2830 S.锦绣街
圣安娜，CA 92704
电话： （ 714 ） 979-8220
传真： （ 714 ） 559-5989
MSAGA11F120D
快速IGBT死植入
心脏除颤器
应用
描述：
N沟道增强型高密度IGBT芯片
钝化：聚酰亚胺， 20微米，在氮化硅， .8um
发射金属化：铝/ 1 ％Si的铝合金导线焊接， 3.2微米的典型。
集热器/门金属化：钛 - 镍（ 1微米） - 银（ 0.2微米）的软钎焊连接
浪涌电流（I
CM
） - 安培
55
10μs的X 4ms的双指数
产品特点：
低正向压降，低尾电流
雪崩和额定浪涌
高频率。切换到20KHz的
超低漏电流
RBSOA和SCSOA评分
可提供批量验收测试规格MSAGA11F120DL ， " ， L"后缀
35-50 ％
I
CM
最大
10s
4000s
最大额定值：
符号
V
CES
V
CGR
V
EG
V
GE
I
C1
I
C2
I
CM
I
CM1
I
CM2
I
Csurge2
E
AS
P
D
T
J,
T
英镑
时间 -
微秒
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压（R
GE
= 20K )
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流@ T
C
= 25°
C
连续集电极电流@ T
C
= 110°
C
浪涌电流（ 10μs的X 4ms的双指数，见图2 ）
集电极电流脉冲
@ T
C
= 25°
C
集电极电流脉冲
@ T
C
= 110°
C
浪涌电流： TP = 2我们（吨= 1.5
s;
花花公子= 0.5
s
50％的衰减） ， 10个脉冲，占空比
周期= 1 ： 250万（ 12脉冲/分钟）
单脉冲雪崩能量
-
总功耗
工作和存储：结温范围
价值
1200
1200
15
±20
22
11
55
44
22
400
10
125
-55到150
单位
伏
伏
伏
伏
安培
安培
安培
安培
安培
APK
mJ
瓦
°
C
静态电气特性：
符号
BV
CES
RBV
CES
V
GE
（ TH ）
V
CE
（上）
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 0.5mA）即可
集电极 - 发射极反向击穿电压
(V
GE
= 20V ，我
C
= 10毫安）
栅极阈值电压（V
CE
=
V
GE
,
I
C
=
350μA ，T
J
= 37°
C
栅极阈值电压（V
CE
=
V
GE
,
I
C
=
350μA ，T
J
= 25°
C
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
=
15V ，我
C
=
I
C2,
T
J
=
25°
C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
=
15V ，我
C
=
I
C2,
T
J
= 37
°
C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
=
15V ，我
C
=
I
C2,
T
J
= 1
25°
C)
I
CES
集电极截止电流（V
CE
= 80%V
CES
,
V
GE
= 0V,
T
J
=
25°
C)
集电极截止电流（V
CE
= 80%V
CES
,
V
GE
= 0V,
T
J
= 37
°
C)
集电极截止电流（V
CE
= 80%V
CES
,
V
GE
= 0V,
T
J
= 1
25°
C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±25V,
V
CE
=0V)
I
GES
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±25V,
V
CE
= 0V ） ， TJ = 37 °
C
2
4
4.5
民
1200
-15
5.7
5.5
3.1
3.5
4
0.02
0.07
1000
±100
4.5
10
6.5
3.5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
uA
uA
uA
nA
nA
MSC0947.PDF 99年2月5日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25° ，除非另有说明
C
MSAGA11F120D
动态特性：
符号
C
IES
C
OES
C
罗斯
Qg
QGE
QGC
快速IGBT死植入
心脏除颤器
应用
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
（ TSV ）
（ TSI）
下降时间
（ TFV ）
（ TFI ）
关断开关能量
正向跨导
测试条件
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
V
GE
= 15V
V
CC
= 0.5V
CES
I
C
=
I
C2
电阻开关（ 25 °
C)
V
GE
= 15V, V
CC
= 0.5V
CES
I
C
=
I
C2
R
e
= 150
电感式开关（ 25 °
C)
V
钳
（PEAK） = 0.5V
CES
V
GE
= 15V ，我
C
=
I
C2
R
G
= 150 ,
T
J
= +25°
C
电感式开关（ 125 °
C)
V
钳
（PEAK） = 0.5V
CES
V
GE
= 15V ，我
C
=
I
C2
民
典型值
600
60
38
60
4
36
35
120
580
260
55
50
380
80
40
100
550
700
最大
720
120
55
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
110
100
570
120
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
f
R
G
= 150 ,
T
J
= +125°
C
160
40
ns
E
关闭
GFE
1
V
CE
=20V,
I
C
=
I
C2
4.5
5
mJ
S
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。
-
I
C
= I
C2,
V
CC
= 50V ，R
CE
= 25Ω ， L = 300μH ，T
J
= 25°
C
T
J
= 150°
C
见MIL -STD -750方法3471
DIE探头参数（ 100 ％测试） ：
符号
BV
CES
RBV
CES
V
GE
（ TH ）
V
CE
（上）
I
CES
I
GES
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 0.5mA）即可
集电极 - 发射极反向击穿电压
(V
GE
= 15V ，我
C
= 10毫安）
栅极阈值电压（V
CE
= 6.5 V，I
C
= 350μA ，T
J
= 25°
C
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 12V，我
C
= 1 A
,
T
J
= 25°
C)
集电极截止电流（V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0V ，T
J
= 25°
C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20 V, V
CE
=0V)
民
1200
-15
4.6
典型值
1400
30
5.5
1.45
0.15
5
最大
单位
伏
6.5
2.0
400
±120
uA
nA
MSC0947.PDF 99年2月5日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25° ，除非另有说明
C
机械特性
典型的雷击测试
浪涌电流（I
CM
） - 安培
55
10μs的X 4ms的双指数
35-50 ％
I
CM
最大
10s
4000s
时间 -
微秒
MSC0947.PDF 99年2月5日
所有评分：设备在包装TO-3或Microsemi的CoolPack包，T
C
= 25° ，除非另有说明
C
QQ：2881677436 复制
