2830 S.锦绣街
圣安娜,CA 92704
PH : ( 714 ) 979-8220
传真: ( 714 ) 966-5256
1N6818
(MSASC75H45F)
特点
钨/铂肖特基势垒非常低VF
氧化物钝化结构为非常低的漏电流
增加反向能量的能力保护环保护
外延结构最小正向电压降
密封,低调的陶瓷表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
可作为标准极性(带阳极是: 1N6818 )和反向
极性(表带阴极: 1N6818R )
初步
1N6818R
45伏
75安培
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F( AVE )
dI
F
/ DT
I
FSM
I
RRM
T
j
T
英镑
θ
JC
马克斯。
45
45
45
75
4
500
2
-55到+150
-55到+150
0.50
0.65
(MSASC75H45FR)
最大额定值@ 25 ° (除非另有说明)
C
描述
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
平均正向电流整流, Tc≤ 125 °
C
降额,正向电流, Tc≥ 125 °
C
非重复性峰值浪涌电流, TP = 8.3毫秒,半正弦波
峰值重复反向浪涌电流, TP = 1μs的时间, F = 1kHz时
结温范围
存储温度范围
热阻,结到外壳:
1N6818
1N6818R
低电压
压降的肖特基
二极管
单位
伏
伏
伏
安培
安培/ °
C
安培
AMP
°
C
°
C
°
C / W
机械概要
ThinKey 4
数据表# MSC1029A