏直流， IE = 0 ）
DC电流增益（1）
（ VCE = -10伏直流， IC = -150 MADC ）
（ VCE = -10伏直流， IC = 500 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = - 300 MADC ， IB = - 30 MADC ）
集电极 - 基极饱和电压
（ IC = - 300 MADC ， IB = - 30 MADC ）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
民
– 50
– 60
– 7.0
—
最大
—
—
—
– 0.1
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
—
MSB710–QT1
MSB710–RT1
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
COB
85
120
40
—
—
—
170
240
—
– 0.6
–1.5
15
VDC
VDC
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSB710 - QT1 MSB710 - RT1
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
0.037
0.95
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.098–0.118
2.5–3.0
0.094
2.4
0.039
1.0
0.031
0.8
英寸
mm
SC- 59功耗
对SC- 59的功耗是垫的一个函数
尺寸。这可以从最小焊盘大小为焊接异
给定的最大功耗焊盘尺寸。动力
耗散用于表面贴装器件由下式确定
TJ （最大值） ，在模具的最大额定结温，
R
θJA
从器件结的热阻
环境;和操作温度TA 。使用
设置在数据表中的值， PD可被计算为
如下所示：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是200毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 200毫瓦
625°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在625 ° C / W假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的200毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合， 400毫瓦的功耗可
实现使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MSB710 - QT1 MSB710 - RT1
焊膏丝网指南
在此之前将表面贴装元件在印刷
电路板中，焊料膏必须施加到焊盘上。一
焊料模版，需要筛选的最佳量
焊膏到足迹。该模板由黄铜制成
或不锈钢带0.008英寸的典型厚度。
为SC- 59封装的模板开孔尺寸应该是
相同的焊盘尺寸的印刷电路板，即，一个
1 ： 1的注册。
典型焊加热曲线
对于任何给定的电路板，将有一组控制
设置值，将得到所需的加热方式。运营商
必须设置温度为几个加热区，和一个
数字皮带速度。两者合计，这些控制设置
补热“轮廓”为特定的电路板。
上由一台计算机，该计算机控制的机器
从一个工作会议上的记住这些配置文件
下一个。图1显示了一个典型的加热曲线的使用时
焊接的表面贴装器件的印刷电路板。
此配置文件将焊接系统各不相同，但它是一个很好的
出发点。能够影响信息的因素包括
焊接系统的使用中，密度和类型的类型
电路板上元器件，焊料类型使用，且类型
板或基板材料的使用。该图显示
温度与时间的关系。图上的线表示
可能会遇到的表面上的实际温度
的试验板在或靠近中央的焊点。两
配置文件基于高密度和低密度板。
该维多利绍德SMD310对流/红外回流焊
系统被用来生成此配置文件。焊料的种类
用的是62/36/2铅锡银与熔点
在177 -189 ℃。当这种类型的炉子是用于
回流焊工作时，电路板和焊点倾向于
先热。电路板上的组件，然后通过加热
传导。在电路板上，因为它有一个大的表面
面积，更有效地吸收的热能，然后
分配的能量，以该组件。因为这
效果，一个组件的所述主体可以是最多30个
度比相邻焊点冷却。
第1步
预热
1区
“ RAMP ”
200°C
第2步
STEP 3
VENT
加热
「浸泡」地带2及五
“ RAMP ”
所需的曲线用于高
MASS ASSEMBLIES
150°C
第4步
步骤5
STEP 6 STEP 7
加热
加热
VENT冷却
开发区3及6个区域4和7
205 ° 219℃
“浸泡”
“秒杀”
高峰
170°C
焊点
160°C
150°C
100°C
100°C
所需的曲线FOR LOW
MASS ASSEMBLIES
50°C
140°C
焊料液
40至80秒
（根据
装配质量）
时间（ 37分钟总）
TMAX
图1.典型的焊接暖气简介
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MSB710 - QT1 MSB710 - RT1
包装尺寸
A
L
3
2
1
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
2.70
3.10
1.30
1.70
1.00
1.30
0.35
0.50
1.70
2.10
0.013
0.100
0.10
0.26
0.20
0.60
1.25
1.65
2.50
3.00
英寸
民
最大
0.1063 0.1220
0.0512 0.0669
0.0394 0.0511
0.0138 0.0196
0.0670 0.0826
0.0005 0.0040
0.0040 0.0102
0.0079 0.0236
0.0493 0.0649
0.0985 0.1181
S
B
D
G
C
H
K
J
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
CASE 318D -03
问题E
SC–59
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
乐山无线电公司， LTD 。
PNP通用放大器
晶体管表面贴装
MSB710-RT1
集热器
3
3
2
1
例
318D -04 ，样式1
SC–59
2
BASE
1
辐射源
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
–60
–50
–7.0
–500
–1.0
最大
200
150
–55 ~ +150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
单位
mW
°C
°C
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
器件标识
CRX
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N3–1/1
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MSB710 - RT1 / D
PNP通用放大器
晶体管表面贴装
集热器
3
MSB710-RT1
摩托罗拉的首选设备
3
2
2
BASE
1
辐射源
1
CASE 318D -04 ，风格1
SC–59
最大额定值
（ TA = 25°C ）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IC
集成电路（P）的
价值
– 60
– 50
– 7.0
– 500
–1.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
符号
PD
TJ
TSTG
最大
200
150
– 55 ~ +150
单位
mW
°C
°C
器件标识
CR
X
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
热复合是贝格斯公司的商标。
取代MSB710 - QT 1 / D
摩托罗拉1997年公司
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
1
MSB710-RT1
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
μAdc ，
IC = 0）
集电极 - 基极截止电流
（ VCB = -20伏直流， IE = 0 ）
DC电流增益（1）
（ VCE = -10伏直流， IC = -150 MADC ）
（ VCE = -10伏直流， IC = 500 MADC ）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = - 300 MADC ， IB = - 30 MADC ）
集电极 - 基极饱和电压
（ IC = - 300 MADC ， IB = - 30 MADC ）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
特区
≤
2%.
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
民
– 50
– 60
– 7.0
—
最大
—
—
—
– 0.1
单位
VDC
VDC
VDC
μAdc
—
hFE1
hFE2
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
COB
120
40
—
—
—
240
—
– 0.6
–1.5
15
VDC
VDC
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
PNP通用放大器
晶体管表面贴装
MSB710-RT1
集热器
3
3
1
2
例
318D -04 ，样式1
SC–59
2
BASE
1
辐射源
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极电流 - 峰值
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
C
I
（P ）
符号
P
D
T
J
T
英镑
价值
–60
–50
–7.0
–500
–1.0
最大
200
150
–55 ~ +150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
ADC
单位
mW
°C
°C
热特性
特征
功耗
结温
储存温度
器件标识
CRX
在“X”代表一个较小的字母数字日期代码。日期代码表示实际月
在该部分被制造。
N3–1/1
MSB710RT1
包装尺寸
SC59
CASE 318D -04
ISSUE摹
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
MILLIMETERS
喃
最大
1.15
1.30
0.06
0.10
0.43
0.50
0.14
0.18
2.90
3.10
1.50
1.70
1.90
2.10
0.40
0.60
2.80
3.00
英寸
喃
0.045
0.002
0.017
0.005
0.114
0.059
0.075
0.016
0.110
D
3
H
E
2
1
E
b
e
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
1.00
0.01
0.35
0.09
2.70
1.30
1.70
0.20
2.50
民
0.039
0.001
0.014
0.003
0.106
0.051
0.067
0.008
0.099
最大
0.051
0.004
0.020
0.007
0.122
0.067
0.083
0.024
0.118
A
A1
L
C
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.4
0.094
1.0
0.039
0.8
0.031
mm
英寸
SCALE 10 ： 1
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
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2
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