MSAGX75F60A
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
集电极 - 发射极击穿电压
（栅极短路到发射极）
栅极阈值电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流（零门
电压集电极电流）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
正向跨导（ 1 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
感性负载， TJ = 25°C
°
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
感性负载， TJ = 125°C
°
导通延迟时间
上升时间
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极 - 集电极（米勒）充电
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
GES
I
CES
V
CE （ SAT ）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
Q
g
Q
ge
Q
gc
条件
V
GS
= 0 V，I
C
= 250
A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250
A
V
GE
=
±
20V
DC
, V
CE
= 0
V
CE
=0.8BV
CES
V
GE
= 0 V
V
GE
= 15V ，我
C
= 50A
I
C
= 50A
V
CE
≥
10 V ;我
C
= 50 A
民
600
2.5
典型值。
最大
5.0
±100
±200
200
1000
2.7
单位
V
V
nA
A
V
S
pF
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
2.5
35
4000
340
100
50
210
200
275
4.8
50
240
3
280
600
9.6
200
35
80
V
GE
= 0 V, V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V,
I
C
= 50 A，R
G
= 2.7
,
L= 100
H
注2,3
400
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
nC
V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V,
I
C
= 50 A，R
G
= 2.7
,
L= 100
H
注2,3
V
GE
= 15 V, V
CE
= 300V ，我
C
= 50A
250
50
100
笔记
(1)
(2)
(3)
(4)
脉冲测试，T
≤
300
S，占空比
δ ≤
2%
开关时间和损失可能会增加较大的V
CE
和/或R
G
值或更高的结温。
开关损耗包括“尾巴”的损失
Microsemi公司不生产的IGBT芯片;接触公司的详细信息。
QQ：2880707522 复制
