2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
PH ： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 966-5256
MSAGX60F60A
MSAHX60F60A
600伏
60安培
2.9电压VCE （SAT）
N沟道
绝缘栅
双极晶体管
特点
坚固的多晶硅栅单元结构
高电流处理能力，闩锁防
密封，表面贴装功率封装
低封装电感
极低的热阻
反极性可根据要求： MSAH （ G） 60F60B
高频的IGBT ，低开关损耗
反平行FREDiode （ MSAHX60F60A只）
最大额定值@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
集电极 - 发射极击穿电压（栅极短路到发射极）
@ T
J
≥
25°C
符号
BV
CES
BV
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
I
最大
P
D
T
j
T
英镑
I
S
I
SM
θ
JC
马克斯。
600
600
+/-20
+/-30
60
32
120
64
300
-55到+150
-55到+150
32
100
0.4
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
瓦
°C
°C
安培
安培
° C / W
集电极 - 栅极击穿电压
@ T
J
≥
25℃下，R
GS
= 1 M
连续的门极 - 发射极电压
短暂的门极 - 发射极电压
连续集电极电流
TJ = 25°C
TJ ？
90°C
峰值集电极电流，脉冲宽度限制T
JMAX
,
安全工作区（ RBSOA ）
@ V
GE
= 15V ， L = 100μH （钳位感性
负荷）中，R
G
= 4.7Ω ， TJ = 125°C ，V
CE
= 0.8× V
CES
功耗
结温范围
存储温度范围
连续源电流（体二极管， MSAHX60F60A只）
脉冲源电流（体二极管， MSAHX60F60A只）
热阻，结到外壳
机械概要
集热器
辐射源
（ MS ... A）
GATE （ MS ... B）
.A)
发射器（ MS ... B）
数据表＃ MSC0298A
MSAGX60F60A
MSAHX60F60A
电气参数@ 25 ° C（除非另有说明）
°
描述
集电极 - 发射极击穿电压
（栅极短路到发射极）
栅极阈值电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流（零门
电压集电极电流）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
GES
I
CES
V
CE （ SAT ）
条件
V
GS
= 0 V，I
C
= 250
A
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250
A
V
GE
=
±
20V
DC
, V
CE
= 0
V
CE
=0.8BV
CES
V
GE
= 0 V
V
GE
= 15V ，我
C
= 30A
I
C
= 60A
I
C
= 30A
V
CE
≥
10 V ;我
C
= 30 A
民
600
2.5
典型值。
最大
5.0
±100
±200
200
1000
2.9
单位
V
V
nA
A
V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
15
正向跨导（ 1 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
感性负载， TJ = 25°C
°
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
感性负载， TJ = 125°C
°
导通延迟时间
上升时间
ON能源
打开-O FF延迟时间
下降时间
释放能量
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极 - 集电极（米勒）充电
反并联二极管的正向电压（ MSAHX60F60A
只）
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
Q
g
Q
ge
Q
gc
V
F
2.2
3.5
2.2
20
2500
230
70
25
30
175
125
1.3
25
35
1
250
260
4
125
23
50
S
pF
V
GE
= 0 V, V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V,
I
C
= 30 A，R
G
= 4.7
,
L= 100
H
注2,3
175
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
nC
V
GE
= 15 V, V
CE
= 480 V,
I
C
= 30 A，R
G
= 4.7
,
L= 100
H
注2,3
V
GE
= 15 V, V
CE
= 300V ，我
C
= 30A
T
J
= 25
°C
T
J
= 150
°C
T
J
= 25
°C
T
J
= 25
°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
dI
E
/ DT = 100 A / US ，T
J
= 25°C
反并联二极管的反向恢复时间
（仅MSAHX60F60A ）
反并联二极管的反向恢复电荷
（仅MSAHX60F60A ）
反并联二极管峰值恢复电流
（仅MSAHX60F60A ）
t
rr
Q
rr
I
RM
I
E
= 15 A
I
E
= 15 A
I
E
= 30 A
I
E
= 50 A
I
E
= 10 A,
I
E
= 30 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 30 A,
I
E
= 10 A,
I
E
= 30 A,
150
35
75
1.5
1.3
1.7
1.9
100
140
160
320
3
4.2
V
V
V
V
ns
ns
nC
nC
A
A
笔记
(1)
(2)
(3)
(4)
脉冲测试，T
≤
300
S，占空比
δ ≤
2%
开关时间和损失可能会增加较大的V
CE
和/或R
G
值或更高的结温。
开关损耗包括“尾巴”的损失
Microsemi公司不生产的IGBT芯片;接触公司的详细信息。
QQ：2881677436 复制
